鷹岡 貞夫 | 阪大理
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概要
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著作論文
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
- 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- MOS界面の準二次元電子系(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 28p-G-11 Pb_Sn_xTe/Inの光励起緩和とダブルキャプチャーモデル
- 29a-B-8 Pb_Sn_xTe/Inの磁気光反射
- 3a-F-5 Pb_S_Te/Inの磁気光吸収
- 3p-Q-5 Pb_Sn_xTe/Inの長寿命フォトキャリアのサイクロトロン共鳴
- 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
- 1p-PS-30 Pb_Sn_xTe/Inエピタキシャルフィルムの磁気プラズマ吸収
- 30a-M-9 PbTe-SnTe単結晶フィルムの磁気プラズマ吸収
- 30a-M-8 平均V族結晶フィルムの遠赤外反射
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 1p-PS-29 Pb_Sn_xTe/Inフィルムのホール係数の磁場依存性
- 14a-E-3 Bi単結晶薄膜の弱局在効果
- 11p-N-5 Pb_Sn_xTe:Inエピタキシャル・フィルムの電気的・光学的性質
- 28a-M-8 Bi単結晶薄膜の電気伝導
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
- 26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
- 30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
- GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
- 3p-ZE-8 PbTe, Bi細線の磁気抵抗効果
- 30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
- 1p-B-17 Pb_Sn_xTe中のIII族不純物電子の電子-格子強結合
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 31a-YA-1 GaAs/A1GaAsにおける非局所抵抗の試料依存性
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAsの多端子素子での非局所抵抗
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAs の多端子素子での非局所抵抗
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 3p-A-2 量子サイズ効果によるビスマス薄膜の半金属-半導体転移
- 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
- 2a-K-2 Biの遠赤外領域における磁気プラズマ反射
- 31a-L-12 超伝導体-半導体-超伝導体接合と光応答
- 13p-D-10 超伝導体-半導体接合素子における光応答
- 12a-K-8 スプリットゲートで制御された1次元電子系の非局所抵抗
- 12a-K-8 スプリットゲートで制御された1次元電子系の非局所抵抗
- 1a-Pβ-29 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子のシュブニコフ・ドハース効果
- Pb_Sn_xTe/In-Pb複合系での超伝導に対する光伝導の影響
- 31a-TB-10 Pb_Sn_xTe/In, Pbの超伝導に対する光伝導の影響
- 28p-LE-9 Pb_SnxTe/Inにおける光励起緩和過程の組成x依存性(半導体)
- 28a-G-2 GaAs-AlGaAs細線におけるホール効果(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 1a-D2-2 PbTe-SnTe超格子の超伝導(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
- 31a-SC-11 電子波導波路における非局所的電圧のゆらぎ(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
- 31a-SC-13 GaAs/GaAlAsリングの量子伝導(31a SC 低温(アンダーソン局在,他))
- 31a-YA-1 GaAs/AlGaAsにおける非局所抵抗の試料依存性(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
- 29p-FC-3 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の強磁場輸送現象(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))