邑瀬 和生 | 阪大院理

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概要

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• 阪大院理の論文著者

関連著者

• 邑瀬 和生

  阪大院理

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 音 賢一

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院理

• Murase K

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• Kazuo Murase

  Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University

• MURASE Kazuo

  Department of Physics, Osaka University

• Murase Kazuo

  Department Of Physics Osaka University

• 邑瀬 和生

  大阪大学大学院理学研究科

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部

• Murase K

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• 王 勇

  阪大院理

• 音 賢一

  千葉大理

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• 王 勇

  阪大工

• 邑瀬 和生

  阪大・理

• 若家 冨士男

  Osaka Univ. Osaka

• Murase Kazuo

  Department Of Applied Physics Osaka City University

• 松田 理

  北大工

• 松田 理

  阪大・理

• 蒲生 健次

  阪大院基礎工

• 蒲生 健二

  阪大基礎工

• 藤井 研一

  阪大院理

• 中岡 俊裕

  阪大院理

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 新井 宏一郎

  阪大院理

• 新井 宏一郎

  Crest-jst:erato-jst

• 大山 忠司

  阪大院理

• 中村 充孝

  J-PARCセンター

• 井上 恒一

  阪大産研

• 松田 理

  阪大院理

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 井上 恒一

  大阪大学産業科学研究所

• 吉澤 剛

  阪大院理

• 中村 充孝

  阪大院理

• 大山 忠司

  福井工大

• 佐貫 朋也

  阪大院理

• 中村 和夫

  東工大総理工 : Nec基礎研

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学

• 音 賢一

  大阪大学大学院理学研究科

• 鷹岡 貞夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 二瓶 史行

  NEC基礎研

• 宇野 滋雄

  阪大院理

• 中村 和夫

  NEC基礎研

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 鈴村 竜広

  阪大院理

• 二瓶 史行

  Nec基礎・環境研究所

• Nihey F

  Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn

• Nihey Fumiyuki

  Nec Fundamental Research Laboratories

• 二瓶 史行

  技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 中村 正樹

  阪大院理

• 栗山 哲

  阪大院理

• 松林 知也

  阪大院理

• 下村 哲

  阪大院基礎工

• 冷水 佐壽

  阪大院基礎工

• 蒲生 健次

  大阪大 基礎工

• Fujii K

  Osaka Univ. Osaka

• Fujii Ken-ichi

  Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University

• L Smrcka

  Academy of Science of the Czech Republic

• SMRCKA L.

  Academy of Science of the Czech Republic

• 大塚 和宜

  阪大院理

• 蒲生 健次

  阪大

• 佐野 泰弘

  大阪大学大学院理学研究科

• 大山 忠司

  大阪大学大学院 理学研究科

• 藤井 研一

  大阪大学大学院理学研究科

• 蒲生 健次

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 斉藤 裕一

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大・院理・物理

• 音 賢一

  阪大・院理・物理

• 邑瀬 和生

  阪大・院理・物理

• 山縣 浩作

  阪大院理

• 中村 正樹

  電通大量子・物質工

• 石田 裕規

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• 邑瀬 和生

  阪大

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセ

• 櫻井 雅樹

  東北大金研

• 山室 修

  東京大学物性研究所

• 山室 修

  阪大院理

• 大山 忠司

  大阪大学大学院理学研究科

• 松尾 隆祐

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• 田中 耕平

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• 村上 俊介

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• 村上 弘剛

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• 中村 光孝

  高工研

• 二瓶 史行

  NEC 基礎研

• 中村 和夫

  NEC 基礎研

• 澁谷 幸司

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• 松本 和彦

  産業技術総合研究所

• 田中 崇敏

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• 半沢 弘昌

  阪大基礎工

• 松本 和彦

  電子技術総合研究所

• 音 賢一

  阪大院・理

• 半沢 弘昌

  阪大院基礎工

• 松本 和彦

  産業技術総合研

• 下村 哲

  阪大基礎工

• 冷水 佐壽

  阪大基礎工

• 林 真臣

  北陸先端大材料

• 駒峯 達也

  阪大院理

• Chaudhri S

  Indian Association For The Cultivation Os Science

• 相川 尚穂

  阪大院理

• 谷本 真士

  阪大院理

• 古澤 剛

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院・理

• 邑瀬 和生

  阪大院・理

• 谷本 真二

  阪大院・理

• 林 真臣

  北陸先端大

• 山田 省二

  北陸先端大、新素材センター

• Pilgrim W-C.

  マーブル大

• 細川 伸也

  マーブル大

• Berar J-F.

  Grad. Sch. of Scl., Osaka Univ

• 大畑 恵美

  阪大院理

• 山田 省二

  北陸先端大

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著作論文

• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
• 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
• 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
• 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
• 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
• 29a-S-8 g-Ge_xSe_ガラス転移における構造緩和
• 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
• 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
• 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
• 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
• 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
• 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
• 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 25pL-9 アモルファスSi/SiO_2多層膜のa-Siのラマン散乱
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 29p-ZF-5 アモルファスGeSe_2薄膜のフォトルミネッセンス
• 26p-YE-12 Ge-(Se,S)系ガラスにおける硬さのパーコレーション
• 26p-YE-11 Ge-S-Se三元系ガラスにおけるカルコゲン原子の選択的サイト占有
• 26p-YE-5 結晶GeSe_2の時間分解フォトルミネッセンス
• 31p-YJ-5 g-Ge_xSe_の低エネルギーラマンスペクトルの温度依存性
• 31p-YJ-4 Ge(S_xSe_)_2ガラスの四面体間相互作用
• 31p-YJ-3 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 温度依存性
• 31p-YJ-2 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 励起エネルギー依存性
• 6p-YL-10 Ge_xSe_ガラスにおける低振動数モードと硬さのパーコレーションとの相関性
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
• 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
• 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
• 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
• 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
• 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
• 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
• 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
• 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
• 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
• 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
• 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
• 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
• 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
• 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
• 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• 25pZ-12 カルコパイライト半導体薄膜のラマンスペクトル
• 24pD-6 エッジチャネル間の電気容量測定と問題点
• 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
• 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
• 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
• 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
• 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
• 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
• 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
• 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
• 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
• 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
• 24pD-9 斜め磁場下の量子ホール状態での電気容量
• 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
• 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
• 平行強磁場下の2次元電子系におけるバリスティック電気伝導
• 分数量子ホール効果におけるエッジチャネル
• 低温・強磁場下の電気容量測定
• 26pYB-1 Stiffness Transitionにおける Ge_xSe_ガラスの振動モードの異変(26pYB 過冷却液体・ガラス,領域12(高分子・液晶,化学物理,生物物理分野))
• 26pYB-2 Ge-SeガラスのX線異常散乱(26pYB 過冷却液体・ガラス,領域12(高分子・液晶,化学物理,生物物理分野))

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