中村 和夫 | 東工大総理工 : Nec基礎研
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概要
関連著者
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中村 和夫
東工大総理工 : Nec基礎研
-
二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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二瓶 史行
NEC基礎研
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中村 和夫
NEC基礎研
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Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
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邑瀬 和生
阪大院理
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宇野 滋雄
阪大院理
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音 賢一
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪教養
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石坂 智
NEC基礎研究所
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安藤 恒也
東大物性研
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溝口 英二
東工大総理工
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二瓶 史行
マサチューセッツ工科大学
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Kastner M.A.
マサチューセッツ工科大学
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平井 宏
東大教養
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小宮山 進
東大教養
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平井 宏
東大院総合
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宇佐見 康二
東工大総理工
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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湯田坂 雅子
Aistナノチューブ研究センター
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飯島 澄男
NEC基礎研
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湯田坂 雅子
NEC基礎研
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飯島 澄男
NECグリーンイノベーション研究所
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二瓶 史行
日本電気株式会社基礎研究所
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中村 和夫
日本電気株式会社基礎研究所
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二瓶 史行
NEC 基礎研
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中村 和夫
NEC 基礎研
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石坂 智
日電基礎研
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中村 和夫
日電基礎研
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二瓶 史行
日電基礎研
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中村 和夫
日本電気基礎研
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二瓶 史行
日本電気基礎研
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二瓶 史行
日本電気(株)基礎研
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佐本 典彦
関西エレ研
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笠原 健資
日本電気(株)マイクロエレ研
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中村 和夫
日本電気(株)基礎研
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中村 和夫
日本電気マイクロエレクトロニクス研
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二瓶 史行
日本電気マイクロエレクトロニクス研
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南部 芳弘
Necナノエレクトロニクス研究所
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南部 芳弘
日本電気株式会社
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廣嶋 透也
NEC基礎研、CREST
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廣嶋 透也
Jst Erato-sorst量子情報システムアーキテクチャ
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市橋 鋭也
Necナノエレクトロニクス研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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富田 章久
NEC基礎・環境研究所
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南部 芳弘
NEC基礎環境研究所
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湯田坂 雅子
Nec基礎・環境研究所
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中村 和夫
日本電気株式会社基礎・環境研究所:科学技術振興機構crest:東京工業大学総合理工学研究科
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二瓶 史行
日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーtg
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富田 章久
北海道大学
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宇佐見 康二
コペンハーゲン大学ニールス・ボーア研究所:科学技術振興機構さきがけ
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松本 啓史
ERATO
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廣嶋 透也
NEC基礎研:CRES
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宇佐見 康二
東工大総理工 : OPEST-JST
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南部 芳弘
OPEST-JST
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津田 美幸
筑波大数学系
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津田 美幸
筑波大数学系 : ERATO-JST
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石坂 智
NEC基礎研
著作論文
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- アンチドット格子中の複合フェルミオン
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- アンチドット格子における絶縁体 : 量子ホール液体転移
- アンチドット格子における絶縁体-量子ホール液体転移
- 13p-DF-5 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
- 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
- 1a-M-4 周期構造を有するメソスコピック系における電気伝導の数値解析
- 27p-P-5 アンチドット構造におけるアハロノフ-ボーム効果
- 27a-B-7 磁場下二次元周期系における電気伝導現象の数値解析
- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 29p-ZK-9 アンチドット構造における磁気輸送現象
- 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
- 28aYN-7 量子トモグラフィーを用いた2光子偏光状態のエンタングルメントの実験的評価
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 特集8 : 研究解説 : 2次元周期ポテンシャル下の2次元電子ガスの磁気輸送現象
- 24pWM-13 量子状態トモグラフィーにより推定した2光子偏光状態の忠実度(24pWM 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))