徳山 巍 | 日立中研
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概要
関連著者
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徳山 巍
日立中研
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伴野 正美
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宮尾 正信
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池田 隆英
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田村 誠男
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槌本 尚
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徳山 巍
筑波大学物理工学系
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判野 正美
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三宅 潔
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古寺 博
日立中研
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田内 省二
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堀内 勝忠
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佐藤 興吾
日立中研
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田村 昌三
日立中研
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伴野 正
日立中研
著作論文
- シリコンのホツトインプランデーシヨン : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- イオン打込みによるシリコン結晶の欠陥 : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- 27p-Q-6 イオンビームを利用した新しい物貭の作製法
- 30a-K-12 超高濃度Si:Pの物性(II) : 電気的特性
- 2a-B-14 超高濃度Si: Pのfree carrier吸収
- Siのパルスレーザーアニール : エピタキシャル成長と不純物固溶 : 招待講演
- SiH_4酸化法によるSiO_4膜 (IV) : 半導体 (表面)
- SiH_4酸化法によるSiO_4膜 (III) : 半導体 (表面)
- 7a-L-6 Micro-Bond型微小接合の諸特性
- 14p-A-9 Ge合金接合のマイクロプラズマ
- 3p-L-7 合金型pn接合の電流分布直視法
- 3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
- 11a-M-9 インジウム薄層を合金したゲルマニウムpn接合の逆特性
- トランジスタのFloating Potential : XX. 半導体
- 接合型トランジスタの直流特性 : XX. 半導体
- 20L-14 p-n接合周辺部の効果
- 19F-17 ゲルマニウムの表面再結合速度の測定
- 半導体へのイオン打込みによって発生した二次欠陥
- タイトル無し
- 29C14 ゲルマニウムの正孔寿命測定法について(29C 半導体)