3a-TA-11 液体窒素温度におけるN型GaAsの電子線照射
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1970-04-01
著者
関連論文
- 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
- 2a-K-6 音響ドメイン注入法によるHgI_2の共鳴ブリルアン散乱
- 27a-Q-2 ZnSのピエゾ複屈折と共鳴ブリルアン散乱
- 30a-T-8 低温液体の電気伝導と絶縁破壊 (V)
- 2a-NE-1 (SN)_xの超伝導特性および極低温における磁気抵抗効果
- 1a-S-3 Naドープ(SN)_xの電気的性質 II
- 12p-W-3 Ge-Se系ガラス半導体の光学的性質
- 7a-J-8 LiNbO_3に於る光損傷の圧力効果
- 5p-H-7 CdSの音響電気効果
- 2p-KD-2 ポリフランの合成と電気的光学的性質
- 31a-BD-13 Squaric acid H_2C_4O_4 の相転移への圧力効果
- 1p-CK-9 液晶のブリルアン散乱 II
- 1B08 液晶相転移におけるブリルアン散乱
- 7p-P-3 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 5p-Q-7 磁場による液晶の格子状ドメイン形成
- 1a-BG-6 ZnTe:O等電子トラップ束縛励起子
- 5p-J-13 半導体における(e,A^0)と(D^0,A^0)発光遷移の判別
- 3V19 強誘電性液晶の電気的光学的性質および電気光学効果(V)
- 13p-P-3 電子線照射したGaAsの格子欠陥
- 5a-G-8 Cu-Diffused n-GaAsの放射線損傷
- 3a-N-13 III-V族半導体の放射線損傷
- 30a-U-9 GaP の放射線損傷
- 6p-E-8 放射線損傷をうけたGaAsのフォトルミネッセンス
- 7p-E-2 液体窒素温度で電子線照射したn-GaAsのフォトルミネッセンス
- 3a-TA-11 液体窒素温度におけるN型GaAsの電子線照射
- 10a-Q-10 77°Kで電子線照射したPドープGeの焼鈍
- Pを含むn型Geの77°Kでの電子線照射 : 格子欠陥
- n型ガリウム・ヒ素の放射線損傷 : 格子欠陥
- Vacancyを含むGeのMinority-CarrierのLife-time : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 3R07 磁場中での液晶比熱測定
- 6p-AE-5 液晶比熱の磁場依存性
- 3V07 液晶相転移の磁場効果
- 4B19 液晶レーザ散乱
- 12a-A-2 スメクチック液晶相転移における磁場効果 (II)
- 3a-N-11 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 12p-N-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱 II
- 5p-KF-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱
- 25a-K-2 液晶のラマン散乱における低周波モード
- 5a-C-12 LiNbO_3の光損傷
- 7a-K-8 LiNbO_3の光損傷に於る内部電界に関する一考察-X線誘起光損傷-
- 7a-K-7 LiNbO_3の電気的性質(II)-紫外線レーザによる光伝導-
- 3a-D-7 極低温液体の電気伝導と絶縁破戒 VII
- 2p-Q-10 一軸性圧力下におけるCdTe励起子のスピン偏極効果
- 13p-P-4 ガンマー線照射したCdTlの移動度とトラップ中心の焼鈍
- 2p-N-1 Polyacetylene 膜の相転移と電気伝導