Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1966-03-31

著者

• 長谷川 洋

  京大理物理

• 大山 忠司

  阪大理

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 藤安 洋

  静大工

• 大塚 エイ三

  阪大教養

• 大塚 エイ三

  阪大理教養

• 藤安 洋

  阪大理

• 長谷川 洋

  京大理

• 大塚 エイ三

  阪大理

関連論文

• 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
• 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
• 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
• 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
• 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
• 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
• 28p-S-5 磁場中の水素型原子 : 量子カオスとは?
• 第11回原子物理学国際会議
• 「van Hove極限」の補足 : 散逸系への移行に伴う「エントロピー生成」の構造(基研長期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」報告,研究会報告)
• 「van Hove極限」の補足 : 散逸系への移行に伴う「エントロピー生成」の構造(基研長期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」,研究会報告)
• 1. 反磁性ケプラー運動における回帰性軌道(recurrent orbit)の量子化(基研短期研究会報告「非可積分系の量子力学」,研究会報告)
• 確率過程の方法による非平衡熱力学(基研短期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」報告,研究会報告)
• CuMnのレマネンスとスピン共鳴(B.金属スピングラス,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
• 30p-BA-8 磁場中水素原子のランダム・ダイナミックス
• 2a-J-7 レーザーFokker-Planck方程式の変分法による解法
• 3a GR-3 光学的二重安定状態の定常分布及び熱力学的性質
• 31a-LG-6 System size展開について
• 4p-B-12 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 II
• 4p-B-11 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 I
• 非平衡統計力学における変分原理-中野氏の提案を具体化する方法について-(非線型・非平衡状態の統計力学,研究会報告)
• マルコフ過程の変分原理とOnsager原理について(「統計力学の数学的問題」,基研研究会報告)
• 超放射における非平衡性(Bethe格子,基研研究会報告)
• 12p-H-10 平衡状態への接近に関する変分原理
• 5a-KA-2 超放射における原子間の相関発生について (II)
• 5a-KA-1 超放射の於る厚子系の相関発生について. (I)
• 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
• X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
• Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
• 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
• 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
• 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
• 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
• 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
• 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
• Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
• 28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 28a-YK-9 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴II
• 2p-YJ-11 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 6a-E-5 CdTeの光検知サイクロトロン共鳴
• Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.II : サイクロトロン共鳴の温度依存性
• Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.I : PLおよび励起子吸収とサイクロトロン共鳴の関係
• 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
• 29p-X-14 SiCの光呼吸
• 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
• 「励起子」の理論(短期研究計画,第46回研究部員会議(2月27日、28日)資料,研究会報告)
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
• 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
• 1p-Y-9 ポーラスシリコンの光吸収と発光の励起スペクトル
• 27a-Z-4 ポーラスシリコンの発光の時間分解測定
• 4p-WB-3 P型半導体ピエゾ抵抗効果の理論.II.
• 28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
• 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
• 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
• 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
• 28p-S-10 ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収II
• ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
• 1a-TC-8 不純物帯の理論 II.電子温度
• 1a-TC-7 不純物帯の理論 I.光学的性質
• 強磁場下における不純物帯伝導 : 半導体 (下純物)
• 8a-J-9 GeI_4薄膜結晶における励起子
• 28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
• 3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
• 確率過程の方法による非平衡熱力学(基研短期研究会「進化の力学への場の理論的アプローチ」報告,研究会報告)
• 30p-X-6 ZnSe薄膜におけるドナーの遠赤外吸収
• 30a-F-2 高密度励起子の理論 III
• 強磁場におけるExcitonの理論II : CdSの解析 : イオン結晶光物性 : 光学的性質I
• 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
• 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
• Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
• 30p-YN-12 高い補償比をもつ半導体の不純物吸収に関する実験と計算機シミュレーション
• 3a-J-15 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果II
• 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
• 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 量子準位の運動と曲率分布(基研短期研究会『少数多体系における量子カオスと関連する諸問題』,研究会報告)
• 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
• 5a-U-9 1次元非周期場ポテンシャルの電子論
• 一次元連続系(電子系)における"exponential growth"(基研モレキュール型研究会,基研研究会報告)
• 非周期電子系の光学的性質(「励起子」,研究会報告)
• 2a-TB-2 磁場中の局在状態
• 非周期系の函数論と数値実験(モレキュール型研究計画,第46回研究部員会議(2月27日、28日)資料,研究会報告)
• 不純物帯のSum RuleとTailingについて II : 物性基礎論・統計力学
• 強磁場中のCarrien Freeze-Out Effect : 半導体(不純物伝導)
• Friedel Sum Ruleの一般化について(非周期系物性の基礎理論,基研研究会報告)
• 4a-L-6 交換相互作用による励起子スペクトルの応力-偏光分裂
• 3a-N-3 ランダウ準位とリドバーグ系列の共存
• 物性理論長谷川研究室(京大物性物理研究グループの紹介,京都大学)
• 13p-P-7 伝導電子系に関する非線型光学の理論Iランダウ準位間のラマン散乱
• 13a-K-9 InSbの不純物帯の磁場freege out 効果
• 不純物励起子の理論
• 31a-S-1 Ti/p-Si(001)の輸送特性と熱処理効果
• Ti/p-Si(100)の輸送特性に対する界面の効果
• 1p-F-5 遠赤外光ODCRによる化合物半導体の研究
• 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ波
• 31p-S-7 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴にに及ぼす熱処理効果

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク