田村 誠男 | 日立中研

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概要

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著作論文

• 8p-E-10 イオン打込みによって生じたSi中の欠陥(II)
• 7a-E-8 イオン打込みによって生じたSi中の欠陥
• 2p-TG-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation(IV)
• 8p-N-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation (III)
• Si HomoepitasyのMisfit Dislocation II : X線, 粒子線
• 2p-C-10 The Initial Stages of Chemical Vapor Deposited Si on Sapphire
• 15a-L-12 α-Al_2O_3基板上のSiの透過電顕による観察(II)
• 4p-L-6 α-Al_2O_3上のSiの透過電子顕微鏡による観察
• α-Al_2O_3を基板としたSiのEpitaxial Growth : 結晶成長
• Siのパルスレーザーアニール : エピタキシャル成長と不純物固溶 : 招待講演
• 半導体へのイオン打込みによって発生した二次欠陥
• Si HomoepitasyのMisfit Dislocation I : X線, 粒子線
• 31p-CF-8 イオン打ち込みSi結晶表面のX線による評価(31p CF X線・粒子線)

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