野村 正敬 | 日立中研

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• 田村 誠男

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• 鈴木 道夫

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著作論文

• 2p-TG-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation(IV)
• 8p-N-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation (III)
• 8p-H-10 選択気相エッチング-埋めエピタキシャル成長(II)
• 選択気相エッチング : 埋めエピタキシャル成長 : 結晶成長
• モノシラン熱分解法による低温エピタキシャル成長 : 結晶成長
• Si HomoepitasyのMisfit Dislocation II : X線, 粒子線
• 2p-C-10 The Initial Stages of Chemical Vapor Deposited Si on Sapphire
• 15a-L-12 α-Al_2O_3基板上のSiの透過電顕による観察(II)
• 15a-L-11 Si Epitaxyの成長初期課程
• 4p-L-6 α-Al_2O_3上のSiの透過電子顕微鏡による観察
• Mo単結晶上へのMo_5Ge_3のEpitaxial Growth : 結晶成長
• α-Al_2O_3を基板としたSiのEpitaxial Growth : 結晶成長
• Vapor Etching-Etching Growth(II) : 半導体 : 気相成長
• Siの気相エッチ・成長,低温酸化連続法 : 半導体 : 気相成長
• 5p-F-14 Vapor Etching-Epitaxial Growth (I)
• 5p-F-13 Vapor Etching-Epitaxial Layerの特性
• Si Epitaxial Growthの直接観察 : 半導体(エピタキシー)
• Ge Epitaxial Growthの直接観察(II)(半導体(拡散,エピタキシー)
• 4a-A-4 Ge Epitaxial Growthの直接觀察
• Geのepitaxial growth : 半導体

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