冷水 佐寿 | 富士通研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
冷水 佐寿
富士通研
-
冷水 佐寿
富士通厚木研
-
成田 信一郎
阪大基礎工
-
南部 和夫
富士通研
-
橋本 寿夫
富士通研
-
小林 融弘
阪大基礎工
-
室 清文
阪大基礎工
-
佐々 誠彦
大阪工業大学
-
小宮山 進
東大教養
-
森 茂
阪大基礎工
-
佐々 誠彦
富士通研究所
-
佐々 誠彦
富士通厚木研
-
高増 正
東大教養
-
渋谷 隆夫
阪大基礎工
-
犬石 嘉雄
阪大工
-
羅 文斌
阪大基礎工
-
藤井 俊夫
富士通研究所
-
井上 正崇
阪大工
-
服部 毅
阪大基礎工
-
服部 毅
阪大基礎工:(現)小西六写真工業
-
稲山 実
阪大工
-
藤井 俊夫
(株)富士通研究所
-
嶽山 正二郎
阪大基礎工
-
加藤 芳正
阪大基礎工
-
平井 宏
東大教養
-
平井 宏
東大院総合
-
三村 高志
富士通研究所
-
小谷 健
(株)富士通研究所
-
小谷 健
富士通研究所
-
中越 明文
阪大基礎工
-
樋田 光
阪大工
-
井上 正宗
阪大工
著作論文
- 1a-KH-8 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FET、2次元電子系のサイクロトロン共鳴IV
- 22a-H-9 強磁性半導体CdCr_2Se_4の電気伝導
- 13p-E-4 Al_xGa_ As/GaAsヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 III
- 30a-M-4 AlxGa_Asヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 II
- 1a-F-4 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴の量子極限での異常
- 1a-Pα-26 GaAs/GaAlAsヘテロ接合二次元電子ガスのサイクロトロン共鳴III
- 5a-NL-12 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質IV
- 14p-W-14 磁性半導体CdCr_2Se_4のHall効果
- 30p-K-11 GaAs/Al_xGa_AsヘテロジャンクションFETの物理的性質 I : 輸送現象
- 30a-M-5 AlxGa_Asヘテロ接合FETにおける2次元電子の磁気伝導度
- 1a-F-3 Al_xGa_As/GaAs FETの遠赤外分光
- 1a-F-2 AlGa_As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質(磁気伝導度の測定)
- 1a-Pβ-28 Al_xGa_As/GaAsヘテロジヤンクションFETの物理的性質VI
- 1a-Pα-27 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質V : σ(ω)の測定
- 5a-NL-11 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質III(輸送現象)
- 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
- 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
- 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
- 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- 29p-N-8 GaAs/AlGaAs界面の2次元電子輸送
- 1a-F-1 GaAs/AlGaAs界面中の2次元電子輸送
- 30p-F-1 MBEによる選択ドープしたヘテロ構造の電気的性質
- 3-5化合物MBEとデバイスへの応用 (電子材料特集号) -- (先端技術)
- 5a-NL-13 半導体ヘテロ接合界面2次元電子ガスの高速輸送現象