前田 甫 | 東芝中研
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概要
関連著者
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前田 甫
東芝中研
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宮沢 久雄
東芝中研
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鈴木 勝久
東芝中研
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前田 甫
東芝マ研
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米満 博夫
東芝マ研
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黒沢 達美
中大理工
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小出 重直
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小幡 行雄
原子力研
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中村 輝太郎
物性研
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白鳥 紀一
東大物性研
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木下 是雄
学習院大学
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小林 稔
京大理
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川村 肇
阪大理
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荻田 直史
理研
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高橋 秀俊
東大理
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対馬 立郎
電試田無
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長崎 誠三
理学電機
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位田 正邦
東大教養
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小沼 通二
東大理
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植村 泰忠
東大理物理
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位田 正邦
神大・理
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小林 秋男
通研
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長崎 誠三
理学電機技研
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坂本 信彦
電試
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山本 彬也
鉄研
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小出 昭一郎
東大教養
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笠見 昭信
東芝中研
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柴田 英夫
日本真空技術株式会社
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田上 崇
日立中研
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対馬 立郎
物性研
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白鳥 紀一
東大DC
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中村 輝太郎
お茶大
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菅野 道夫
東大物理4年
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林 英輔
都立大DC
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山内 恭彦
東大理
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柴田 英夫
日本真空
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植村 泰忠
東理大理
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植村 泰忠
東京理科大・理
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木下 是雄
学習院大 理
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植村 泰忠
東大理 物理
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川村 肇
松下電子工業
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対馬 立郎
電試 田無
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山本 彬也
鉄研:会誌編集委員
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鈴木 勝久
東芝・中研
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前田 甫
マツダ研
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植村 泰忠
東大理
著作論文
- 物理学会の制度検討について
- Si-p型反転層内キャリアの質量異方性 : 半導体
- n-InSbのCarrien freeze-out効果に対するscreeningの影響 : 半導体(不純物伝導)
- 高温に於けるGaAsのmobility : 半導体(不純物伝導)
- 6p-H-13 n-InSbのcarrier freeze-out効果の磁場による変化
- 3a-H-9 p-GeのHall効果とBand Warping
- 14a-K-14 強電場弱磁場下の電子の運動量分布
- 二担体系の強電場効果 : 濃度比 : 半導体 : 雑
- 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(IV) : 半導体(輸送)
- 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(III) : 半導体(輸送)
- 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(II) : 半導体 : 輸送
- 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(I) : 半導体 : 輸送
- 6p-F-11 p-Siの奇妙な異方性(完)
- 6p-F-10 p-Siの奇妙な異方性(9) : 有限磁場下伝導度の計算と異方性の符号反転
- p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)
- p-Siの奇妙な異方性(7) Transverse Magnetoresistance : 半導体(Si, Ge)
- p-Siの奇妙な異方性(6) : 等エネルギ面の展開と伝導度テンソル(半導体(電流,磁気,歪))
- p-Siの奇妙な異方性(5) : N_A濃度依存性(半導体(電流,磁気,歪))
- n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性(半導体(不純物伝導))
- 6a-A-7 P型Siの奇妙な異方性(4) : 模型的エネルギ面による伝導度テンソル
- 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
- p型Geのストリーミング現象 : 半導体 (下純物)
- 10a-A-9 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(III) : Warped Sphereの場合
- 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
- 10a-A-7 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(I)
- 6a-A-6 P型Siの奇妙な異方性(3) : 価電帯のnon-parabolicity
- 6a-A-5 P型Siの奇妙な異方性(2) : 温泉効果
- p-Ge (Zn or Cu+Sb) のnon-ohmic特性 : 半導体
- 4a-L-11 低温におけるGeのbreakdown的特性(I)
- 半導体実験
- 12p-A-4 クライオサ現象と熱い電子
- 低温におけるGeのbreakdown : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
- p-Ge Hall係数の低温における符号反転 : 半導体
- p-Geの低温におけるbreakdown II : 半導体
- p-Geの低温におけるbreakdown I : 半導体
- 4a-L-10 Geの転位と核磁気共鳴
- 2a-L-7 n型Geホール係数の磁場依存性(IV)
- 9a-M-3 n型Geホール係数の磁場依存性(III)
- 9a-M-2 n型Geホール係数の磁場依存性(II)