poly-Si MOS FETの弱局在
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
-
石田 修一
山口東理大
-
邑瀬 和生
阪大理
-
音 賢一
阪大理
-
鷹岡 貞夫
阪大理
-
鷹岡 貞夫
阪大院理
-
白井 誠一
Ntt境界研
-
邑瀬 和生
大阪教養
-
芹川 正
Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
-
芹川 正
NTT境界研
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