物理学会の制度検討について
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-08-05
著者
-
小林 稔
京大理
-
川村 肇
阪大理
-
荻田 直史
理研
-
対馬 立郎
電試田無
-
前田 甫
東芝中研
-
位田 正邦
東大教養
-
位田 正邦
神大・理
-
坂本 信彦
電試
-
山本 彬也
鉄研
-
小出 昭一郎
東大教養
-
川村 肇
松下電子工業
-
対馬 立郎
電試 田無
-
山本 彬也
鉄研:会誌編集委員
関連論文
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- 高圧下における融解現象の計算機実験 : Two species model III(「配位相転移の研究」,基研長期研究計画)
- 高圧下における融解現象の計算機実験II(融解現象とその周辺(第2回),基研短期研究会報告)
- 4p-W-1 融解と固相液相における分子運動の計算機実験
- 融解現象の計算機実験II(基研モレキュール型研究報告,基研研究会報告)
- 融解現象の計算機実験I(基研モレキュール型研究報告,基研研究会報告)
- 5p-U-13 Soft Core Modelの計算機実験 II
- 5p-U-12 Soft Core Modelの計算機実験 I
- 1a-F-5 融解現象の計算機実験
- 5a-F-1 ASデータ処理用小型磁気テープ制御装置の開発
- 27p-C-4 制御専用スレーブ・プロセッサの開発
- 6p-E-9 Carbon Jetの解析方法
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- 多重発生の模型を導入した宇宙線Morphology とE.C.C実験との比較-III : 宇宙線
- 6p-L-12 ベンゼンの凝固点付近におけるラマン散乱
- 6a-N-2 量子極限に於ける薄膜中の電子固有状態
- 1p-TC-17 III-V族半導体中のマグネトプラズマモードからのラマン散乱
- 15p-A-8 サイクロトロンハーモニクスの近傍における磁気プラズマ励起
- 1β.Cu^のβスペクトルについて
- 15p-A-4 SbのShubnikov-de Haas効果
- 5p-H-5 量子極限におけるBiのLandau levels
- 4a-G-8 パルス強磁場中におけるBiのアルフエン波
- 31p-CA-4 一軸性ストレスをかけた Pb_1-xGe_xTe の相転移
- 物理学会の制度検討について
- もし自分が大学院学生であったなら
- 11p-U-5 4000粒子ソフトコアモデルの計算機実験
- 4a-K-10 4000粒子ソフトコアモデル系の計算機実験
- 6a-L-7 SOFT-COREモデルの計算機実験 準安定状態と結晶化
- モンテカルロ法によるカスケードシャワーの計算 VI : 宇宙線
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 6a-K-12 IV-VI族半導体構造相転移でのrhombohedral strain
- 5p-B-10 IV-VI族半導体の構造不安定性と横有効電荷
- 5a-U-10 IV-VI族半導体のソフトモードによる電気抵抗異常
- 11p-F-1 個別励起領域でのLOフォノン-プラズモン結合モードによる光散乱
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 14p-W-7 n型GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3p-KL-5 IV-VI族半導体の格子振動不安定性
- プログレスの25年を回顧して
- 坂田君の想い出
- 京都に於ける物性物理と物性の将来(京都大学)
- L.D.Landau and Ya.Smorodinsky:Lectures on Nuclear Theory. New York, Plenum press, 1958. 108頁 16×24cm.
- 7.基研'Nuclear Quadrupole Moment'研究計画
- 1.Cu^のβ-スペクトルについて
- 160 KCl結晶の electronie structure に就いて(第2囘(昭和22年度)年會)
- 9.多重散亂過程における場の反作用 (第3回 關西三支部聯合例會)
- 21. 遷移過程より見たる核粒子の磁氣能率 (第1回(昭和21年度)年會)
- 20. 引算假説より見たる核粒子の電磁氣的性質 (第1回(昭和21年度)年會)
- 8a-B-7 Biにおける電子サイクロトロン共鳴と磁気表面準位
- 6a-N-1 Biにおけるサイクロトロン共鳴(電子)
- 5p-H-6 BiにおけるAlfven波のAzbel'-Kaner Cyclotron Damping
- アルフェン波減衰によるBi正孔の有効質量とフェルミ速度の測定 : 半導体 : 不安定,輸送
- 2p-R-3 n-InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 12p-W-11 n型InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 23a-G-15 A.C伝導度(〜5MHz)測定によるn型InSbのマグネト・フォノン共鳴
- 12a-H-13 n型InSbの光照射によるマグネトフォノン共鳴
- 1a-N-9 CO_2レーザーを使った光伝導によるn型InSbの磁気共鳴
- 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
- 8a-B-9 Bi-Teのヘリコン波
- 1p-TC-2 Te doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 15p-A-9 Te-doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 物理学と固体エレクトロニクスの間に立って
- 第13回半導体国際会議
- 9p-R-4 PbGeTe PbSnTeの相転移と,格子誘電率
- 6a-K-9 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-17 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 「ゼロギャップ近傍物質の電子的および格子的特異性の研究」研究会
- 5a-U-13 Pb_Sn_xTeでのマイクロ波磁気プラズマ反射より誘電率、キャリアー数の測定
- 10p-F-11 (PbSnGe)Te素の相転移と電子構造
- 5p-R-6 Bi及びBi-Sb合金の正孔帯電子構造
- IUPAP半導体委員会について
- 23p-G-17 Bi-Sb合金の電子構造
- パルス強磁場下におけるAlfen波の異常分散 : 半導体(半金属)
- 1p-N-7 RAMAN SCATTERING IN GaAs AND GaAs_xP_ MIXED CRYSTAL
- 9p-R-14 (PbSnGe)Teのトンネル分光
- 9p-R-11 (PbSnGe)Te epitaxial filmの格子不安定性
- 9p-R-9 Pb_Ge_xTeの相転移点近傍における弾性率異常
- 31p-CA-5 IV-VI 族・微小エネルギー・ギャップ半導体の相転移と電子構造
- 9p-R-13 Pb_Ge_xTeの強誘電相での磁気プラズマ反射
- 6a-K-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気プラズマ吸収
- 6a-K-10 Pb_Ge_xTeの強誘電相での電子構造について
- 5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
- 5a-U-12 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気反射とソフト・フォノン
- 4a-R-5 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン吸収
- 17p-A-7 Biの磁気光反射
- 15a-A-9 CO_2レーザー光によるBiの磁気光反射効果
- 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
- 6a-N-3 超音波吸収によるBi-Sb合金の電子構造の研究
- 低磁場におけるビスマスの電磁抵抗異常 : 半導体 (半金属)
- 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
- 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 5p-R-7 磁気表面準位によるBiのフェルミ面の研究
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱