石田 修一 | 東理大山口短大
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概要
関連著者
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石田 修一
東理大山口短大
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邑瀬 和生
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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音 賢一
阪大理
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邑瀬 和生
大阪教養
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白井 誠一
Ntt境界研
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芹川 正
Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
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芹川 正
NTT境界研
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中川 和男
阪大理
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工藤 厚志
阪大理
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筒井 雄介
阪大理
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木村 真三
東理大山口短大
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音 賢一
千葉大理
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青柳 克信
理研
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蒲生 健次
阪大基礎工
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石橋 幸治
阪大基礎工
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難波 進
阪大基礎工
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高橋 雄三
阪大理
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塚本 桓世
東理大山口短大
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横沼 実雄
東理大山口短大
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高垣 雪彦
阪大基礎工
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川辺 光央
筑波大物質工
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管谷 幹治
東理大山口短大
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小村 正雄
東理大山口短大
著作論文
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- 6p-PS-44 Bi_4(Sr,Ca)_Cu_nO_x(n=3,4)の超伝導
- 2p-L1-5 選択ドープGaAs-AIGaAs細線の電気伝導II(半導体,(表面・界面・超格子))