鷹岡 貞夫 | 阪大院理
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概要
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阪大基礎工
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Ntt Corp. Kanagawa Jpn
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Department Of Physics Osaka University
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Crest-jst:erato-jst
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阪大院理
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Department Of Applied Physics Osaka City University
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阪大院理
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Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
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芹川 正
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栗本 秀彦
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大山 忠司
福井工大
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佐貫 朋也
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阪大院理
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石田 裕規
阪大理
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石田 修一
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中村 和夫
東工大総理工 : Nec基礎研
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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鷹岡 貞夫
大阪大学大学院理学研究科
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二瓶 史行
NEC基礎研
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宇野 滋雄
阪大院理
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中村 和夫
NEC基礎研
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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中川 和男
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鈴村 竜広
阪大院理
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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NTT電子応用研
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阪大・理
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阪大基礎工:阪大理
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北陸先端大、新素材センター
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山田 省二
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著作論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 27a-ZB-2 PtSi薄膜の超伝導転移とその膜厚依存性
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 29p-ZK-6 Si-MOS FETにおける非局所的伝導
- 24aPS-6 Pb_Ge_xTe単結晶の温度可変高分解能光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
- 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
- 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
- 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
- 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
- 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 1a-M-13 GaAs/AlGaAsにおける静電容量と量子ホール効果
- 1a-M-12 ゲートで制御した2次元電子系の量子伝導
- 27p-P-2 2次元電子系でのとじ込めポテンシャルと非局所抵抗
- 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
- 29p-ZK-12 GaAs/AlGaAsマクロ細線での非局所的量子伝導におけるエッジ電流と端子抵抗
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
- 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
- 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
- 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
- 24pD-6 エッジチャネル間の電気容量測定と問題点
- 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
- 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
- 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
- 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
- GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
- 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
- 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
- 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 31a-YA-1 GaAs/A1GaAsにおける非局所抵抗の試料依存性
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAsの多端子素子での非局所抵抗
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAs の多端子素子での非局所抵抗
- 半導体メゾスコピック構造における量子効果とその応用(精密工学における電子論)
- 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
- 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
- 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
- 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 24pD-9 斜め磁場下の量子ホール状態での電気容量
- 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
- 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
- 平行強磁場下の2次元電子系におけるバリスティック電気伝導
- 分数量子ホール効果におけるエッジチャネル
- 低温・強磁場下の電気容量測定
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
- 量子ホ-ル効果と磁気電気容量
- 磁気電気容量法でみる量子ホ-ル効果とエッジ状態
- 磁気電気容量でみた量子ホール状態のバルク伝導とエッジ伝導
- 29p-Y-6 磁気電気容量でみた量子ホール状態のバルク伝導とエッジ伝導
- 31a-L-12 超伝導体-半導体-超伝導体接合と光応答
- 29p-D-8 メゾスコピック半導体二次元電子系の非局所伝導
- 13p-D-10 超伝導体-半導体接合素子における光応答
- 12a-K-8 スプリットゲートで制御された1次元電子系の非局所抵抗
- 12a-K-8 スプリットゲートで制御された1次元電子系の非局所抵抗
- Pb_Sn_xTe/In-Pb複合系での超伝導に対する光伝導の影響
- 31a-TB-10 Pb_Sn_xTe/In, Pbの超伝導に対する光伝導の影響
- 5a-Y-4 Bi系酸化物超伝導体の超伝導転移温度の不純物効果
- 9aSA-10 二次元電子系サイクロトロン共鳴の面内磁場効果II(整数・分数量子ホール効果,領域4)
- 24aSA-9 サイドゲートの作るエッジチャネルの位置分解測定(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aSA-10 量子ホール効果でのキャパシタンスの線幅依存性(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aWE-9 二次元電子系サイクロトロン共鳴の面内磁場効果(電子濃度依存性)(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))