30p-YN-10 InPにおける遠赤外磁気光吸収の量子振動

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-03-16

著者

• 小堀 裕己

  甲南大理工

• 小堀 裕己

  甲南大理工:甲南大量子ナノテク研

• 小堀 裕己

  阪大理学部

• 大山 忠司

  阪大理学部

関連論文

• 21aHK-2 ホーランダイト型バナジウム酸化物のバルク電子状態(21aHK 光電子分光(超伝導・磁性・強相関系)・MCD・X線発光,領域5(光物性))
• 27aPS-8 FeSeの軟X線光電子分光II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aTL-9 FeSeの軟X線光電子分光(27aTL 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
• 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
• 17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
• 30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
• 30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
• 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
• 27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
• 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
• 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
• 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
• 22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
• 22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
• 半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
• 26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
• 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
• 25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
• 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
• 31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
• 31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
• 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
• 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
• 26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
• 26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
• 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
• 25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
• 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
• 2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
• 2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
• 2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
• 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
• n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
• 5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
• 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
• 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
• 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
• 17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
• 24aRC-6 鉄系超伝導体FeSeのバルク敏感光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
• 3a-M-2 GaAs中のドナー・ゼーマン吸収と非金属-金属転移
• 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
• 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
• 5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
• 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
• 31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
• 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
• 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
• 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
• 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
• 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
• 5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
• 31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
• 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱
• 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
• 30p-X-1 InPにおける遠赤外磁気光吸収 II
• 30p-YN-10 InPにおける遠赤外磁気光吸収の量子振動
• 28p-G-11 高濃度変調ドープGaAs-AlAs短周期超格子の遠赤外磁気光吸収
• 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
• 14a-K-11 GaAs-AlAs短周期超格子中のDXセンターによる永久光伝導
• 4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
• 31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
• 5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
• 5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
• 5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
• 5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
• 4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
• 光励起反絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックスII
• 3a-M-3 光励起半絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックス
• 21pPSA-28 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24pPSA-9 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光II(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
• 24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク