山田 省二 | 北陸先端大
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概要
関連著者
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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堀 秀信
北陸先端大
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菊谷 友志
北陸先端大・材料
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山田 省二
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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牛頭 信一郎
NICT
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
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洪 哲雲
北陸先端大 材料
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古沢 昌宏
北陸先端大・材料
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
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沖 明夫
北陸先端大材料
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菊谷 友志
北陸先端大材料
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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青木 伸之
北陸先端大材料
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沖 明男
北陸先端大・材料
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稲田 貢
(独)情報通信研究機構関西先端研究センター
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稲田 貢
北陸先端大 材料
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布村 紀男
北陸先端大・材料
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日高 志郎
北陸先端大ナノセンター
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沖 明男
北陸先端大材料
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戸名 正英
神戸大学理学研究科
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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清野 宜秀
立命館大理工
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寺西 利治
北陸先端大
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清野 宜秀
北陸先端大・材料
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三宅 幹夫
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology
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三宅 幹夫
北陸先端大
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堀 秀信
北陸先端大・材料
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三宅 幹夫
School Of Materials Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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午頭 信一郎
北陸先端大材料
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戸名 正英
北陸先端大材料
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今中 康貴
物材機構
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山本 良之
北陸先端大材料
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佐藤 祐喜
Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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松尾 晶
北陸先端大材料
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山本 良之
北陸先端科学技術大学院大学・マテリアルサイエンス研究科
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山本 良之
JAIST
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高増 正
物材機構
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新田 峻介
北陸先端大ナノセ
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岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセンター
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掛川 智康
北陸先端大ナノセンター
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佐藤 祐喜
北陸先端大材料
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新田 峻介
北陸先端大ナノセンター
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大山 忠司
阪大院理
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大山 忠司
福井工大
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近藤 太郎
北陸先端大ナノセンター
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寺西 利治
筑波大院数理物理科学研究科化学専攻
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北 智洋
東北大通研
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佐々木 敬彦
Atr波動工学研究所
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福原 圭三
北陸先端大
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清水 克則
北陸先端大
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森本 幸作
北陸先端大ナノセンター
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韋 威
北陸先端大ナノセンター
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藤井 研一
阪大院理
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佐々木 敬彦
千葉大VBL
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佐々木 敬彦
北陸先端大
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
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鈴木 寿一
北陸先端大ナノセンター
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北 智洋
北陸先端大材料
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
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Fujii K
Osaka Univ. Osaka
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Fujii Ken-ichi
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
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山田 省二
北陸先端大材料
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三浦 尊裕
北陸先端大・材料
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牛頭 信一郎
CREST
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三浦 尊裕
北陸先端大材料
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小松 拓也
北陸先端大・材料
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今中 康貴
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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高増 正
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
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野尻 浩之
東北大金研
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佐々木 孝彦
東北大金研
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本河 光博
東北大金研
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瀧 真
北陸先端大
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佐藤 拓
JAIST
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佐藤 拓
北陸先端大ナノセンター
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瀧 真
北陸先端大材料
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亀井 邦彦
北陸先端大材料
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板屋 慎一
北陸先端大材料
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宮田 啓輔
阪大院理
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中榮 穣
北陸先端大材料
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清水 克則
北陸先端大材料
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古沢 昌弘
北陸先端大
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小林 典男
東北大金研
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青木 伸之
千葉大工
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小林 政弘
北陸先端大材料
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栗栖 牧夫
北陸先端大
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安藤 由和
鳥取大地域
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栗栖 牧生
北陸先端大
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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本河 光博
東北大金研強磁場セ
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本河 光博
東北大金研 & Crest-jst
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Choi H.
北陸先端大ナノセンター
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浅井 裕充
Ntt光エレクトロニクス研究所
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山本 研吾
北陸先端大・材料
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深瀬 哲郎
東北大金研
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本河 光博
東北大・金研
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佐藤 裕喜
北陸先端大材料
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山本 眞史
Ntt Lsi研究所
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野尻 浩之
東北大・金研
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森下 剛
北陸先端大(jaist)・材料
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中榮 穣
北陸先端大・材料
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土岐 和隆
北陸先端大・材料
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村上 剛史
阪大院理
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中田 博保
大教大教養
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戸名 正英
高知工科大学
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崔 賢光
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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川合 泰弘
北陸先端大材料
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Haque Syed
北陸先端大・材料
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林 真臣
北陸先端大材料
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崔 賢光
北陸先端大ナノセンター
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Haque Syed
北陸先端大 材料
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中榮 譲
北陸先端大・材料
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影本 昇
北陸先端大
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古澤 昌宏
北陸先端大・材料
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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影本 昇
北陸先端大・材料
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片山 智之
北陸先端大ナノセンター
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林 真臣
北陸先端大
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金道 浩一
東大物性研
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小堀 裕己
甲南大理工
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松尾 晶
東大物性研
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竹端 寛治
物材機構
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落合 勇一
千葉大工
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木田 理夫
千葉大院融合
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森本 崇宏
千葉大学融合
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バード J.P.
筑波大物質工
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西嵜 照和
東北大金研
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金道 浩一
阪大極限セ
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鈴木 正人
大阪市立大学大学院理学研究科
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森本 崇宏
千葉大工
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椿 謙二
千葉大工
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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米山 直樹
東北大金研
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新田 俊介
北陸先端大ナノセ
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鈴木 正人
阪大院理
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小堀 裕己
阪大院理
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掛谷 一弘
阪大極限セ
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左近 拓男
東北大金研
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Guzenko V.
ユーリッヒ研
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Choi Hyonkwan
北陸先端大ナノセンター
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橘田 芳仁
北陸先端大ナノセンター
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則内 崇
北陸先端大ナノテクセンター
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光藤 誠太郎
東北大金研
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木戸 義勇
金材技研
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片山 信一
北陸先端大材料
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木戸 義勇
金属材料技術研究所
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安藤 由和
鳥取大教育
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堀 秀信
北陸先端科学技術大学院大学・マテリアルサイエンス研究科
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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小山 佳一
東北大・金研
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邑瀬 和生
阪大院理
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海老名 功
北陸先端大材料
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左近 拓男
東北大・金研
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金道 浩
物性研
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音 賢一
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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安藤 由和
鳥取大・教育
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掛谷 一弘
阪大・極限セ
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金道 浩一
阪大・極限セ
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邑瀬 和生
大阪教養
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蒲生 健次
阪大院基礎工
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木田 理夫
千葉大工
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中榮 穰
北陸先端大・材料
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鈴木 克繁
北陸先端大ナノテクセンター
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牛頭 信一郎
理研
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鈴村 竜広
阪大院理
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河村 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
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岡安 潤一
アドバンテスト(株)
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猪狩 貴寛
北陸先端大材料
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Haque S.A.
北陸先端大材料
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加賀 史紀
北陸先端大材料
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森上 陽子
阪大院理
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内藤 良太
千葉大自然科学研究科
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内藤 良太
千葉大工
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逸見 美佐子
千葉大工
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Bird J.
New York州立大
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Puller V.
Stevens工大
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Mourokh L.
Stevens工大
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小矢野 幹男
北陸先端大
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前沢 宏一
NTT LSI研究所
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若家 冨士男
Osaka Univ. Osaka
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蒲生 健二
阪大基礎工
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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Puller V.
スティーブンス工科大
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片山 信一
北陸先端大材
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清野 宣秀
北陸先端大・材料
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古澤 昌弘
北陸先端大・材料
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部電気工学科
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Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
-
戸嶋 直樹
北陸先端大(jaist)・材料
-
J.p. バード
理研
-
哲雲 洪
北陸先端大材料
-
山森 雄介
北陸先端大 材料
-
元河 光博
東北大金研
-
Mourokh L.
スティーブンス工科大
-
Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
青木 神之
北陸先端大
-
中栄 譲
北陸先端大・材料
著作論文
- 23aHW-5 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-3 ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-6 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXG-5 Rashba効果を示すInGaAs/InAlAs 2次元電子ガスの強磁場下磁気抵抗(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYS-2 In_Ga_As/In_Al_As2次元電子ガスにおけるスピン分裂の磁場依存性
- 27aYS-1 NiFe-In_ Ga_ As/In_ Al_ As界面におけるスピン注入
- 23pSA-1 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系のスピン分裂におけるヘテロ界面依存性
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
- 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
- GdNiSnの磁場誘気起相転移と磁気抵抗
- 27pYB-10 Pt超微粒子の粒径依存ESR
- 27pYB-9 ESRによるナノ微粒子Pd/Niの表面と内部の磁性研究
- 22pYD-1 Pt微粒子のESR
- 22pYB-12 白金微粒子の磁化の粒径依存性
- 21aYC-7 狭ギャップヘテロ接合2次元電子ガスチャネルにおけるRashbaスピン軌道相互作用のサイドゲート制御(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-8 NiFe/InGaAs 接合を有する二端子素子のスピン伝導特性(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 20pTL-4 InAs/In_Al_As 変調ドープヘテロ構造を利用した NiFe/2DEG 接合のスピン伝導特性
- 20pTL-3 高 In 組成 InGaAs/InAlAs 拡散的細線における Rashba effect
- 28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 31a-N-5 微小ホールをもつ量子細線におけるコンダクタンススイッチング
- 31a-N-5 微小ホールをもつ量子細線におけるコンダクタンススイッチング
- GalnAs/AllnAs系超格子の縦方向量子輸送における磁気トンネリングと電界ドメイン
- 31a-YL-3 GaInAs/AlInAs量子井戸構造におけるI-V特性と磁気トンネリング
- 22pYB-7 GaAs基板上Ni細線のESR測定
- 22aYB-9 Ni/GaAs薄膜のホール抵抗と磁気抵抗
- 25pSB-5 狭バンドギャップ非対称量子井戸層をもつ共鳴トンネル構造における零磁場スピン分裂の観測
- 23pL-9 In_Ga_Asを量子井戸層に用いた共鳴トンネル構造におけるスピン分離の観測 II
- 23pE-14 GaAs基板上Ni細線のESR測定と磁化測定
- 23pE-13 Ni/GaAsにおける飽和磁気モーメントの温度依存性
- 30p-ZF-5 Ni/InGaAsハイブリッド微細構造の輸送特性
- 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
- 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
- 7a-N-12 GaAs/Ge二重障壁接合における正孔の低温伝導特性
- 7a-N-6 磁性ドット埋め込み構造の磁気力顕微鏡(MFM)解析及び、電気伝導特性
- 28pYF-10 GaAs/AlGaAsおよびInGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス(量子井戸・超格子)(領域4)
- 20pTH-14 GaAs/AlGaAs および InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス
- 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
- 26a-YE-3 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスのスピン分裂
- 26a-YE-2 高In組成In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ構造2次元
- 26aWQ-6 InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-8 大きいスピン軌道相互作用を示す高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスの異方的面内伝導(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-7 高In組成InGaAs/IhAlAs逆ヘテロ接合におけるRashba効果のInAlAs cap依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-6 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 8a-S-2 MBE成長non-dope GaAs薄膜の不純物と補償比の評価
- 30p-X-8 AlAs量子井戸中Xバンド電子の永続光電流と量子ホール効果
- 30p-R-7 GaInAs/AlInAs多重量子井戸縦方向I-V特性への磁場効果
- 26p-YJ-8 超微粒子磁性体Pdの磁化測定
- 28a-PS-114 GaAs基板上Ni薄膜の準1次元、2次元磁性体
- 26p-YJ-7 GaAs基板上Ni細線のMFM観察
- 31p-Z-12 半導体上微小磁性体の観察と磁気伝導II
- 31p-Z-11 Niドットを蒸着したGaAs表面磁気伝導特性
- 7a-YG-10 半導体上微小磁性体の観察と磁気伝導
- 7a-N-6 磁性ドット埋め込み構造の磁気力顕微鏡(MFM)解析及び、電気伝導特性
- 31a-Q-8 超微細構造を持つFETの磁性と磁気伝導
- 磁性量子ドットをもつ細線の伝導特性II
- マイクロ細線の磁気伝導特性
- 磁性量子ドットをもつ細線の伝導特性II
- 29p-J-9 GaAs基板上強磁性細線の磁気ドメインと磁気抵抗効果
- 31p-Y-14 合金超微粒子Pd/Niの電子スピン共鳴
- 2a-YE-9 金属超微粒子Pd/Ni系の非線形電子スピン共鳴
- 8a-YG-13 EuTe/Ni複合膜の成膜条件と磁気伝導
- 6a-YK-11 TbNiSn単結晶のメタ磁性転移と巨大磁気抵抗効果
- 30p-Q-1 NSNトンネル接合の量子輸送II
- 28p-P-11 GdNiSn単結晶の磁場誘起相転移と磁気抵抗効果
- 21pWF-1 Rashbaスピン工学への実験的アプローチ(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYS-9 ゼロ磁場スピン分裂を示す2次元電子系における非局所伝導
- 29pYS-9 ゼロ磁場スピン分裂を示す2次元電子系における非局所伝導
- 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
- 24pYQ-13 Pd, Au微粒子のスピン偏極と相関
- 25aZJ-13 有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の局所磁化測定
- 24aYP-13 有機超伝導体k-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の磁束融解転移
- 25a-YG-10 Ge/(Al)GaAsヘテロバレント二重障壁接合の伝導特性
- 25a-YG-10 Ge/(Al)GaAsヘテロバレント二重障壁接合の伝導特性
- 7a-N-12 GaAs/Ge二重障壁接合における正孔の低温伝導特性
- マイクロ細線の磁気伝導特性
- 8a-YG-2 Pd/Ni超微粒子合金の電子状態と磁性
- 1a-E-10 磁性量子ドットをもつ細線の伝導特性
- 31a-YA-5 磁性細線の電気抵抗測定
- 22aG-6 ESR観測によるナノ微粒子磁性起源の研究
- 超電導ドットを持つ量子細線の作成と伝導特性
- 磁性ドットをもつ量子細線の作製と伝導特性
- 微細磁気回路をもつ量子細線の作製と伝導特性
- 28p-D-5 Pd及びPd/3d-metal合金超微粒子の電子スピン共鳴
- 26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-8 CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-7 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-10 InGaAs 2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-9 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-7 非局所配置によるInGaAs-二次元電子系へのスピン注入検証(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-9 強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-1 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-6 GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-3 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-2 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXL-6 Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXL-7 高In組成InGaAs2次元電子2層系のサブバンド輸送特性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31a-YA-5 磁性細線の電気抵抗測定(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
- 1a-E-10 磁性量子ドットをもつ細線の伝導特性(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
- 2p-YH-11 NSNトンネル接合の量子輸送(2pYH 低温(超伝導ハイブリッド構造),低温)
- 25pPSA-15 InGaAs/InAlAs量子井戸中強相関2次元電子系の磁気偏極(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 28aAW-11 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴II(28aAW 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aAW-7 InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSA-3 電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))