25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 音 賢一

  千葉大理

• 藤井 研一

  阪大院理

• 大山 忠司

  阪大院理

• 大山 忠司

  福井工大

• 邑瀬 和生

  阪大院理

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 音 賢一

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院理

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 蒲生 健次

  阪大院基礎工

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 若家 冨士男

  Osaka Univ. Osaka

• 蒲生 健次

  大阪大 基礎工

• 蒲生 健二

  阪大基礎工

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部

• Murase K

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• Murase Kazuo

  Department Of Physics Osaka University

• Kazuo Murase

  Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University

• Murase K

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• MURASE Kazuo

  Department of Physics, Osaka University

• 蒲生 健次

  阪大

関連論文

• 21pGQ-5 ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
• 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
• 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
• 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
• 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
• 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 23pYJ-11 ZnSe/BeTe量子井戸における光励起蓄積キャリアの電場効果(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
• 28pPSB-15 ポッケルス効果による量子ホール状態の電位分布イメージング(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
• 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 19aTA-4 Ge中のTeの赤外光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pPSB-7 ZnSe双晶界面の2次元電子の光学・伝導特性(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-5 2次元電子発光の励起スペクトルに現れるshake-up process(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-13 不純物共鳴吸収による微小重力下成長Ge:Sbの結晶性評価(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-12 Si:テラヘルツレーザーの励起スペクトル(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-13 ZnSe双晶界面における自然形成2次元電子の輸送特性 : GaAs/AlGaAsヘテロ構造との比較(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-4 発光励起スペクトルによる GaAs/AlGaAs ヘテロ接合試料のバンドオフセットの決定(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 映像による物理学実験説明の試み
• 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
• 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
• ドットおよびリング配列構造の遠赤外磁気光吸収
• 29aPS-124 量子リングの高周波応答
• 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
• 29aPS-124 量子リングの高周波応答
• 19aYJ-1 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス
• 28pTB-4 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸の磁気ルミネッセンス
• 25pYB-10 反射型時間領域分光でみる高温超伝導体のミリ波領域光学スペクトル(25pYB 高温超伝導(輸送現象),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aTA-3 低磁場下におけるInGaAs/InAlAsヘテロ接合のマイクロ波光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-5 ボロンをイオン注入したシリコンの近赤外発光メカニズム(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aPS-38 反射型時間領域分光法による高温超伝導体のミリ波領域電荷応答測定(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aZR-12 反射型時間領域分光法による高温超伝導体のミリ波領域スペクトル測定(24aZR 高温超伝導(輸送現象・光学応答2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSA-11 THz光伝導における二次元電子サイクロトロン共鳴線の周波数依存性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSB-12 量子リングの伝導特性に対するマイクロ波誘起現象(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pWF-4 サイクロトロン共鳴測定によるRashba分裂の観測(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYC-9 InGaAs/InAlAsおよびGaAs/AlGaAsヘテロ接合におけるマイクロ波誘起磁気振動(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-14 半導体量子リングの磁気抵抗に現れる局在電子効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子への赤外光照射効果(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13aXE-8 映像による物理学実験説明の試み(物理教育 : 教育方法・実践, 領域 13)
• 14pYB-7 ZnSe 双晶界面に閉じ込められた電子の輸送特性(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 12pYC-2 単一量子リング中の電子のマイクロ波および遠赤外光応答(量子細線, 領域 4)
• 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
• 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
• 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
• 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 20pWB-4 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の磁気発光特性
• 25pWB-14 CdZnTe/CdZnMnTe量子井戸における極低温下でのスピン共鳴のソフトニング(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 第2章 やりなおし物理学実験 ノイズと測定誤差の補正方法 (特集 現実の事象を回路やソフトウェアで処理するための必須の技術 技術者のためのデータ計測)
• 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
• Monte Carlo Simulation of Generations of Continuous and Characteristic X-Rays by Electron Impact
• 25pPSB-65 ナノファイバー上に成長させたSWNTの単分子計測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
• Chemical State and Refractive Index of Mg-Ion-Implanted Silica Glass
• 31a-ZF-10 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合における遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
• 26a-YE-6 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子系におけるODCRII
• 2a-YJ-2 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の低次元電子系におけるODCR
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
• 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
• 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
• 22pPSA-40 タイプ II 超格子 ZnSe/BeTe における光学的性質
• 13pPSA-23 希薄磁性半導体多重量子井戸 CdTe/CdMnTe における磁気光学ダイナミクス(領域 5)
• 20aWB-4 希薄磁性半導体量子井戸 CdTe/CdMnTe における励起子複合状態の四光波混合特性
• 28aPS-78 希薄磁性半導体CdZnTe/CdZnMnTeにおけるスピンフリップラマン散乱(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-45 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける非線形増大発光と時間分解円二色性 III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 14aYC-4 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における非線形増大発光と時間分解磁気円二色性 II(磁性半導体, 領域 4)
• 27aXB-2 線幅に比例しない量子ホール・ブレークダウンと電流分布(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-31 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における新たな磁気ポーラロン遷移; bi-exciton magnetic polaron?
• 25pPSA-9 スポット光励起下の量子ホール状態の臨界電流測定による電流分布イメージング(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-6 GaAs/AlGaAs系の磁気キャパシタンス測定によるポテンシャル揺らぎの評価(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク