14p-A-13 Heavy dopingしたSi中の不純物擴散
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1961-10-09
著者
関連論文
- PN接合型半導体検出器の分解能と雑音 : 放射線物理(検出器)
- Si単結晶中に於ける負性抵抗 : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 7p-L-12 Si中のPの拡散
- 14p-A-14 酸化被膜をつけたSi表面
- 14p-A-13 Heavy dopingしたSi中の不純物擴散
- 14a-A-6 Geのgrain Boundaryの表面電場効果
- 塑性変型されたゲルマニウムP-n接合特性 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSi表面と雑音の関係 : 半導体
- Si酸化被膜の性質 : 半導体
- Si酸化膜の二・三の性質 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSiP-N接合の電気的特性 : 半導体
- 4a-L-3 ゲルマニウム單結晶の塑性変形
- ゲルマニウムp-n接合特性と塑性変形(II) : XX. 半導体
- 20L-16 ゲルマニウムP-n接合特性と塑性変形
- GaAsへのZn拡散について : 半導体 : 結晶成長
- 15C13. 半導体合金の研究 第二報 : In-Sbの熱電能
- 15C12. 半導体合金の研究 第一報 : In-Sbの電気抵抗
- Si酸化膜の光吸収 : 半導体
- 7a-L-10 酸化被膜をつけたSi P-n接合の放射線損傷
- 20L-12 Ge p-n接合をシリコンレジンに侵した時の雜音
- 19F-19 Ge P-n接合の雜音と逆方向特性
- Grain Baundaryからの雑音 : 半導体
- MOS型FETのγ線照射効果 : 半導体 : 結晶成長
- 金属-SiO_2-Si系の電気伝導と雑音 : 表面物理, 薄膜
- 9p-F-4 Si単結晶に於ける負性抵抗
- 4p-A-9 シリコンとシリコン酸化膜の界面
- 11a-M-7 表面再結合速度の表面電場による変化曲線のγ線照射による変化
- 29C4 GeのZone Refining(29C 半導体)
- 4.I.1 眞空管材料のガス放出に就いて(電子放射)
- 3D22 Ge単結晶に就て(3D 半導体 整流器、トランジスター)