6a-K-12 IV-VI族半導体構造相転移でのrhombohedral strain
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1977-03-20
著者
関連論文
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
- 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
- 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
- InSbのサブミリ波メーザー・サイクロトロン共鳴 : 半導体 (化合物, その他)
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- 6p-L-12 ベンゼンの凝固点付近におけるラマン散乱
- 8a-B-8 Biのスピン分離因子の構造 : Y-軸附近
- 6a-N-2 量子極限に於ける薄膜中の電子固有状態
- 1p-TC-17 III-V族半導体中のマグネトプラズマモードからのラマン散乱
- 15p-A-8 サイクロトロンハーモニクスの近傍における磁気プラズマ励起
- 15p-A-4 SbのShubnikov-de Haas効果
- 5p-H-5 量子極限におけるBiのLandau levels
- 4a-G-8 パルス強磁場中におけるBiのアルフエン波
- 3p-AB-11 一軸性ストレスをかけた Pb_Sn_xTe Pb_Ge_xTeの相転移
- 31p-CA-4 一軸性ストレスをかけた Pb_1-xGe_xTe の相転移
- 物理学会の制度検討について
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 2a-G-5 Pb_Ge_xTeの構造相転移でのGeイオンの役割
- 30p-D-3 Pb_Ge_xTeの構造相転移と電気抵抗異常
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 6a-K-12 IV-VI族半導体構造相転移でのrhombohedral strain
- 5p-B-10 IV-VI族半導体の構造不安定性と横有効電荷
- 5a-U-10 IV-VI族半導体のソフトモードによる電気抵抗異常
- 11p-F-1 個別励起領域でのLOフォノン-プラズモン結合モードによる光散乱
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 14p-W-7 n型GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3p-KL-5 IV-VI族半導体の格子振動不安定性
- 8p-B-6 Magnetic-field-induced surface state
- 8a-B-7 Biにおける電子サイクロトロン共鳴と磁気表面準位
- 6a-N-1 Biにおけるサイクロトロン共鳴(電子)
- 5p-H-6 BiにおけるAlfven波のAzbel'-Kaner Cyclotron Damping
- アルフェン波減衰によるBi正孔の有効質量とフェルミ速度の測定 : 半導体 : 不安定,輸送
- 2p-R-3 n-InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 12p-W-11 n型InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 23a-G-15 A.C伝導度(〜5MHz)測定によるn型InSbのマグネト・フォノン共鳴
- 12a-H-13 n型InSbの光照射によるマグネトフォノン共鳴
- 1a-N-9 CO_2レーザーを使った光伝導によるn型InSbの磁気共鳴
- サイクロトロン共鳴を用いた中性不純物による捕獲と再結合の研究 : 半導体 : 雑
- サイクロトロン共鳴におよぼす一軸性ストレス効果 : 半導体 : マイクロ
- 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
- 3p-N-11 Bi-Teへのヘリコン波 III
- 8a-B-9 Bi-Teのヘリコン波
- 1p-TC-2 Te doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 15p-A-9 Te-doped Biのヘリコン波と不純物散乱の磁場依存性
- 物理学と固体エレクトロニクスの間に立って
- 第13回半導体国際会議
- 9p-R-4 PbGeTe PbSnTeの相転移と,格子誘電率
- 6a-K-9 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-17 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 「ゼロギャップ近傍物質の電子的および格子的特異性の研究」研究会
- 5a-U-13 Pb_Sn_xTeでのマイクロ波磁気プラズマ反射より誘電率、キャリアー数の測定
- 10p-F-11 (PbSnGe)Te素の相転移と電子構造
- 5p-R-6 Bi及びBi-Sb合金の正孔帯電子構造
- IUPAP半導体委員会について
- 23p-G-17 Bi-Sb合金の電子構造
- パルス強磁場下におけるAlfen波の異常分散 : 半導体(半金属)
- 1p-N-7 RAMAN SCATTERING IN GaAs AND GaAs_xP_ MIXED CRYSTAL
- 9p-R-14 (PbSnGe)Teのトンネル分光
- 9p-R-11 (PbSnGe)Te epitaxial filmの格子不安定性
- 9p-R-9 Pb_Ge_xTeの相転移点近傍における弾性率異常
- 31p-CA-5 IV-VI 族・微小エネルギー・ギャップ半導体の相転移と電子構造
- 9p-R-13 Pb_Ge_xTeの強誘電相での磁気プラズマ反射
- 6a-K-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気プラズマ吸収
- 6a-K-10 Pb_Ge_xTeの強誘電相での電子構造について
- 5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
- 5a-U-12 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気反射とソフト・フォノン
- 4a-R-5 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン吸収
- 17p-A-7 Biの磁気光反射
- 15a-A-9 CO_2レーザー光によるBiの磁気光反射効果
- Te doped Biのヘリコン波 : 半導体 (半金属)
- 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
- 6a-N-3 超音波吸収によるBi-Sb合金の電子構造の研究
- 低磁場におけるビスマスの電磁抵抗異常 : 半導体 (半金属)
- 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ
- 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
- 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 5p-R-7 磁気表面準位によるBiのフェルミ面の研究
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
- 5p-H-9 レーザー光を用いたパルス強磁場中のBiの磁気光反射