7a-F-19 4.2°Kにおけるn-GaAsの速度 : 電界特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1971-04-06
著者
関連論文
- 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
- 3a-B-10 GaAsにおける高電界下の電子分布
- 31p GD-7 半導体中の電子分布関数と散乱機構
- 4a-LT-10 GaAs中の電子分布と散乱機構
- 1a-BJ-12 半導体中の電子分布関数に及ぼす電子-電子散乱の効果
- 1a-BJ-11 電界印加フォトルミネセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 IV
- 4p-M-9 電界印加フォトルミネッセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 II
- 4p-M-8 電界印加フォトルミネッセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 I
- 6p-B-3 電界印加フォルトミネセンスにおける電子分布の考察
- GaSb_xAs の液相エピタキシャル成長
- 2a-K-6 音響ドメイン注入法によるHgI_2の共鳴ブリルアン散乱
- 3a-B-8 不透明領域におけるCdSの共鳴ブリルアン散乱
- 27a-Q-2 ZnSのピエゾ複屈折と共鳴ブリルアン散乱
- 3p-B-19 ZnSの共鳴ブリルアン散乱 III
- 2a-S-2 磁場中プラズマの超音波増幅の実験
- ヘリカル・インスタビリティの非線型効果 : プラズマ物理
- 磁場中プラズマのHigher Harmonics : プラズマ物理
- 磁場中プラズマの不安定性とマイクロ波特性(II) : プラズマ物理
- 6a-R-7 磁場中プラズマの振動及びマイクロ波特性
- 6a-R-2 磁場中プラズマの拡散と低周波振動
- 磁場中プラズマのマイクロ波特性 : プラズマ物理
- 7a-O-8 プラズマ中振動の透過マイクロ波に及ぼす影響
- 7a-K-9 ポリエチレンの光電流と光強度
- 高分子材料の直流電気伝導 : 高分子
- Siの放射線損傷とその焼鈍過程(格子欠陥)
- 10a-S-4 (SN)_x蒸着膜の電気的光学的性質II
- 6a-P-9 (SN)_xの抵抗極小と帯磁率
- 6p-R-3 (SN)_xの磁気抵抗効果及びホール効果
- 6p-R-2 (SN)_xの電気抵抗の温度依存性
- 6p-R-1 S_4N_4の電気的光学的性質
- 着色KCl単結晶の光電界光伝導とPhotocapacitance : イオン結晶・光物性 : EL・光伝導
- 14p-A-14 酸化被膜をつけたSi表面
- 酸化被膜をつけたSi表面と雑音の関係 : 半導体
- Si酸化被膜の性質 : 半導体
- Si酸化膜の二・三の性質 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSiP-N接合の電気的特性 : 半導体
- Si酸化膜の光吸収 : 半導体
- 7a-L-10 酸化被膜をつけたSi P-n接合の放射線損傷
- 19F-19 Ge P-n接合の雜音と逆方向特性
- 3a-N-8 白金フタロシアニンのTriplet excitonの振舞い.III
- 30a-T-8 低温液体の電気伝導と絶縁破壊 (V)
- 3p KJ-10 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊 (III)
- 6a-AC-8 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊(II)
- 2a-CG-7 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊
- 2a-KD-2 導電性高分子の電気的光学的性質に及ぼす放射線照射効果
- 12a-Q-7 ポリアセチレン及びドープされたポリアセチレンの電子線照射効果(電気伝導及びESR)
- 30a-G-10 ポリアセチレンの電気的性質に及ぼす電子線照射の影響 II
- 30a-G-2 ポリアセチレンのルミネッセンスとその温度依存性
- 12p-H-2 GaSb_xAs,In_xGaAsのホットエレクトロン
- 15a-G-8 P型シリコン中の再結合中心
- 4a-L-13 シリコン単結晶の放射線損傷
- p-type Siの放射線損傷(I) : 格子欠陥
- 16p-A-9 Gunn効果のHelicon Waveによる診断 I
- 超音波増巾に於る"Cherenkov"と"Bunching" : 半導体 (acoustic instability)
- 磁場中超音波増巾2つのモードについての考察 : 半導体(不安定性)
- 4a-H-2 Kinetic Power Theoremによる磁場中超音波増巾の解析
- 15a-K-5 Drifted Helicon-Phonon系での不安定性
- 7p-G-7 InSbにおけるphononの磁場効果
- 2p-J-7 (SN)_x及び(SN)_x-金属界面の物性
- 31p-K-12 (SN)_xの磁気抵抗効果と電子状態
- 2a-NE-1 (SN)_xの超伝導特性および極低温における磁気抵抗効果
- 1a-S-3 Naドープ(SN)_xの電気的性質 II
- 3a-G-5 (SN)_x及びdoped(SN)_xの電気的性質
- 29p-D-10 Intercalated (SN)_xの電気的性質
- 2a-N-7 S_4N_4 および (SN)_x のコンプトンプロフィル
- 6a-B-15 CdS-LiNbO_3表面波コンボルバーの光照射効果におけるコンボリューション機構の考察
- 29p-N-8 GaAs/AlGaAs界面の2次元電子輸送
- 1a-F-1 GaAs/AlGaAs界面中の2次元電子輸送
- 2a-KD-3 導電性高分子のフォトルミネッセンス;温度,ドーピング効果
- 12a-F-15 アモルファスGe-Seの振動スペクトル II
- 5a-R-10 アモルファスGe-Seの振動スペクトル
- 14p-W-1 As-Se-Ge系アモルファス半導体のラマン散乱
- 16a-A-16 CdSの音響ドメインによるブリルアン散乱と光吸収
- 電流飽和下のCdSの超音波束分布 (II) : 半導体 (acoustic instability)
- CdS中音響ドメインのレーザによる観測 : 半導体 (acoustic instability)
- CdS中音響ドメインのブリルアン散乱による観測 : 半導体(不安定性)
- 電流飽和下CdSの超音波束分布 : 半導体(不安定性)
- 3p-H-10 CdSの高抵抗領域での電流飽和
- 3p-H-9 CdSのドメイン形成と印加パルスの立上り時間
- 14p-K-11 CdSのドメイン形成における試料の不均一性の影響
- 14p-K-10 光伝導性CdSの階段状電流飽和
- 7a-G-9 CdSの電流振動現象と超音波束の注入
- CdSの電流振動現象と高電界層 : 半導体 : ダイオード,不安定
- CdSにおける電流飽和現象III : 半導体(不安定性)
- CdSの電流飽和(II) : 半導体 : 不安定性
- CdSの電流飽和(I) : 半導体 : 不安定性
- CdSにおける電流飽和および振動現象 : 半導体 : 理論と不安定性
- 8p-B-7 Siの放射線損傷とそのアニール
- 11a-A-8 放射線損傷を受けたSiの回復過程
- Siの中性子照射損傷焼鈍過程 : 半導体
- Siの放射線損傷 : 半導体
- 4a-H-5 マイクロ波によるプラズマ測定 (II)
- 1a-K-6 半導体薄膜、界面のホットエレクトロン現象
- 14a-W-3 強磁場中におけるホット・エレクトロンの電気伝導(II)
- 3p-KL-11 強磁場中におけるホット・エレクトロンの電気伝導
- Grain Baundaryからの雑音 : 半導体
- 2a-H-10 液体絶縁物の電気伝導[II]
- 12p-Q-4 n型ポリチオフェンの電導度及び吸収スペクトル
- 12p-Q-3 ポリチオフェンの電気的光学的性質III
- 3p-KD-6 新しい強誘電性液晶とその電気的光学的性質