犬石 嘉雄 | 阪大工

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概要

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関連著者

• 犬石 嘉雄

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• 吉野 勝美

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• 金藤 敬一

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• 白藤 純嗣

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  関学理

• 井上 正崇

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• 石田 晶

  大阪大学工学部

• 石田 晶

  阪大工

• 渡辺 泰堂

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  神戸工業(株)

• 枝川 博

  神戸工業株式会社

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• 林 重徳

  阪大工

• 林 重徳

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• 森田 義則

  神戸工業

• 森田 義則

  神戸工業(株)

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• 芝池 勉

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• 浜口 智尋

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• 植松 滋幸

  大阪大学工学部

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  大阪大学工学部電子工学科

• 谷村 勝巳

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• 中嶋 堅志郎

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  関学理

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• 金藤 敬一

  阪大・工

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• 前田 成欣

  大阪工業大学 電気工学科

• 前田 成欣

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  神戸工業k. K. 半導体部

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  神戸工業K.K.

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  味の素・中研

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• 卜部 隆

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• 堺 俊彦

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• 吉野 勝美

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• 水上 晃史

  阪大工

• 金藤 敬一

  大阪大学工学部電気 工学科

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著作論文

• 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
• 3a-B-10 GaAsにおける高電界下の電子分布
• 31p GD-7 半導体中の電子分布関数と散乱機構
• 4a-LT-10 GaAs中の電子分布と散乱機構
• 1a-BJ-12 半導体中の電子分布関数に及ぼす電子-電子散乱の効果
• 1a-BJ-11 電界印加フォトルミネセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 IV
• 4p-M-9 電界印加フォトルミネッセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 II
• 4p-M-8 電界印加フォトルミネッセンスを用いたホットエレクトロン分布の考察 I
• 6p-B-3 電界印加フォルトミネセンスにおける電子分布の考察
• GaSb_xAs の液相エピタキシャル成長
• 2a-K-6 音響ドメイン注入法によるHgI_2の共鳴ブリルアン散乱
• 3a-B-8 不透明領域におけるCdSの共鳴ブリルアン散乱
• 27a-Q-2 ZnSのピエゾ複屈折と共鳴ブリルアン散乱
• 3p-B-19 ZnSの共鳴ブリルアン散乱 III
• 2a-S-2 磁場中プラズマの超音波増幅の実験
• ヘリカル・インスタビリティの非線型効果 : プラズマ物理
• 磁場中プラズマのHigher Harmonics : プラズマ物理
• 磁場中プラズマの不安定性とマイクロ波特性(II) : プラズマ物理
• 6a-R-7 磁場中プラズマの振動及びマイクロ波特性
• 6a-R-2 磁場中プラズマの拡散と低周波振動
• 磁場中プラズマのマイクロ波特性 : プラズマ物理
• 7a-O-8 プラズマ中振動の透過マイクロ波に及ぼす影響
• 7a-K-9 ポリエチレンの光電流と光強度
• 高分子材料の直流電気伝導 : 高分子
• Siの放射線損傷とその焼鈍過程(格子欠陥)
• 10a-S-4 (SN)_x蒸着膜の電気的光学的性質II
• 6a-P-9 (SN)_xの抵抗極小と帯磁率
• 6p-R-3 (SN)_xの磁気抵抗効果及びホール効果
• 6p-R-2 (SN)_xの電気抵抗の温度依存性
• 6p-R-1 S_4N_4の電気的光学的性質
• 着色KCl単結晶の光電界光伝導とPhotocapacitance : イオン結晶・光物性 : EL・光伝導
• 14p-A-14 酸化被膜をつけたSi表面
• 酸化被膜をつけたSi表面と雑音の関係 : 半導体
• Si酸化被膜の性質 : 半導体
• Si酸化膜の二・三の性質 : 半導体
• 酸化被膜をつけたSiP-N接合の電気的特性 : 半導体
• Si酸化膜の光吸収 : 半導体
• 7a-L-10 酸化被膜をつけたSi P-n接合の放射線損傷
• 19F-19 Ge P-n接合の雜音と逆方向特性
• 3a-N-8 白金フタロシアニンのTriplet excitonの振舞い.III
• 30a-T-8 低温液体の電気伝導と絶縁破壊 (V)
• 3p KJ-10 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊 (III)
• 6a-AC-8 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊(II)
• 2a-CG-7 液体ヘリウムの電気伝導と絶縁破壊
• 2a-KD-2 導電性高分子の電気的光学的性質に及ぼす放射線照射効果
• 12a-Q-7 ポリアセチレン及びドープされたポリアセチレンの電子線照射効果(電気伝導及びESR)
• 30a-G-10 ポリアセチレンの電気的性質に及ぼす電子線照射の影響 II
• 30a-G-2 ポリアセチレンのルミネッセンスとその温度依存性
• 12p-H-2 GaSb_xAs,In_xGaAsのホットエレクトロン
• 15a-G-8 P型シリコン中の再結合中心
• 4a-L-13 シリコン単結晶の放射線損傷
• p-type Siの放射線損傷(I) : 格子欠陥
• 16p-A-9 Gunn効果のHelicon Waveによる診断 I
• 超音波増巾に於る"Cherenkov"と"Bunching" : 半導体 (acoustic instability)
• 磁場中超音波増巾2つのモードについての考察 : 半導体(不安定性)
• 4a-H-2 Kinetic Power Theoremによる磁場中超音波増巾の解析
• 15a-K-5 Drifted Helicon-Phonon系での不安定性
• 7p-G-7 InSbにおけるphononの磁場効果
• 2p-J-7 (SN)_x及び(SN)_x-金属界面の物性
• 31p-K-12 (SN)_xの磁気抵抗効果と電子状態
• 2a-NE-1 (SN)_xの超伝導特性および極低温における磁気抵抗効果
• 1a-S-3 Naドープ(SN)_xの電気的性質 II
• 3a-G-5 (SN)_x及びdoped(SN)_xの電気的性質
• 29p-D-10 Intercalated (SN)_xの電気的性質
• 2a-N-7 S_4N_4 および (SN)_x のコンプトンプロフィル
• 6a-B-15 CdS-LiNbO_3表面波コンボルバーの光照射効果におけるコンボリューション機構の考察
• 29p-N-8 GaAs/AlGaAs界面の2次元電子輸送
• 1a-F-1 GaAs/AlGaAs界面中の2次元電子輸送
• 2a-KD-3 導電性高分子のフォトルミネッセンス;温度,ドーピング効果
• 12a-F-15 アモルファスGe-Seの振動スペクトル II
• 5a-R-10 アモルファスGe-Seの振動スペクトル
• 14p-W-1 As-Se-Ge系アモルファス半導体のラマン散乱
• 16a-A-16 CdSの音響ドメインによるブリルアン散乱と光吸収
• 電流飽和下のCdSの超音波束分布 (II) : 半導体 (acoustic instability)
• CdS中音響ドメインのレーザによる観測 : 半導体 (acoustic instability)
• CdS中音響ドメインのブリルアン散乱による観測 : 半導体(不安定性)
• 電流飽和下CdSの超音波束分布 : 半導体(不安定性)
• 3p-H-10 CdSの高抵抗領域での電流飽和
• 3p-H-9 CdSのドメイン形成と印加パルスの立上り時間
• 14p-K-11 CdSのドメイン形成における試料の不均一性の影響
• 14p-K-10 光伝導性CdSの階段状電流飽和
• 7a-G-9 CdSの電流振動現象と超音波束の注入
• CdSの電流振動現象と高電界層 : 半導体 : ダイオード,不安定
• CdSにおける電流飽和現象III : 半導体(不安定性)
• CdSの電流飽和(II) : 半導体 : 不安定性
• CdSの電流飽和(I) : 半導体 : 不安定性
• CdSにおける電流飽和および振動現象 : 半導体 : 理論と不安定性
• 8p-B-7 Siの放射線損傷とそのアニール
• 11a-A-8 放射線損傷を受けたSiの回復過程
• Siの中性子照射損傷焼鈍過程 : 半導体
• Siの放射線損傷 : 半導体
• 4a-H-5 マイクロ波によるプラズマ測定 (II)
• 1a-K-6 半導体薄膜、界面のホットエレクトロン現象
• 14a-W-3 強磁場中におけるホット・エレクトロンの電気伝導(II)
• 3p-KL-11 強磁場中におけるホット・エレクトロンの電気伝導
• Grain Baundaryからの雑音 : 半導体
• 2a-H-10 液体絶縁物の電気伝導[II]
• 12p-Q-4 n型ポリチオフェンの電導度及び吸収スペクトル
• 12p-Q-3 ポリチオフェンの電気的光学的性質III
• 3p-KD-6 新しい強誘電性液晶とその電気的光学的性質
• 1a-LD-6 Si-LiNbO_3 コンボルバーの光照射効果
• 11a-R-8 CdSモノリシックコンボルバーの光照射,ゲート電圧効果
• 11a-F-14 半導体/LiNbO_3コンボルバーの光照射効果
• 2p-R-15 半導体中キャリアによる表面波の非線形効果
• 3a-KL-15 GaAs中の増幅超音波による高強度レーザ光の誘導散乱
• 9a-B-4 横磁場によるn-InSbの負性光伝導
• 5a-L-7 n-InSbにおけるレーザ照射によるマイクロ波輻射
• 15F-2 パルスχ線による絶縁破壊前駆現象
• 15F-2 パルスX線による絶縁破壊前駆現象
• 20M-13 チタン酸バリウム單結晶の電気伝導と絶縁破壊
• 4p-A-9 シリコンとシリコン酸化膜の界面
• 11a-M-7 表面再結合速度の表面電場による変化曲線のγ線照射による変化
• 7a-P-4 還元したチタン酸バリウム単結晶の光伝導
• 磁場中プラズマのマイクロ波特性(II) : プラズマ物理
• ルビーレーザの応用(量子エレクトロニクス)
• 9p-P-4 プラズマ中の音波
• 12a-Q-8 ポリアセチレン及びその誘導体のルミネッセンス
• 5p-M-8 アントラセンの電子線・X線誘起電導
• 4a-M-6 電子線パルスを用いたα-硫黄の高電界電気現象
• 8p-C-7 α-硫黄のbulk Photoconductivity
• 1p-TE-9 硫黄の電子衝撃電導
• 15a-C-11 アンスラセンの光伝導における放射線効果
• 15a-C-7 硫黄の電子衝撃電導
• 斜方硫黄単結晶の高電界電気伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• アンスラセンの高電界電気伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• X線によるアンスラセンの高電界電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• 1p-L-6 アンスラセンのBulk Photoconductivity II
• 1a-L-8 X線による硫黄の電気伝導
• 14a-M-10 X線によるアンスラセンのBulk Photoconductivity
• 半導体での2光子吸収による光電流 : 量子エレクトロニクス
• アンスラセン単結晶のX線パルス伝導I : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• 2p-KD-4 ポリチオフェンの電気伝導度とESR
• 2p-KD-3 ポリチオフェンの電気的光学的性質IV
• 2p-KD-2 ポリフランの合成と電気的光学的性質
• 2a-KD-1 導電性高分子のキャリア移動度とドーピング効果
• 導電性高分子によるオプトエレクトロニクス素子 (エレクトロニクス技術を支える新素材) -- (応用事例)
• 14p-Q-10 液晶の強誘電性とスイッチング特性に及ぼす分子構造、温度及びセル厚の影響
• 12p-Q-7 ポリチオフェンのフォトルミネッセンス
• 12p-Q-6 ポリセレノフェンの電気的光学的性質
• 12p-Q-5 ポリチオフェン、ポリピロールの電気化学的ドープ、脱ドープ特性
• 12p-Q-1 ポリフェニレンサルファイドの電気的光学的性質
• 14a-L-11 InPのガンマ線照射欠陥の回復過程 II
• 27a-SA-2 導電性高分子の分子構造および高次構造と電気的性質
• 2Q05 強誘電性液晶の電気的光学的性質及びその圧力効果
• 3R13 ヌメクチック教誘電性液晶の電気的光学的性質(II)
• 3a-D-7 BaTiO_3単結晶の絶縁破壊と電気伝導(II)
• 3p-D-8 フタロシアニンの電気的、光学的性質.VI
• 10a-S-10 フタロシアニン薄膜の発光スペクトル
• 10a-S-9 フタロシアニンの電気的、光学的性質 V.
• 4a-M-4 フタロシアニンの電気光学的性質 IV
• 12a-P-4 強誘電体のレーザ損傷
• 5a-NL-13 半導体ヘテロ接合界面2次元電子ガスの高速輸送現象
• 30p-E-1 フタロシアニンの電気的,光学的性質III
• 10p-S-2 Si,Ge-フタロシアニンの電気的,光学的性質
• 6a-L-2 イオン結晶の破壊前駆現象
• イオン結晶の高電界光電導 : イオン結晶
• イオン結晶の高電界光電導(イオン結晶)
• 3a-L-14 着色KCL単結晶の高電界パルス光電導
• 9p-L-11 KCl単結晶の光電導と絶縁破壊
• イオン結晶の光及びX線パルス電導 : イオン結晶
• 2p-M-3 エピタキシャル成長フタロシアニンの電気的光学的性質 II
• 12a-N-10 白金フタロシアニンのtriplet excitonの振舞い
• 12a-N-1 エピタキシャル成長フタロシアニンの電気的光学的性質
• 29p-H-4 InPのガンマ線照射欠陥の回復過程
• 2a-N-4 GaAsP混晶のRecombination Enhanced Defect Reaction
• 1p-B-5 Ge-Se系ガラス半導体のtransient photoconductivity
• 5a-B-3 Ge-Se 系ガラス半導体の光キャリアーの振舞い
• 12a-R-6 ZnTe:O及びZnCdTe:Oの束縛励起子
• 4a-N-7 n-InSb中における過剰電子-正孔対の振舞い
• CO_2レーザーによるInSb中のプラズマ生成 : 半導体 (プラズマ)
• レーザー光によるInSbのピンチ効果の観測 : 半導体(不安定性)
• 9a-D-9 液体絶縁物の電気伝導
• 7a-H-2 レーザ光による気、液、固体の電離と破壊(II)
• 3p-G-4 α-DOBAMBC-l-DOBACPC混合液晶の電気的光学的性質
• 1Q20 強誘電性液晶の電気的光学的性質と電気光学効果
• 28a-B-6 強誘電性液晶及びそのmixtureにおける電気的光学的性質
• 3a-N-13 強誘電性液晶の電気的光学的性質及びその圧力効果
• 3a GC-5 スメクチック強誘電液晶の電気的光学的性質 (V)
• 6p-AE-6 スメクチック強誘電液晶の電気的光学的性質(IV)
• 1p-CK-7 スメクチック強誘電性液晶の電気的光学的性質 (II)
• 2B13 ヌメクチック強誘電性液晶の電気的光学的性質
• 9a-S-3 強誘電性スメクチック液晶の電気的光学的性質(II)
• 7a-P-7 スメクチック強誘電性液晶
• 30a-G-1 ポリチオフェンの電気的光学的性質
• 29a-G-8 液晶の強誘電性とその厚さ及び温度依存性
• 電気化学的方法による導電性高分子の合成とその性質および応用
• 2p-J-11 ポリチオフェン及びポリピロールの合成と電気的性質
• 2p-J-10 ポリアセチレンの電気的性質と電子線照射の影響
• 2p-J-9 ポリアセチレンのルミネッセンス
• 1a-C-9 カイラルスメクチックC, H液晶の強誘電性とセル厚効果
• 3V16 強誘電性(混合)液晶の電気的光学的性質
• 31p-K-9 ポリアセチレンのルミネッセンスと電気伝導
• 30p-K-12 強誘電性液晶の電気的性質
• 3V19 強誘電性液晶の電気的光学的性質および電気光学効果(V)
• 2p-NE-13 強誘電性液晶の電気的性質
• 2a-NE-4 (CH)_xの電気伝導光伝導とルミネッセンス
• アンスラセン単結晶の光電導(II) : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• アンスラセン単結晶のパルス光伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• Ruby Laser によるCdS単結晶のphotoconductivity : 量子エレクトロニクス
• 10a-G-6 ルビーレーザーによる非線型現象の観測

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