13p-P-4 ガンマー線照射したCdTlの移動度とトラップ中心の焼鈍
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-09-20
著者
関連論文
- 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
- 4p-LT-5 ホットエレクトロン再結合発光と分布関数
- 4a-LT-10 GaAs中の電子分布と散乱機構
- 1a-BJ-12 半導体中の電子分布関数に及ぼす電子-電子散乱の効果
- 1a-BJ-11 電界印加フォトルミネセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 IV
- 11a-P-7 電界印加フォトルミネセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察III
- 6p-B-3 電界印加フォルトミネセンスにおける電子分布の考察
- GaSb_xAs の液相エピタキシャル成長
- 2a-K-6 音響ドメイン注入法によるHgI_2の共鳴ブリルアン散乱
- 27a-Q-2 ZnSのピエゾ複屈折と共鳴ブリルアン散乱
- 新しいTHMによるZnSe単結晶育成及びアクセプター添加効果
- 14p-L-2 分子線エピタキシァル成長したZnSeの真性点欠陥とその生成機構
- 30a-T-8 低温液体の電気伝導と絶縁破壊 (V)
- 12p-H-2 GaSb_xAs,In_xGaAsのホットエレクトロン
- 2a-NE-1 (SN)_xの超伝導特性および極低温における磁気抵抗効果
- 1a-S-3 Naドープ(SN)_xの電気的性質 II
- THMによるZnTe及びZnCdTeの結晶成長と光ルミネッセンス : 融液成長
- 7p-W-11 CdS-LiNbO_3コンボルバーの光照射効果における表面電位障壁の影響
- 5a-Q-10 CdTeの束縛励起子のゼーマン効果
- 5a-N-8 酸素欠陥LiNbO_3の電気的性質I
- 12p-T-8 CdTeのLO-フォノン発光線の磁場効果
- 6a-B-15 CdS-LiNbO_3表面波コンボルバーの光照射効果におけるコンボリューション機構の考察
- 12a-F-15 アモルファスGe-Seの振動スペクトル II
- 5a-R-10 アモルファスGe-Seの振動スペクトル
- 14p-W-1 As-Se-Ge系アモルファス半導体のラマン散乱
- 12p-W-3 Ge-Se系ガラス半導体の光学的性質
- 7a-J-8 LiNbO_3に於る光損傷の圧力効果
- 14a-W-3 強磁場中におけるホット・エレクトロンの電気伝導(II)
- 3p-KL-11 強磁場中におけるホット・エレクトロンの電気伝導
- 1a-LD-6 Si-LiNbO_3 コンボルバーの光照射効果
- 11a-R-8 CdSモノリシックコンボルバーの光照射,ゲート電圧効果
- 11a-F-14 半導体/LiNbO_3コンボルバーの光照射効果
- 2p-R-15 半導体中キャリアによる表面波の非線形効果
- 3a-KL-15 GaAs中の増幅超音波による高強度レーザ光の誘導散乱
- 5p-H-7 CdSの音響電気効果
- 熱CVD法によるカーボン薄膜成長と構造解析
- CVD ZeSeの励起子スペクトルとSbSe溶媒からの再結晶化
- 28p-ZH-5 CdZnS-ZnS歪超格子の光学利得II
- 2p-KD-2 ポリフランの合成と電気的光学的性質
- 14a-L-11 InPのガンマ線照射欠陥の回復過程 II
- 31a-BD-13 Squaric acid H_2C_4O_4 の相転移への圧力効果
- 1p-CK-9 液晶のブリルアン散乱 II
- 1B08 液晶相転移におけるブリルアン散乱
- 7p-P-3 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 5p-Q-7 磁場による液晶の格子状ドメイン形成
- 29p-H-4 InPのガンマ線照射欠陥の回復過程
- 2a-N-4 GaAsP混晶のRecombination Enhanced Defect Reaction
- 1p-B-5 Ge-Se系ガラス半導体のtransient photoconductivity
- 5a-B-3 Ge-Se 系ガラス半導体の光キャリアーの振舞い
- 31a GE-8 Ge-Se系ガラス半導体における電荷輸送過程
- 1a-BG-6 ZnTe:O等電子トラップ束縛励起子
- 12a-R-6 ZnTe:O及びZnCdTe:Oの束縛励起子
- InSbスピンフリップラマンレ-ザ-の発振特性
- 5p-J-13 半導体における(e,A^0)と(D^0,A^0)発光遷移の判別
- 4a-N-7 n-InSb中における過剰電子-正孔対の振舞い
- 3V19 強誘電性液晶の電気的光学的性質および電気光学効果(V)
- 13p-P-3 電子線照射したGaAsの格子欠陥
- 3a-N-13 III-V族半導体の放射線損傷
- 7p-E-2 液体窒素温度で電子線照射したn-GaAsのフォトルミネッセンス
- 3a-TA-11 液体窒素温度におけるN型GaAsの電子線照射
- 1p-N-16 QスイッチCO_2レーザーによる半導体の光電効果
- p形Teを用いたCO2レ-ザ用ホトンドラッグ検知器
- 3R07 磁場中での液晶比熱測定
- 6p-AE-5 液晶比熱の磁場依存性
- 3V07 液晶相転移の磁場効果
- 4B19 液晶レーザ散乱
- 12a-A-2 スメクチック液晶相転移における磁場効果 (II)
- 3a-N-11 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 12p-N-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱 II
- 5p-KF-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱
- 25a-K-2 液晶のラマン散乱における低周波モード
- 5a-C-12 LiNbO_3の光損傷
- 7a-K-8 LiNbO_3の光損傷に於る内部電界に関する一考察-X線誘起光損傷-
- 7a-K-7 LiNbO_3の電気的性質(II)-紫外線レーザによる光伝導-
- 3a-D-7 極低温液体の電気伝導と絶縁破戒 VII
- 6a-KL-11 Ge-Se系ガラスおよびGeSe_2単結晶の光学的性質
- 1p-TC-18 Nonparabolicityによる非線形光学効果 I
- 3a-L-2 CdS単結晶の光伝導
- フォトンドラッグ効果
- 2p-Q-10 一軸性圧力下におけるCdTe励起子のスピン偏極効果
- CdTeの溶液成長 : 化合物半導体
- 13p-P-4 ガンマー線照射したCdTlの移動度とトラップ中心の焼鈍
- 6a-KM-2 照射損傷したCdTeの電気的焼鈍特性
- 5p-H-17 III-V族混晶の電子谷間散乱とその負性抵抗
- 1p-N-14 赤外ファラデー効果及びプラズマ反射による電子谷間遷移の考察
- 7a-F-13 n-GaSbの高電界伝導とプラズマ反射
- 4a-N-4 低温におけるn-GaAsの速度-電界特性
- 2p-TC-5 電子線照射したn-GaAsの速度一電界特性
- 30p-N-6 三準位間遷移による負性抵抗
- 7a-F-19 4.2°Kにおけるn-GaAsの速度 : 電界特性
- 5a-C-11 TEA CO_2レーザーによる化合物半導体の非線形光学効果 [I]
- 2p-N-1 Polyacetylene 膜の相転移と電気伝導