伴野 正美 | 日立中研
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概要
関連著者
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伴野 正美
日立中研
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杉田 吉充
日立中研
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光石 知国
日立中研
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徳山 巍
日立中研
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高木 武
日立中研
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光石 友國
日立中研
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伴野 正美
日立中央研究所
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上田 浩
日立中研
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金井 康夫
ソニー研
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山下 次郎
東大物性研
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山田 栄三郎
日立中研
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小野 周
東大教養
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松浦 悦之
昭和42年度出版委員
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松浦 悦之
東大工
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佐々木 亘
電試田無
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宮沢 久雄
東芝中研
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小林 秋男
通研
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佐々木 亘
電試 田無
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渋谷 元一
静岡大理
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川村 肇
東大物性研
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木下 是雄
学習院理
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渋谷 元一
電試
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山内 睦子
電試
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田内 省二
日立中研
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山内 睦子
電試田無
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松浦 悦之
出版委員
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川村 肇
松下電子工業
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小野 周
東大・教養
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佐藤 矗
日立中研
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徳山 巍
日立製作所中央研究所
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金井 康夫
ソニー
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宮沢 久雄
東芝・中研
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徳山 巍
日立中央研究所
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伊藤 容吉
日立中研
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田内 省三
日立中研
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杉田 吉光
日立中研
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徳山 魏
日立中研
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光石 知國
日立中研
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光石 知国
日立製作所中央研究所
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宮沢 久雄
東芝マツダ研
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佐々木 亘
電試
著作論文
- 半導体をめぐって
- ゲルマニウム単結晶の成長 : XX. 半導体
- ゲルマニウム単結晶の成長模様 : XX. 半導体
- n型ゲルマニウムの正孔寿命の雰囲気による影響 : 半導体(実験)
- 3p-L-7 合金型pn接合の電流分布直視法
- 11a-M-9 インジウム薄層を合金したゲルマニウムpn接合の逆特性
- 20L-14 p-n接合周辺部の効果
- 19F-17 ゲルマニウムの表面再結合速度の測定
- 14p-A-2 融液拡散トランジスタのベース抵抗
- 14p-A-1 2層合金型Ge PNPN素子のBreak over
- 半導体材料の精製ならびに結晶成長
- Ge単結晶の塑性変型とクラック : 格子欠陥
- 再結晶ゲルマニウムの成長錐 : 半導体
- ゲルマニウム再結晶層の縞状成長模様 : 半導体
- 4a-L-6 ゲルマニウム単結晶の成長機構と格子欠陥
- 4a-L-5 ゲルマニウムの(110)辷り
- 3p-L-4 Ge pnpnスイッチング素子
- 3p-L-3 偏析係数の時間的変化を利用したPn接合
- 11a-M-2 ゲルマニウム再結晶層の欠陥構造
- 11a-M-1 ゲルマニウム単結晶の成長模様
- 9p-G-5 Ge及びSiの結晶成長について
- 20L-15 インジウム薄膜を用いたゲルマニウムp-n接合の特性
- 19L-22 再結晶ゲルマニウムの欠陥
- 16C15. セレン整流器の整流作用について
- 12. Se-Ag合金の温度 : 抵抗特性について