1p-F-5 遠赤外光ODCRによる化合物半導体の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-03-15
著者
関連論文
- 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
- 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
- 28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 28a-YK-9 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴II
- 2p-YJ-11 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 6a-E-5 CdTeの光検知サイクロトロン共鳴
- Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.II : サイクロトロン共鳴の温度依存性
- Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.I : PLおよび励起子吸収とサイクロトロン共鳴の関係
- 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
- 29p-X-14 SiCの光呼吸
- 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
- 高励起超短時間物性の現状と将来 : ピコ秒パルスレーザーの物性研究への応用(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
- 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
- 1p-Y-9 ポーラスシリコンの光吸収と発光の励起スペクトル
- 27a-Z-4 ポーラスシリコンの発光の時間分解測定
- 28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
- 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
- 28p-S-10 ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収II
- ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
- 8a-J-9 GeI_4薄膜結晶における励起子
- 半導体における電子正孔液体(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
- 3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
- 30p-X-6 ZnSe薄膜におけるドナーの遠赤外吸収
- 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
- 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
- Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
- 30p-YN-12 高い補償比をもつ半導体の不純物吸収に関する実験と計算機シミュレーション
- 3a-J-15 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果II
- 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
- 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- 31a-S-1 Ti/p-Si(001)の輸送特性と熱処理効果
- Ti/p-Si(100)の輸送特性に対する界面の効果
- 1p-F-5 遠赤外光ODCRによる化合物半導体の研究
- 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ波
- 31p-S-7 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴にに及ぼす熱処理効果