小堀 裕己 | 阪大院理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
小堀 裕己
甲南大理工
-
小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
-
大山 忠司
阪大院理
-
小堀 裕己
阪大院理
-
藤元 章
大工大応物
-
藤元 章
阪大院理
-
藤元 章
大工大応用物理:大工大ナノ材研
-
石田 修一
山口東理大
-
野村 知之
阪大院理
-
鈴木 正人
大阪市立大学大学院理学研究科
-
鈴木 正人
阪大院理
-
井上 益孝
阪大院理
-
藤井 研一
阪大院理
-
Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
-
岡下 友則
大阪大学大学院 理学研究科
-
大山 忠司
福井工大
-
岡下 友則
阪大院理
-
柴崎 一郎
旭化成
-
柴崎 一郎
旭化成工業(株>研究開発本部
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
河口 正哉
阪大院理
-
牛頭 信一郎
北陸先端大
-
八田 直記
阪大院理
-
佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
-
日下 忠興
大阪府立産業技術総合研究所
-
筧 芳治
大阪府立産業技術総合研究所
-
牛頭 信一郎
NICT
-
牛頭 信一朗
北陸先端大
-
Fujii K
Osaka Univ. Osaka
-
Fujii Ken-ichi
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
著作論文
- 17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
- 30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
- 30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
- 22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
- 2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
- 5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
- 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
- 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
- 5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
- 31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
- 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱