30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21aHK-2 ホーランダイト型バナジウム酸化物のバルク電子状態(21aHK 光電子分光(超伝導・磁性・強相関系)・MCD・X線発光,領域5(光物性))
-
27aPS-8 FeSeの軟X線光電子分光II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
-
27aTL-9 FeSeの軟X線光電子分光(27aTL 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
-
23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
-
29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
-
17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
-
30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
-
30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
-
27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
-
27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
-
27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
-
27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
-
22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
-
22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
-
22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
-
半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
-
26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
-
25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
-
25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
-
31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
-
31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
-
31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
-
29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
-
28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
-
26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
-
26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
-
25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
-
25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
-
31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
-
2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
-
2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
-
2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
-
31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
-
n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
-
5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
-
5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
-
5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
-
5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
-
Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
-
31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
-
25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
-
28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
-
28a-YK-9 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴II
-
2p-YJ-11 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴
-
6a-E-5 CdTeの光検知サイクロトロン共鳴
-
Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.II : サイクロトロン共鳴の温度依存性
-
Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.I : PLおよび励起子吸収とサイクロトロン共鳴の関係
-
30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
-
29p-X-14 SiCの光呼吸
-
28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
-
17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
-
24aRC-6 鉄系超伝導体FeSeのバルク敏感光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
-
Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
-
Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
-
3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
-
1p-Y-9 ポーラスシリコンの光吸収と発光の励起スペクトル
-
27a-Z-4 ポーラスシリコンの発光の時間分解測定
-
3a-M-2 GaAs中のドナー・ゼーマン吸収と非金属-金属転移
-
28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
-
3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
-
24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
-
5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
-
28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
-
31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
-
化合物半導体における遠赤外光電磁効果
-
28p-S-10 ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収II
-
ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
-
28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
-
8a-J-9 GeI_4薄膜結晶における励起子
-
31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
-
28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
-
27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
-
28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
-
3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
-
30p-X-6 ZnSe薄膜におけるドナーの遠赤外吸収
-
中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
-
3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
-
Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
-
30p-YN-12 高い補償比をもつ半導体の不純物吸収に関する実験と計算機シミュレーション
-
5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
-
31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
-
半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱
-
30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
-
30p-X-1 InPにおける遠赤外磁気光吸収 II
-
30p-YN-10 InPにおける遠赤外磁気光吸収の量子振動
-
28p-G-11 高濃度変調ドープGaAs-AlAs短周期超格子の遠赤外磁気光吸収
-
28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
-
14a-K-11 GaAs-AlAs短周期超格子中のDXセンターによる永久光伝導
-
4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
-
31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
-
5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
-
5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
-
5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
-
5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
-
4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
-
21pPSA-28 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
24pPSA-9 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光II(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
-
6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
-
24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク