石田 修一 | 山口東理大
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概要
関連著者
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石田 修一
山口東理大
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藤元 章
大工大応物
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藤元 章
大工大応用物理:大工大ナノ材研
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柴崎 一郎
旭化成
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小堀 裕己
甲南大理工
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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大山 忠司
阪大院理
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小堀 裕己
阪大院理
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藤元 章
阪大院理
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岡本 敦
旭化成エレクトロニクス
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音 賢一
千葉大理
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武田 圭生
室蘭工大
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武田 圭生
室蘭工大工
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邑瀬 和生
阪大理
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音 賢一
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大理
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阪大院理
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白井 誠一
Ntt境界研
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邑瀬 和生
大阪教養
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芹川 正
Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
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芹川 正
NTT境界研
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武田 圭生
山口東理大
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藤元 章
大阪工大応用物理
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菅 健一
阪大極限セ
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金道 浩一
阪大極限セ
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藤井 研一
阪大院理
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吉田 高英
千葉大院理
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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吉田 高英
千葉大理
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石原 知幸
千葉大理
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田宮 慎太郎
千葉大理
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柴崎 一郎
旭化成工業(株>研究開発本部
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佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
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日下 忠興
大阪府立産業技術総合研究所
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筧 芳治
大阪府立産業技術総合研究所
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大山 忠司
福井工大
著作論文
- 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-13 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子の弱反局在の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-11 SnドープInSb/GaAs(100)薄膜の面内磁場弱反局在のスピン : 軌道相互作用とドーピング効果(領域4ポスターセッション)(領域4)
- 22pTL-4 GaAs(100) 基板 InSb 薄膜の 2 次元弱局在とスピン-軌道相互作用
- 21pPSB-10 InSb/GaAs(100) ヘテロ界面 2 次元電子系の弱反局在効果
- 21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II
- 29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
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- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)