川村 肇 | 阪大理
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概要
関連著者
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川村 肇
阪大理
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川村 肇
阪大 理
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邑瀬 和生
阪大理
-
高野 脩三
九大理
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高野 脩三
阪大理
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水貝 俊治
阪大理
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西川 哲
阪大 理
-
西 清次
阪大理
-
邑瀬 和生
阪大 理
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中原 純一郎
阪大理
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片山 信一
阪大理
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森田 清三
阪大理
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小林 啓介
日立中研
-
小松原 毅一
日立中研
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鷹岡 貞夫
阪大理
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加藤 義喜
(株) 日立製作所中央研究所
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加藤 義喜
日立中研
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高野 修三
阪大理
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沢田 康次
阪大理
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水見 俊治
阪大理
-
高野 修三
九大理
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豊田 勝義
阪大理
-
下村 理
阪大理
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堀田 定吉
阪大理
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太田 正之輔
阪大理
-
片山 信一
阪大 理
-
永田 清一
阪大理
-
川村 肇
松下電子工業
-
西川 哲
阪大理
-
安藤 陽一
阪大理
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伊吹 順章
三菱電機中研
-
柘植 宏之
阪大理
-
水貝 俊治
阪大 理
-
沢田 康治
阪大理
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保志 信義
阪大理
-
川村 肇
阪大・理
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御子柴 宣夫
会誌編集委員:電試
-
井上 森雄
松下電子研
-
徳本 洋志
阪大理
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古池 進
松下電子研
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田中 昭二
東大工
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矢島 達夫
東大物性研
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仁科 雄一郎
東北大金研
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森田 章
東北大理
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川端 良平
阪大 理
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金井 康夫
ソニー研
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小林 稔
京大理
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田沼 静一
東大物性研
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吉永 弘
阪大工
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山下 次郎
東大物性研
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武藤 俊之助
日大文理
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渡辺 恭志
阪大理
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荻田 直史
理研
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対馬 立郎
電試田無
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上村 洸
東大理
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福永 敏明
阪大理
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上村 洸
Department Of Applied Physics Science University Of Tokyo
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桑原 五郎
東大理
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前田 甫
東芝中研
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邑瀬 和生
阪大・理
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位田 正邦
東大教養
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植村 泰忠
東大理物理
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位田 正邦
神大・理
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宮沢 久雄
東芝中研
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犬塚 英夫
東芝総研
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平原 栄治
東北大理
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市口 恒雄
日立中研
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間瀬 正一
九大理
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桑原 五郎
東大理学部
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川村 肇
阪大.理
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御子柴 宣夫
電試
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伊吹 順章
三菱電機
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坂本 信彦
電試
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山本 彬也
鉄研
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小出 昭一郎
東大教養
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豊沢 豊
東大物性研
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渋谷 元一
静岡大理
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大石 嘉雄
防大工
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植村 泰忠
東京大学理学部物理学教室
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対馬 立郎
会計担当理事
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植村 泰忠
東大理 物理
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犬塚 英夫
東芝中研
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植之原 道行
日電中研
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山口 次郎
関西大工
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朝鍋 静生
会誌編集委員
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対馬 立郎
会誌編集委員
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木名瀬 亘
会誌編集委員
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伊吹 順章
三菱電気株式会社商品研究所
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伊吹 順章
三菱電機k. K. 中央研究所
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朝鍋 静生
会誌編集委員:日電中研
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対馬 立郎
電試 田無
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森田 章
東北大学理学部
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邑瀬 昭生
阪大理
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豊田 勝義
阪大・理
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金井 康夫
ソニー
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山本 彬也
鉄研:会誌編集委員
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樋口 豊喜
阪大理
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Snider D.
阪大理
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土平 晃壽
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大 理
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市口 恒雄
阪大 理
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西川 哲
阪大.理
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邑瀬 和生
阪大.理
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西川 哲
阪大・理
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服部 勝治
阪大理
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土平 晃寿
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大,理
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川村 肇
阪大,理
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邑瀬 和生
阪大,理
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植村 泰忠
東大理
著作論文
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- 6p-L-12 ベンゼンの凝固点付近におけるラマン散乱
- 6a-N-2 量子極限に於ける薄膜中の電子固有状態
- 1p-TC-17 III-V族半導体中のマグネトプラズマモードからのラマン散乱
- 15p-A-8 サイクロトロンハーモニクスの近傍における磁気プラズマ励起
- 15p-A-4 SbのShubnikov-de Haas効果
- 5p-H-5 量子極限におけるBiのLandau levels
- 4a-G-8 パルス強磁場中におけるBiのアルフエン波
- 31p-CA-4 一軸性ストレスをかけた Pb_1-xGe_xTe の相転移
- 物理学会の制度検討について
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 6a-K-12 IV-VI族半導体構造相転移でのrhombohedral strain
- 5p-B-10 IV-VI族半導体の構造不安定性と横有効電荷
- 5a-U-10 IV-VI族半導体のソフトモードによる電気抵抗異常
- 11p-F-1 個別励起領域でのLOフォノン-プラズモン結合モードによる光散乱
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 14p-W-7 n型GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3p-KL-5 IV-VI族半導体の格子振動不安定性
- 8a-B-7 Biにおける電子サイクロトロン共鳴と磁気表面準位
- 6a-N-1 Biにおけるサイクロトロン共鳴(電子)
- 5p-H-6 BiにおけるAlfven波のAzbel'-Kaner Cyclotron Damping
- アルフェン波減衰によるBi正孔の有効質量とフェルミ速度の測定 : 半導体 : 不安定,輸送
- 2p-R-3 n-InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 12p-W-11 n型InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 23a-G-15 A.C伝導度(〜5MHz)測定によるn型InSbのマグネト・フォノン共鳴
- 12a-H-13 n型InSbの光照射によるマグネトフォノン共鳴
- 1a-N-9 CO_2レーザーを使った光伝導によるn型InSbの磁気共鳴
- 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
- 8a-B-9 Bi-Teのヘリコン波
- 1p-TC-2 Te doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 15p-A-9 Te-doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 物理学と固体エレクトロニクスの間に立って
- 第13回半導体国際会議
- 9p-R-4 PbGeTe PbSnTeの相転移と,格子誘電率
- 6a-K-9 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-17 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 「ゼロギャップ近傍物質の電子的および格子的特異性の研究」研究会
- 5a-U-13 Pb_Sn_xTeでのマイクロ波磁気プラズマ反射より誘電率、キャリアー数の測定
- 10p-F-11 (PbSnGe)Te素の相転移と電子構造
- 5p-R-6 Bi及びBi-Sb合金の正孔帯電子構造
- IUPAP半導体委員会について
- 23p-G-17 Bi-Sb合金の電子構造
- パルス強磁場下におけるAlfen波の異常分散 : 半導体(半金属)
- 1p-N-7 RAMAN SCATTERING IN GaAs AND GaAs_xP_ MIXED CRYSTAL
- 9p-R-14 (PbSnGe)Teのトンネル分光
- 9p-R-11 (PbSnGe)Te epitaxial filmの格子不安定性
- 9p-R-9 Pb_Ge_xTeの相転移点近傍における弾性率異常
- 31p-CA-5 IV-VI 族・微小エネルギー・ギャップ半導体の相転移と電子構造
- 9p-R-13 Pb_Ge_xTeの強誘電相での磁気プラズマ反射
- 6a-K-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気プラズマ吸収
- 6a-K-10 Pb_Ge_xTeの強誘電相での電子構造について
- 5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
- 5a-U-12 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気反射とソフト・フォノン
- 4a-R-5 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン吸収
- 17p-A-7 Biの磁気光反射
- 15a-A-9 CO_2レーザー光によるBiの磁気光反射効果
- 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
- 6a-N-3 超音波吸収によるBi-Sb合金の電子構造の研究
- 低磁場におけるビスマスの電磁抵抗異常 : 半導体 (半金属)
- 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
- 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 5p-R-7 磁気表面準位によるBiのフェルミ面の研究
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱