モノシラン熱分解法による低温エピタキシャル成長 : 結晶成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
関連論文
- 2p-TG-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation(IV)
- 8p-N-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation (III)
- 8p-H-10 選択気相エッチング-埋めエピタキシャル成長(II)
- 選択気相エッチング : 埋めエピタキシャル成長 : 結晶成長
- モノシラン熱分解法による低温エピタキシャル成長 : 結晶成長
- Si HomoepitasyのMisfit Dislocation II : X線, 粒子線
- 2p-C-10 The Initial Stages of Chemical Vapor Deposited Si on Sapphire
- 15a-L-12 α-Al_2O_3基板上のSiの透過電顕による観察(II)
- 15a-L-11 Si Epitaxyの成長初期課程
- 4p-L-6 α-Al_2O_3上のSiの透過電子顕微鏡による観察
- Mo単結晶上へのMo_5Ge_3のEpitaxial Growth : 結晶成長
- α-Al_2O_3を基板としたSiのEpitaxial Growth : 結晶成長
- Vapor Etching-Etching Growth(II) : 半導体 : 気相成長
- Siの気相エッチ・成長,低温酸化連続法 : 半導体 : 気相成長
- 5p-F-14 Vapor Etching-Epitaxial Growth (I)
- 5p-F-13 Vapor Etching-Epitaxial Layerの特性
- Si Epitaxial Growthの直接観察 : 半導体(エピタキシー)
- Ge Epitaxial Growthの直接観察(II)(半導体(拡散,エピタキシー)
- 4a-A-4 Ge Epitaxial Growthの直接觀察
- Geのepitaxial growth : 半導体
- モノシラン法シリコンエピタクシの速度論 : 結晶成長