宮沢 久雄 | 東芝中研

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概要

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関連著者

• 宮沢 久雄

  東芝中研

• 前田 甫

  東芝中研

• 鈴木 勝久

  東芝中研

• 生駒 英明

  東芝総研

• 生駒 英明

  東芝中研

• 金井 康夫

  ソニー研

• 山下 次郎

  東大物性研

• 大村 八通

  東芝総研

• 大村 八通

  東芝中研

• 永宮 健夫

  日本学士院

• 渋谷 元一

  静岡大理

• 川村 肇

  松下電子工業

• 金井 康夫

  ソニー

• 上田 浩

  日立中研

• 仁科 雄一郎

  東北大金研

• 森田 章

  東北大理

• 田沼 静一

  東大物性研

• 吉永 弘

  阪大工

• 熊谷 寛夫

  東大核研

• 川村 肇

  阪大理

• 武藤 俊之助

  日大文理

• 黒沢 達美

  中大理工

• 小野 周

  東大教養

• 石黒 浩三

  東大教養

• 久保 亮五

  東大理

• 桑原 五郎

  東大理

• 松浦 悦之

  昭和42年度出版委員

• 松浦 悦之

  東大工

• 永宮 健夫

  阪大基礎工

• 佐々木 亘

  電試田無

• 植村 泰忠

  東大理物理

• 木下 是雄

  学習院大理

• 山内 恭彦

  上智大学

• 三宅 静雄

  東大物性研

• 小林 秋男

  通研

• 平原 栄治

  東北大理

• 間瀬 正一

  九大理

• 伊吹 順章

  三菱電機中研

• 桑原 五郎

  東大理学部

• 小出 重直

  東芝中研

• 御子柴 宣夫

  電試

• 佐々木 亘

  電試 田無

• 豊沢 豊

  東大物性研

• 永宮 健夫

  阪大理

• 大石 嘉雄

  防大工

• 川村 肇

  東大物性研

• 木下 是雄

  学習院理

• 渋谷 元一

  電試

• 伴野 正美

  日立中研

• 山内 睦子

  電試

• 植村 泰忠

  東京大学理学部物理学教室

• 植村 泰忠

  東大理 物理

• 山内 睦子

  電試田無

• 松浦 悦之

  出版委員

• 御子柴 宣夫

  会誌編集委員:電試

• 小野 周

  東大・教養

• 三宅 静雄

  日立中研

• 森田 章

  東北大学理学部

• 宮沢 久雄

  東芝・中研

• 宮沢 久雄

  マツダ研

• 宮沢 久雄

  東芝マツダ研

• 中山 宜長

  東芝中研

• 木村 八通

  東芝中研

• 佐々木 亘

  電試

• 植村 泰忠

  東大理

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著作論文

• もし自分が大学院学生であったなら
• 6p-H-13 n-InSbのcarrier freeze-out効果の磁場による変化
• 3a-H-9 p-GeのHall効果とBand Warping
• 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(IV) : 半導体(輸送)
• 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(III) : 半導体(輸送)
• 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(II) : 半導体 : 輸送
• 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(I) : 半導体 : 輸送
• 6p-F-11 p-Siの奇妙な異方性(完)
• 6p-F-10 p-Siの奇妙な異方性(9) : 有限磁場下伝導度の計算と異方性の符号反転
• p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(7) Transverse Magnetoresistance : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(6) : 等エネルギ面の展開と伝導度テンソル(半導体(電流,磁気,歪))
• p-Siの奇妙な異方性(5) : N_A濃度依存性(半導体(電流,磁気,歪))
• 6a-A-7 P型Siの奇妙な異方性(4) : 模型的エネルギ面による伝導度テンソル
• 半導体国際会議 (1966) の報告
• 半導体をめぐって
• 6p-F-13 p-InSb電流磁気効果の異方性 (3)
• p-InSb電流磁気効果の異方性(半導体(電流,磁気,歪))
• 4p-G-11 n-InSbの非線形電気伝導(II)
• 4p-G-10 n-InSbの非線形電気伝導(I)
• 年会,分科会のあり方について
• 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
• 6a-A-6 P型Siの奇妙な異方性(3) : 価電帯のnon-parabolicity
• p-Ge (Zn or Cu+Sb) のnon-ohmic特性 : 半導体
• 6p-F-9 Differential MethodによるP-Geの不純物補償度の決定
• Albert C. Beer: Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Solid State Physics, Supplement 4, Academic Press, New York, London 1963, 418頁, 25×17cm, 5,400円.
• p-InSb電流磁氣効果の異方性(2) : 半導体(Si, Ge)
• Differential Method : A New Technique to determine the Anisotropy and the Field Dependence of Galvanomagnetic Effect(半導体(電流,磁気,歪))

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