枝川 博 | 神戸工業(株)
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概要
関連著者
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枝川 博
神戸工業(株)
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枝川 博
神戸工業株式会社
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犬石 嘉雄
阪大工
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森田 義則
神戸工業(株)
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森田 義則
神戸工業
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前川 俊一
神戸工業株式会社
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前川 俊一
神戸工業KK半導体
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芝池 勉
阪大 工
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芝池 勉
阪大工
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前川 俊一
神戸工業
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枝川 博
神戸工業k. K. 半導体部
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小松原 毅一
神戸工業k. K. 半導体部
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橋本 豊
都島工高
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室園 佳宏
神戸工業株式会社
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倉田 多嘉夫
神戸工業株式会社
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枝川 博
神戸工業KK半導体
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石川 元
神戸工業株式会社通信機技術部
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石川 元
神戸工業
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小松原 毅一
神戸工業
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小谷 健
神戸工業
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松本 冨士雄
大阪大学工学部
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芝池 勉
大阪大学工学部
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犬石 嘉雄
大阪大学工学部
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横家 弘重
阪大工
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鶴見 一郎
神戸工業
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小松原 毅一
神戸工業K.K.
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松本 冨士雄
阪大 工
著作論文
- Si単結晶中に於ける負性抵抗 : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 14p-A-14 酸化被膜をつけたSi表面
- 14p-A-13 Heavy dopingしたSi中の不純物擴散
- 14a-A-6 Geのgrain Boundaryの表面電場効果
- 酸化被膜をつけたSi表面と雑音の関係 : 半導体
- Si酸化被膜の性質 : 半導体
- Si酸化膜の二・三の性質 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSiP-N接合の電気的特性 : 半導体
- Si酸化膜の光吸収 : 半導体
- 7a-L-10 酸化被膜をつけたSi P-n接合の放射線損傷
- 20L-12 Ge p-n接合をシリコンレジンに侵した時の雜音
- 19F-19 Ge P-n接合の雜音と逆方向特性
- Grain Baundaryからの雑音 : 半導体
- MOS型FETのγ線照射効果 : 半導体 : 結晶成長
- 金属-SiO_2-Si系の電気伝導と雑音 : 表面物理, 薄膜
- 9p-F-4 Si単結晶に於ける負性抵抗
- 4p-A-9 シリコンとシリコン酸化膜の界面
- 11a-M-7 表面再結合速度の表面電場による変化曲線のγ線照射による変化