徳山 巍 | 筑波大学物理工学系
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概要
関連著者
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徳山 巍
筑波大学物理工学系
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宮尾 正信
日立中研
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徳山 巍
日立中研
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本岡 輝昭
日立中研
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本岡 輝昭
九州大学工学部材料工学科
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新井 敏弘
筑波大学物理工学系
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新井 敏弘
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
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フォンス ポール
電子技術総合研究所
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夏秋 信義
日立中研
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阿部 弘
筑波大学物理工学系
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佐藤 里江子
筑波大学物理工学系
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腰塚 三江子
筑波大学物理工学系
著作論文
- 30a-K-12 超高濃度Si:Pの物性(II) : 電気的特性
- 2a-B-14 超高濃度Si: Pのfree carrier吸収
- 超音速フリージェット法によるシリコン気相成長
- Si-SiO_2界面へのF導入効果
- 超LSI微細加工とイオン注入