各立場の意見を拝読して
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1992-12-10
著者
関連論文
- Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性IV
- Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性II
- 1p-PS-5 カルコゲナイド系非晶質半導体のブリルアン散乱
- 3a-NGH-14 アモルファスAsSe系における多音子スペクトル
- 29p-X-5 カルコゲナイド系非晶質半導体のガラス転移下の構造緩和における次元性と階層性
- 高光透過率Fe/MgF_2多層膜の磁気・光学的性質
- 29a-PS-52 Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性
- 4a-Z-6 MgF_2 の格子力学と有効電荷
- 28a-K-7 CaVO_3の光学スペクトル
- 30p-PSB-4 CaVO_の光物性における熱処理効果
- Pr_xNd_Ba_2Cu_3O_7の超伝導状態におけるフォノンの異常
- 31a-PS-21 ペロブスカイト型Ti, V酸化物の電子状態II
- 3a-YD-4 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_7の超伝導状態におけるフォノンの異常
- 13a-T-12 Pr_xHo_Ba_2Cu_3O_y(y〜7, 6.2)の赤外反射及びラマン散乱
- 30a-R-9 CaVO_の赤外及びラマン散乱スペクトル
- 1p-P-11 GeO_2ガラス中CdSe微結晶の過渡吸収分光
- 25a-PS-47 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_系の赤外スペクトル
- 15p-T-8 GdBa_SrxCu_3O_の超伝導状態におけるフォノンの異常
- 30p-PSB-42 GdBa_2Cu_3O_Y(Y=6,7)の格子振動におけるBaサイトへのSr置換効果
- 27a-PS-27 Sm_Pr_xBa_2Cu_3O_の赤外スペクトルとラマン散乱
- 2p-B-4 As-Se系アモルファス半導体の2次赤外吸収
- 2p-W-4 アモルファスAs-Se系の遠赤外反射スペクトル
- 1p-PS-6 非晶質AS_2S_3-As_2Se_3系蒸着直後の薄膜の光誘起構造変化
- 半導体メゾスコピック粒子の励起子状態における分光研究
- GeO_2系ガラス中CdS微粒子の加圧による共鳴ラマン散乱
- 1a-C-4 C_単結晶の発光における光照射効果
- 1p-Y-7 GeO_2系ガラス中CdS微粒子の加圧下のルミネッセンス
- 27p-Z-8 GeO_2系ガラス中CdS微粒子の加圧下のラマン散乱
- 27p-Z-7 CdSクラスタービームの発光
- 27p-Z-4 CdSe微粒子堆積膜の発光温度依存性
- 29p-X-9 (GeS_2)_(Sb_2S_3)_x系非晶質半導体のラマン散乱及び赤外吸収
- 29p-X-8 Sb_2Se_3非晶質半導体膜の光結晶化
- 29p-X-7 (GeS_2)_(Sb_2S_3)_x系非晶質半導体における構造緩和
- 29p-X-6 非晶質As-Se系のガラス転移領域における熱的性質
- 29a-T-10 ゼオライトに担持させたSe微粒子の熱的挙動と光学的特性
- 28a-H-3 半導体ナノメートル微結晶における永続的ホールバーニングII
- 2p-W-5 a-Seのラマンスペクトルに及ぼすAsの効果
- 30p-TC-3 Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_の赤外スペクトルと格子力学
- 28p-J-3 GeO_2ガラス中のCdS微粒子のラマン散乱
- 28a-F-12 GeO_2ガラス中CdS微結晶の低波数ラマン散乱
- 第5回高圧半導体物理学国際会議報告
- 28a-YL-1 ポーラスシリコンのPLに及ぼす雰囲気ガス及び光照射効果
- 30p-X-10 TlIn_Ga_XS_2の吸収と発光
- 3p-G-11 CdS微粒子の圧力効果(IV)
- 3p-G-13 CdSe微粒子の光分解
- 28p-J-1 CdSeクラスタービームのレーザー照射による再蒸発と発光
- 粒子ビーム状態における半導体メゾスコピック粒子の分光計測による物性研究
- E-4 共鳴法によるカルコゲナイドガラスの低温における弾性係数測定(音波物性)
- 5a-C-12 非晶質半導体Se-Te系の2音子赤外吸収
- 27a-SB-30 非晶質半導体As_2Se_3-As_2S_3系における振動高調波
- 30p-YE-8 CdSクラスターの構造相転移に及ぼす圧力効果
- 28p-J-2 CdS微粒子の加圧効果(III)
- 13p-DC-13 CdS微粒子の加圧効果(II)
- Si-SiO_2界面へのF導入効果
- 筑波大学に於ける物理教育 (「今、教養部は? 教養部改組をめぐって : その2」)
- CdS微粒子の発光過程
- 28p-PS-11 PrBa_2Cu_3O_の赤外スペクトルとPrの価数
- 13p-DD-11 Pb_5Ge_3O_の赤外反射スペクトル
- アモルファスシリコンのシリサイド化(固体の表面・界面における電子励起状態と緩和過程の研究,科研費研究会報告)
- 31a-WB-5 C_単結晶のラマン散乱による光誘起現象
- 15p-B-3 固体C_の振動モードにおける構造相転移の効果
- 31a-YK-7 C_薄膜へのレーザー照射による光物理過程
- 15a-B-9 構造相転移及び酸素吸着による固体C_の増強ラマン散乱
- 30a-Q-5 固体C_への酸素吸着による増強ラマン散乱と光分解過程
- 30a-Q-4 固体C_のラマン散乱と赤外分光による構造相転移の研究
- 31a-WB-4 C_薄膜における光誘起構造変化
- 30p-YM-4 層状半導体TlIn_Ga_xS_2の構造相転移
- 3a-G-16 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光II
- 3a-J-12 (GeS_2)_(Bi_2S_3)_x系非晶質半導体の赤外吸収及びラマン散乱
- 3a-J-11 Sb-Se系非晶質半導体体膜における光結晶化
- 28a-J-1 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光
- 講座モノづくりとスペクトロスコピー : 第4講超微粒子をつくる
- 1p-P-10 CdS微粒子の加圧効果
- 13a-E-11 a-As-S系の振動スペクトルの分子モデルによる解析
- 28p-APS-59 Pr_xEr_BaCu_3O_系の赤外スペクトルの温度依存性
- 分光学の基礎-5-固体に於ける光吸収スペクトル-1-
- 分光学の基礎-6-固体に於ける光吸収スペクトル-2-
- ベネチアンブラインド型直接エネルギ-変換装置の試作
- 30p-Q-6 埋め込まれたポーラスシリコンの光物性
- 各立場の意見を拝読して
- 25p-ZE-18 ポーラスシリコン微粒子の光物性
- 28p-H-14 カルコゲナイドガラスへのAg光ドーピング(28pH 半導体(アモルファス))
- 28p-H-13 非晶質半導体(GeS_2)_(Sb_2S_3)_x系のラマン散乱(28pH 半導体(アモルファス))