音 賢一 | 阪大理
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概要
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原口 大
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石田 裕規
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中川 和男
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難波 進
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大塚 和宜
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阪大理
著作論文
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
- 6p-PS-2 酸化物超伝導体の2次元的抵抗温度変化
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 31a-YA-1 GaAs/A1GaAsにおける非局所抵抗の試料依存性
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAsの多端子素子での非局所抵抗
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAs の多端子素子での非局所抵抗
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
- 31a-L-12 超伝導体-半導体-超伝導体接合と光応答
- 13p-D-10 超伝導体-半導体接合素子における光応答
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
- 31a-YA-1 GaAs/AlGaAsにおける非局所抵抗の試料依存性(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)