30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 藤井 研一

  阪大院理

• 大山 忠司

  阪大院理

• 吉澤 剛

  阪大院理

• 邑瀬 和生

  阪大院理

• 音 賢一

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院理

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 蒲生 健次

  阪大院基礎工

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 若家 冨士男

  Osaka Univ. Osaka

• 蒲生 健二

  阪大基礎工

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• Kazuo Murase

  Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University

• Murase K

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• MURASE Kazuo

  Department of Physics, Osaka University

関連論文

• 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
• 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
• 17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
• 30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
• 30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
• 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
• 27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
• 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
• 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
• 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
• 22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
• 22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
• 半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
• 26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
• 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
• 25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
• 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
• 31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
• 31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
• 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
• 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
• 26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
• 26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
• 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
• 25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
• 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
• 2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
• 2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
• 2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
• 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
• n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
• 5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
• 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
• 19aTA-4 Ge中のTeの赤外光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pPSB-7 ZnSe双晶界面の2次元電子の光学・伝導特性(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-5 2次元電子発光の励起スペクトルに現れるshake-up process(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-13 不純物共鳴吸収による微小重力下成長Ge:Sbの結晶性評価(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-12 Si:テラヘルツレーザーの励起スペクトル(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-13 ZnSe双晶界面における自然形成2次元電子の輸送特性 : GaAs/AlGaAsヘテロ構造との比較(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-4 発光励起スペクトルによる GaAs/AlGaAs ヘテロ接合試料のバンドオフセットの決定(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 映像による物理学実験説明の試み
• 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
• 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
• ドットおよびリング配列構造の遠赤外磁気光吸収
• 29aPS-124 量子リングの高周波応答
• 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
• 29aPS-124 量子リングの高周波応答
• 19aYJ-1 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス
• 28pTB-4 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸の磁気ルミネッセンス
• 25pYB-10 反射型時間領域分光でみる高温超伝導体のミリ波領域光学スペクトル(25pYB 高温超伝導(輸送現象),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aTA-3 低磁場下におけるInGaAs/InAlAsヘテロ接合のマイクロ波光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-5 ボロンをイオン注入したシリコンの近赤外発光メカニズム(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aPS-38 反射型時間領域分光法による高温超伝導体のミリ波領域電荷応答測定(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aZR-12 反射型時間領域分光法による高温超伝導体のミリ波領域スペクトル測定(24aZR 高温超伝導(輸送現象・光学応答2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSA-11 THz光伝導における二次元電子サイクロトロン共鳴線の周波数依存性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSB-12 量子リングの伝導特性に対するマイクロ波誘起現象(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pWF-4 サイクロトロン共鳴測定によるRashba分裂の観測(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYC-9 InGaAs/InAlAsおよびGaAs/AlGaAsヘテロ接合におけるマイクロ波誘起磁気振動(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-14 半導体量子リングの磁気抵抗に現れる局在電子効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子への赤外光照射効果(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13aXE-8 映像による物理学実験説明の試み(物理教育 : 教育方法・実践, 領域 13)
• 14pYB-7 ZnSe 双晶界面に閉じ込められた電子の輸送特性(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 12pYC-2 単一量子リング中の電子のマイクロ波および遠赤外光応答(量子細線, 領域 4)
• 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
• 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
• 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
• 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
• 第2章 やりなおし物理学実験 ノイズと測定誤差の補正方法 (特集 現実の事象を回路やソフトウェアで処理するための必須の技術 技術者のためのデータ計測)
• Monte Carlo Simulation of Generations of Continuous and Characteristic X-Rays by Electron Impact
• 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
• Chemical State and Refractive Index of Mg-Ion-Implanted Silica Glass
• 31a-ZF-10 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合における遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
• 26a-YE-6 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子系におけるODCRII
• 2a-YJ-2 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の低次元電子系におけるODCR
• 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
• Mask Error Factor in Proximity X-Ray Lithography
• Thermal Diffusivity Measurement of Chemical-Vapor-Deposited Diamond by an AC Calorimetric Method
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 24pL-5 GaAs中の2層2次元電子系の磁気ルミネッセンス
• 2a-YJ-6 イオン化不純物に基づく不純物吸収線の不均一拡がりII
• 5p-A-3 イオン化不純物に基づく不純物共鳴線の不均一拡がり
• 31a-E-5 光励起半絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックスIII
• 30p-ZE-12 GaAs/AlGaAs-2次元電子系におけるマイクロ波ファラデー回転
• 6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
• 6pSL-2 Ge:Teの赤外発光と赤外光伝導(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
• 6pSB-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成III(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
• 24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク