5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1976-09-16
著者
関連論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
- 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
- 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
- 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27a-ZB-2 PtSi薄膜の超伝導転移とその膜厚依存性
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 27a-F-7 Porous-Siのフォトルミネッセンスとラマンスペクトル
- 3a-F-12 PbTe-SnTe超格子の超伝導のアニール効果
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 6p-L-12 ベンゼンの凝固点付近におけるラマン散乱
- 8a-B-8 Biのスピン分離因子の構造 : Y-軸附近
- 6a-N-2 量子極限に於ける薄膜中の電子固有状態
- 1p-TC-17 III-V族半導体中のマグネトプラズマモードからのラマン散乱
- 15p-A-8 サイクロトロンハーモニクスの近傍における磁気プラズマ励起
- 15p-A-4 SbのShubnikov-de Haas効果
- 5p-H-5 量子極限におけるBiのLandau levels
- 4a-G-8 パルス強磁場中におけるBiのアルフエン波
- 31p-CA-4 一軸性ストレスをかけた Pb_1-xGe_xTe の相転移
- 物理学会の制度検討について
- 29p-ZK-6 Si-MOS FETにおける非局所的伝導
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 6a-K-12 IV-VI族半導体構造相転移でのrhombohedral strain
- 5p-B-10 IV-VI族半導体の構造不安定性と横有効電荷
- 5a-U-10 IV-VI族半導体のソフトモードによる電気抵抗異常
- 11p-F-1 個別励起領域でのLOフォノン-プラズモン結合モードによる光散乱
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 14p-W-7 n型GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3p-KL-5 IV-VI族半導体の格子振動不安定性
- 8p-B-6 Magnetic-field-induced surface state
- 8a-B-7 Biにおける電子サイクロトロン共鳴と磁気表面準位
- 6a-N-1 Biにおけるサイクロトロン共鳴(電子)
- 5p-H-6 BiにおけるAlfven波のAzbel'-Kaner Cyclotron Damping
- アルフェン波減衰によるBi正孔の有効質量とフェルミ速度の測定 : 半導体 : 不安定,輸送
- 2p-R-3 n-InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 12p-W-11 n型InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 23a-G-15 A.C伝導度(〜5MHz)測定によるn型InSbのマグネト・フォノン共鳴
- 12a-H-13 n型InSbの光照射によるマグネトフォノン共鳴
- 1a-N-9 CO_2レーザーを使った光伝導によるn型InSbの磁気共鳴
- 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
- 3p-N-11 Bi-Teへのヘリコン波 III
- 8a-B-9 Bi-Teのヘリコン波
- 1p-TC-2 Te doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 15p-A-9 Te-doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 物理学と固体エレクトロニクスの間に立って
- 第13回半導体国際会議
- 9p-R-4 PbGeTe PbSnTeの相転移と,格子誘電率
- 6a-K-9 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-17 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 「ゼロギャップ近傍物質の電子的および格子的特異性の研究」研究会
- 5a-U-13 Pb_Sn_xTeでのマイクロ波磁気プラズマ反射より誘電率、キャリアー数の測定
- 10p-F-11 (PbSnGe)Te素の相転移と電子構造
- 5p-R-6 Bi及びBi-Sb合金の正孔帯電子構造
- IUPAP半導体委員会について
- 23p-G-17 Bi-Sb合金の電子構造
- パルス強磁場下におけるAlfen波の異常分散 : 半導体(半金属)
- 1p-N-7 RAMAN SCATTERING IN GaAs AND GaAs_xP_ MIXED CRYSTAL
- 9p-R-14 (PbSnGe)Teのトンネル分光
- 9p-R-11 (PbSnGe)Te epitaxial filmの格子不安定性
- 9p-R-9 Pb_Ge_xTeの相転移点近傍における弾性率異常
- 31p-CA-5 IV-VI 族・微小エネルギー・ギャップ半導体の相転移と電子構造
- 9p-R-13 Pb_Ge_xTeの強誘電相での磁気プラズマ反射
- 6a-K-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気プラズマ吸収
- 6a-K-10 Pb_Ge_xTeの強誘電相での電子構造について
- 5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
- 5a-U-12 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気反射とソフト・フォノン
- 強磁場下半金属のエキシトニック相転移(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 4a-R-5 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン吸収
- 17p-A-7 Biの磁気光反射
- 15a-A-9 CO_2レーザー光によるBiの磁気光反射効果
- Te doped Biのヘリコン波 : 半導体 (半金属)
- 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
- 6a-N-3 超音波吸収によるBi-Sb合金の電子構造の研究
- 低磁場におけるビスマスの電磁抵抗異常 : 半導体 (半金属)
- 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
- 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 5p-R-7 磁気表面準位によるBiのフェルミ面の研究
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
- 5p-H-9 レーザー光を用いたパルス強磁場中のBiの磁気光反射