佐々木 亘 | 電試 田無
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
佐々木 亘
電試 田無
-
佐々木 亘
電試田無
-
佐々木 亘
電試
-
佐々木 亘
東大理
-
山内 睦子
電試田無
-
山内 睦子
電試
-
渋谷 元一
電試
-
水口 寛二
東大・理
-
水口 寛二
電試田無
-
佐野 純子
電試 田無
-
渋谷 元一
静岡大理
-
渋谷 元一
電試 田無
-
小野 周
東大教養
-
山内 睦子
電試 田無
-
小野 周
東大・教養
-
有山 正孝
電通大
-
上田 浩
日立中研
-
阿部 英太郎
東大物性研
-
水野 幸雄
名大プラズマ研
-
芳田 奎
東大物性研
-
金井 康夫
ソニー研
-
佐々木 亘
東大 理
-
山下 次郎
東大物性研
-
木名瀬 亘
早大理工
-
中村 美津子
電試田無
-
松浦 悦之
昭和42年度出版委員
-
松浦 悦之
東大工
-
宮沢 久雄
東芝中研
-
上田 良二
名大理
-
小林 秋男
通研
-
上田 良二
名城大理工
-
造田 安民
電試 田無
-
川村 肇
東大物性研
-
木下 是雄
学習院理
-
伴野 正美
日立中研
-
石井 善正
電試
-
松浦 悦之
出版委員
-
川村 肇
松下電子工業
-
渋谷 元一
静大理 物理
-
吉広 和夫
電試田無
-
金井 康夫
通研
-
金井 康夫
ソニー
-
金井 康夫
電気通信研究所
-
宮沢 久雄
東芝・中研
-
前川 稠
電子技術総合研究所
-
渋谷 元一
電試(田無)
-
吉広 和夫
電試 田無
-
宮沢 久雄
東芝マツダ研
-
前川 稠
電試 田無
-
木下 譲止
電試 田無
-
鳩山 道夫
電試
著作論文
- Journalの論文の閲読と編集をめぐって
- 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
- Digital Voltmeter
- D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
- Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
- Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
- 半導体実験
- 3a-F-12 Snの超伝導状態における表面抵抗
- 半導体をめぐって
- 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
- 4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
- 不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : 測定法
- 6p-F-7 不純物バンドの熱電効果
- 不純物伝導の磁気抵抗 : とび歩き : 半導体
- 20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
- 20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
- 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
- 3a-F-13 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 II
- 13a-K-6 不純物伝導に対する補償の影響
- 4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
- N型Geの{100}内面における強電界異方性 : XX. 半導体
- 11a-A-1 n型Geの強電界異方性の温度依存性
- 不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
- 9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗
- 不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑
- 30.I.17 Silicocarbonの研究(III) : X線廻折と電気的性質(半導体)