牛頭 信一朗 | 北陸先端大
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概要
関連著者
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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牛頭 信一郎
NICT
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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山田 省二
北陸先端大
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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菊谷 友志
北陸先端大材料
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菊谷 友志
北陸先端大・材料
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菊谷 友志
北陸先端大
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午頭 信一郎
北陸先端大材料
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佐藤 祐喜
Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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堀 秀信
北陸先端大
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佐藤 祐喜
北陸先端大材料
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佐藤 祐喜
北陸先端大、新素材センター
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大山 忠司
阪大院理
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大山 忠司
福井工大
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藤井 研一
阪大院理
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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Fujii K
Osaka Univ. Osaka
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Fujii Ken-ichi
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
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北 智洋
北陸先端大材料
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北 智洋
東北大通研
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北 智洋
北陸先端大、新素材センター
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牛頭 信一郎
CREST
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戸名 正英
神戸大学理学研究科
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宮田 啓輔
阪大院理
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洪 哲雲
北陸先端大 材料
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洪 哲雲
北陸先端大
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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古沢 昌宏
北陸先端大・材料
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佐藤 裕喜
北陸先端大材料
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村上 剛史
阪大院理
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中田 博保
大教大教養
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戸名 正英
高知工科大学
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松尾 晶
北陸先端大材料
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清野 宜秀
北陸先端大・材料
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青木 伸之
北陸先端大材料
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清野 宜秀
立命館大理工
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戸名 正英
高知工科大
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青木 伸之
北陸先端大
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古沢 昌宏
北陸先端大
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小堀 裕己
甲南大理工
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青木 伸之
千葉大工
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鈴木 正人
大阪市立大学大学院理学研究科
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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鈴木 正人
阪大院理
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小堀 裕己
阪大院理
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佐々木 敬彦
千葉大VBL
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佐々木 敬彦
北陸先端大
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瀧 真
北陸先端大
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山田 省二
JAIST
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掛川 智康
北陸先端大ナノセンター
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山田 省二
北陸先端大ナノセンター
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片山 信一
北陸先端大材料
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海老名 功
北陸先端大材料
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稲田 貢
(独)情報通信研究機構関西先端研究センター
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藤井 研一
大工大情報科学
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瀧 真
北陸先端大材料
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藤井 研一
阪大理
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赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
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牛頭 信一郎
理研
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大西 浩介
阪大院理
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八柄 篤司
阪大院理
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岡安 潤一
アドバンテスト(株)
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稲田 貢
北陸先端大 材料
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戸名 正英
北陸先端大材料
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佐々木 敬彦
Atr波動工学研究所
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森上 陽子
阪大院理
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林 真臣
北陸先端大材料
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小矢野 幹男
北陸先端大
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片山 信一
北陸先端大材
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影本 昇
北陸先端大
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小松 拓也
北陸先端大・材料
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Fujii Kentarou
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Osaka University
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影本 昇
北陸先端大・材料
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林 真臣
北陸先端大
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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小松 拓也
北陸先端大 材料
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
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片山 信一
北陸先端大
著作論文
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 27aYS-2 In_Ga_As/In_Al_As2次元電子ガスにおけるスピン分裂の磁場依存性
- 27aYS-1 NiFe-In_ Ga_ As/In_ Al_ As界面におけるスピン注入
- 23pSA-1 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系のスピン分裂におけるヘテロ界面依存性
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
- 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
- 28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 21aYC-9 InGaAs/InAlAsおよびGaAs/AlGaAsヘテロ接合におけるマイクロ波誘起磁気振動(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pSB-5 狭バンドギャップ非対称量子井戸層をもつ共鳴トンネル構造における零磁場スピン分裂の観測
- 23pL-9 In_Ga_Asを量子井戸層に用いた共鳴トンネル構造におけるスピン分離の観測 II
- 30p-ZF-5 Ni/InGaAsハイブリッド微細構造の輸送特性
- 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
- 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
- 28pYF-10 GaAs/AlGaAsおよびInGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス(量子井戸・超格子)(領域4)
- 20pTH-14 GaAs/AlGaAs および InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス
- 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
- 26a-YE-3 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスのスピン分裂
- 26a-YE-2 高In組成In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ構造2次元
- 8a-S-2 MBE成長non-dope GaAs薄膜の不純物と補償比の評価
- 28a-PS-114 GaAs基板上Ni薄膜の準1次元、2次元磁性体
- 26p-YJ-7 GaAs基板上Ni細線のMFM観察
- 31p-Z-11 Niドットを蒸着したGaAs表面磁気伝導特性