n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
- 物性研究刊行会の論文
- 1997-12-20
著者
関連論文
- 21aHK-2 ホーランダイト型バナジウム酸化物のバルク電子状態(21aHK 光電子分光(超伝導・磁性・強相関系)・MCD・X線発光,領域5(光物性))
- 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-13 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子の弱反局在の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aPS-8 FeSeの軟X線光電子分光II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aTL-9 FeSeの軟X線光電子分光(27aTL 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
- 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
- 17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
- 30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
- 30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
- 22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
- 半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
- 26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
- 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
- 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
- 26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
- 26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
- 2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
- 2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
- 5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
- 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 19aYJ-1 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス
- 28pTB-4 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸の磁気ルミネッセンス
- 29PYA-8 ZnO薄膜中の励起子の発光
- 17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
- 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
- 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
- 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
- 28pYF-10 GaAs/AlGaAsおよびInGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス(量子井戸・超格子)(領域4)
- 20pTH-14 GaAs/AlGaAs および InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス
- 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
- 24aRC-6 鉄系超伝導体FeSeのバルク敏感光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
- 21aYC-6 微小重力下で成長させた Ge のサイクロトロン共鳴と X 線解析
- 3a-M-2 GaAs中のドナー・ゼーマン吸収と非金属-金属転移
- 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
- 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
- 31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
- 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
- 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
- 27aXP-7 人工オパールの光散乱と反射(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 27pXP-7 人工オパールの光散乱と反射(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
- 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
- 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 31a-ZF-10 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合における遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- 26a-YE-6 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子系におけるODCRII
- 2a-YJ-2 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の低次元電子系におけるODCR
- 5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
- 31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
- 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱
- 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
- 30p-X-1 InPにおける遠赤外磁気光吸収 II
- 30p-YN-10 InPにおける遠赤外磁気光吸収の量子振動
- 28p-G-11 高濃度変調ドープGaAs-AlAs短周期超格子の遠赤外磁気光吸収
- 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
- 14a-K-11 GaAs-AlAs短周期超格子中のDXセンターによる永久光伝導
- 4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
- 31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
- 5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
- 5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
- 5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
- 5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
- 4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
- 26aPS-88 スズドープ酸化インジウム(ITO)ナノ粒子薄膜の電気伝導特性と磁気抵抗効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-28 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pPSA-9 TlFe_2Se_2のバルク敏感光電子分光II(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))