8p-B-6 Magnetic-field-induced surface state
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1971-04-06
著者
関連論文
- 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 8a-B-8 Biのスピン分離因子の構造 : Y-軸附近
- 6a-N-2 量子極限に於ける薄膜中の電子固有状態
- 15p-A-8 サイクロトロンハーモニクスの近傍における磁気プラズマ励起
- 31p-CA-4 一軸性ストレスをかけた Pb_1-xGe_xTe の相転移
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 6a-K-12 IV-VI族半導体構造相転移でのrhombohedral strain
- 5p-B-10 IV-VI族半導体の構造不安定性と横有効電荷
- 5a-U-10 IV-VI族半導体のソフトモードによる電気抵抗異常
- 11p-F-1 個別励起領域でのLOフォノン-プラズモン結合モードによる光散乱
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 14p-W-7 n型GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 8p-B-6 Magnetic-field-induced surface state
- 8a-B-7 Biにおける電子サイクロトロン共鳴と磁気表面準位
- 6a-N-1 Biにおけるサイクロトロン共鳴(電子)
- 5p-H-6 BiにおけるAlfven波のAzbel'-Kaner Cyclotron Damping
- アルフェン波減衰によるBi正孔の有効質量とフェルミ速度の測定 : 半導体 : 不安定,輸送
- 2p-R-3 n-InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 12p-W-11 n型InSbのフォノン・アシステッド・サイクロトロン共鳴
- 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
- 3p-N-11 Bi-Teへのヘリコン波 III
- 第13回半導体国際会議
- 9p-R-4 PbGeTe PbSnTeの相転移と,格子誘電率
- 6a-K-9 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-17 Pb_Sn_xTeの格子の誘電率
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 「ゼロギャップ近傍物質の電子的および格子的特異性の研究」研究会
- 5a-U-13 Pb_Sn_xTeでのマイクロ波磁気プラズマ反射より誘電率、キャリアー数の測定
- 10p-F-11 (PbSnGe)Te素の相転移と電子構造
- 5p-R-6 Bi及びBi-Sb合金の正孔帯電子構造
- IUPAP半導体委員会について
- 9p-R-14 (PbSnGe)Teのトンネル分光
- 9p-R-11 (PbSnGe)Te epitaxial filmの格子不安定性
- 9p-R-9 Pb_Ge_xTeの相転移点近傍における弾性率異常
- 31p-CA-5 IV-VI 族・微小エネルギー・ギャップ半導体の相転移と電子構造
- 9p-R-13 Pb_Ge_xTeの強誘電相での磁気プラズマ反射
- 6a-K-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気プラズマ吸収
- 6a-K-10 Pb_Ge_xTeの強誘電相での電子構造について
- 5p-B-18 Pb(Sn,Ge)Teの遠赤外磁気反射
- 5a-U-12 Pb_Sn_xTeの遠赤外磁気反射とソフト・フォノン
- 4a-R-5 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン吸収
- Te doped Biのヘリコン波 : 半導体 (半金属)
- 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
- 9p-R-8 Pb_Ge_xTeの抵抗異常と磁気効果
- 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 5p-R-7 磁気表面準位によるBiのフェルミ面の研究
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
- 5p-H-9 レーザー光を用いたパルス強磁場中のBiの磁気光反射