Si-SiO_2界面へのF導入効果
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概要
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イオン注入とその後の熱処理により、Si-SiO_2界面へのF導入を行いSi-SiO_2界面の電気的特性へ及ぼすF導入効果およびその機構について検討した。MOSデバイスの電気的測定(n^+p接合ダイオードの全逆電流の測定、MOSFETのサブスレッショルド)の結果、その特性はF注入量に依存して向上し、その効果はデバイスの微細化に伴い大きくなった。また、F^+イオン注入後、熱処理時間10分程度でMOSダイオードの界面準位密度D_it>は最小となり界面へのFの拡散量が飽和したと考えられる。さらに、RTA処理に起因すると思われる界面準位の発生がF導入によって抑制され、FによるSi未結合手終端以外の機構も推察される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
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