平井 宏 | 東大院総合
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概要
関連著者
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平井 宏
東大院総合
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豊島 秀雄
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徳重 貴久
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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松田 祐司
東大教養
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町田 友樹
科学技術振興機構さきがけ
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新居 英明
東大教養
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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中村 和夫
日本電気基礎研
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二瓶 史行
日本電気基礎研
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中村 和夫
日本電気マイクロエレクトロニクス研
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二瓶 史行
日本電気マイクロエレクトロニクス研
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冷水 佐寿
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佐々木 誠彦
富士通厚木研
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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町田 友樹
科学技術振興事業団:東大院総合
著作論文
- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
- 24pD-7 強磁場中二次元電子系の位相干渉性
- 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
- 30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
- 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
- 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
- 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
- 29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
- 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
- 量子ホール効果状態での静電ポテンシャル分布と静電化学ポテンシャル分布
- エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
- 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
- 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
- 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
- 28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
- 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
- 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
- 29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
- 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
- 量子ホール効果状態での静電ポテンシャル分布と静電化学ポテンシャル分布
- エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
- 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
- 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
- 31a-YA-3 量子ホール効果状態における位相可干渉性の探求
- 磁場中の2つの伝導電流
- 4a-J-9 量子ホール効果状態での電流分布
- 4p-J-9 量子ホール効果状態での電流分布
- 29a-L-2 量子ホール効果状態でのエッジ電流とバルク電流の比率
- 29a-L-2 量子ホール効果状態でのエッジ電流とバルク電流の比率
- エッジ状態と量子ホ-ル効果 (メゾスコピック系の物理) -- (輸送現象)
- 量子ホ-ル効果に対するエッジ電流の影響--巨視的領域に現れるメゾスコピック現象
- 4a-C-11 強磁場下2次元電子系における端子の役割 (II)
- 4a-C-10 強磁場下2次元電子系における端子の役割 (I)
- 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)