29p-X-9 (GeS_2)_<1-x>(Sb_2S_3)_x系非晶質半導体のラマン散乱及び赤外吸収
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
-
新井 敏弘
石巻専修大理工
-
大成 誠之助
筑波大物工
-
新井 敏弘
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
-
松石 清人
筑波大物工
-
浅見 勇学
筑波大物工
-
新井 敏弘
筑波大・物工
-
新井 敏弘
石巻専修大学
関連論文
- Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性IV
- Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性II
- 7a-J-3 高密度化されたGeO_2系ガラス中に担持された岩塩型CdS微粒子の熱処理による構造変化
- 5a-A-10 Ge_xS_系非晶質半導体のガラス転移における構造緩和
- 29p-X-5 カルコゲナイド系非晶質半導体のガラス転移下の構造緩和における次元性と階層性
- 28a-K-7 CaVO_3の光学スペクトル
- 27a-G-17 非晶質As-S系の音速の温度変化
- Pr_xLn_Ba_2Cu_3O_7(Ln:Nd, Gd, Tm)の超伝導状態におけるフォノンの振る舞い
- Nd置換YBCO系超伝導体のラマン散乱における結晶場励起モード
- Pr_xNd_Ba_2Cu_3O_7の超伝導状態におけるフォノンの異常
- 31a-PS-21 ペロブスカイト型Ti, V酸化物の電子状態II
- 3a-YD-4 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_7の超伝導状態におけるフォノンの異常
- 13a-T-12 Pr_xHo_Ba_2Cu_3O_y(y〜7, 6.2)の赤外反射及びラマン散乱
- 30a-R-9 CaVO_の赤外及びラマン散乱スペクトル
- 座談会 日本における分光学の歩み
- 1p-P-11 GeO_2ガラス中CdSe微結晶の過渡吸収分光
- 30p-PSB-42 GdBa_2Cu_3O_Y(Y=6,7)の格子振動におけるBaサイトへのSr置換効果
- 27a-PS-27 Sm_Pr_xBa_2Cu_3O_の赤外スペクトルとラマン散乱
- 30a-A-15 非晶質(GeS_2)_x(As_2S_3)_系の静水圧下に於ける吸収端
- 4p-A-2 高圧下における非晶質As-S系のラマン散乱
- 2a-YG-1 1次元結晶C_5H_NH_2PbI_3のラマン散乱と構造相転移 II
- 5p-PS-20 高温超伝導体LnBa_2Cu_3O_x{Ln=Y,Ho,Er,Sm,Gd,Dy,Tm,Eu,Pr)の遠赤外反射スペクトル
- 3a-A2-2 非晶質半導体Ge_xSe_系の基礎吸収端への加圧効果
- 27a-B-7 2H-NbS_2のラマン散乱
- 半導体メゾスコピック粒子の励起子状態における分光研究
- GeO_2系ガラス中CdS微粒子の加圧による共鳴ラマン散乱
- 1a-C-4 C_単結晶の発光における光照射効果
- 1p-Y-7 GeO_2系ガラス中CdS微粒子の加圧下のルミネッセンス
- 27p-Z-8 GeO_2系ガラス中CdS微粒子の加圧下のラマン散乱
- 27p-Z-7 CdSクラスタービームの発光
- 27p-Z-4 CdSe微粒子堆積膜の発光温度依存性
- 29p-X-9 (GeS_2)_(Sb_2S_3)_x系非晶質半導体のラマン散乱及び赤外吸収
- 29p-X-8 Sb_2Se_3非晶質半導体膜の光結晶化
- 29p-X-7 (GeS_2)_(Sb_2S_3)_x系非晶質半導体における構造緩和
- 29p-X-6 非晶質As-Se系のガラス転移領域における熱的性質
- 29a-T-10 ゼオライトに担持させたSe微粒子の熱的挙動と光学的特性
- 26p-YE-4 非晶質Bi_2S_3の局所構造と光誘起現象
- Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_のラマン散乱スペクトル
- 28a-YL-1 ポーラスシリコンのPLに及ぼす雰囲気ガス及び光照射効果
- カルコパイライト型半導体CuAlSe_2のCVD成長と諸性質
- 3p-G-11 CdS微粒子の圧力効果(IV)
- 5p-Z-2 TlCaBa_2Cu_2O_7とTl_2CaBa_2Cu_2O_8の光学フォノン・モード
- 3p-G-13 CdSe微粒子の光分解
- 28p-J-1 CdSeクラスタービームのレーザー照射による再蒸発と発光
- 28a-ZG-7 1次元結晶C_5H_NH_2PbI_3のラマン散乱と構造相転移 III
- 5p-H-8 ガス中レーザーアブレーションによるBi微粒子のラマン散乱
- ラマン散乱によるC_単結晶のガラス転移
- 26p-YE-3 非晶質As_2S_3の光誘起変化と低周波振動励起モード
- 28p-J-2 CdS微粒子の加圧効果(III)
- 13p-DC-13 CdS微粒子の加圧効果(II)
- 31p-TB-5 層状半導体TlGa_xlnS_2系の圧力下におけるラマン散乱
- 5a-C-8 非晶質半導体(GeS_2)_(Sb_2S_3)_Xの吸収端への圧力効果
- 27a-G-13 Ge-S系非晶質半導体の圧力ヒステリシス効果
- 4a-Z-1 3R-NbS_2 のラマン散乱
- 31a-YC-12 層状鉛ハロゲン系ベロブスカイト化合物のラマン散乱
- 29p-ZF-7 Sn-Se系非晶質半導体薄膜の光誘起結晶化
- 29p-ZF-4 Ge_S_x非晶質薄膜(0≤X≤0.67)の低波数ラマン散乱
- 27p-M-2 SiOマトリックス中に担持されたC_ナノ結晶の光学的性質(II)
- 26p-YN-4 1次元結晶C_5H_NH_2PbX_3(X=Br,1)の構造相転移
- 26p-YE-2 Ge_S_x非晶質薄膜(0≦X≦0.67)のレーザアブレーションによる合成と光誘起現象II
- 3a-A2-4 低波数赤外吸収によるa-(As_2S_3)_(Sb_2S_3)_x系の電荷ゆらぎ
- 7a-C-9 SiOマトリックス中に坦持されたC_微粒子の光学的性質
- 31a-WB-5 C_単結晶のラマン散乱による光誘起現象
- 15p-B-3 固体C_の振動モードにおける構造相転移の効果
- 29a-N-8 多孔質ガラスの低周波ラマン散乱と遠赤外吸収
- 31a-YK-7 C_薄膜へのレーザー照射による光物理過程
- 15a-B-9 構造相転移及び酸素吸着による固体C_の増強ラマン散乱
- 30a-Q-5 固体C_への酸素吸着による増強ラマン散乱と光分解過程
- 30a-Q-4 固体C_のラマン散乱と赤外分光による構造相転移の研究
- 31p-K-8 YBa_2Cu_3O_(0≦x≦1)単結晶の超伝導状態におけるフォノンの振る舞い
- 31a-WB-4 C_薄膜における光誘起構造変化
- 30p-YM-4 層状半導体TlIn_Ga_xS_2の構造相転移
- 3a-G-16 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光II
- 3a-J-12 (GeS_2)_(Bi_2S_3)_x系非晶質半導体の赤外吸収及びラマン散乱
- 3a-J-11 Sb-Se系非晶質半導体体膜における光結晶化
- 28a-J-1 Si, Ge基板上へのSn+SiO_2同時スパッタによる発光
- 1p-P-10 CdS微粒子の加圧効果
- 5a-D-8 層状半導体TlGa_xln_S_2の基礎吸収端の圧力効果
- 26p-M-19 層状半導体TIInS_2の光吸収スペクトル
- 5a-D-9 層状半導体TllnS_2の発光及びラマン散乱の温度依存性
- 26p-A-11 ペロフスカイト型混晶系(CH_3NH_3)Pb(Cl_Br_x)_3のラマン散乱と構造相転移
- Pr_xEr_Ba_2Cu_3O_系の赤外スペクトル
- 2a-M-4 Bi_2S_3の赤外及びラマンスペクトル
- 31p-F-13 (GeS_2)_(Bi_2S_3)_x系非晶質半導体の高圧下の光物性
- 31p-F-6 非晶質半導体Sb_2Se_3膜の結晶化過程
- 31a-YC-13 1次元結晶C_5H_NH_2PbI_3のラマン散乱と構造相転移
- 30p-Q-6 埋め込まれたポーラスシリコンの光物性
- 27p-LE-2 非晶質As_2S_3:Agの熱分析とガラス化傾向(半導体)
- 27p-LE-5 高圧力下におけるカルコゲナイド系非晶質半導体の低波数ラマン散乱(半導体)
- 1p-PS-47 LnBa_2Cu_3O_2(Ln=Dy,Gd,Sn)の赤外スペクトル(低温(酸化物超伝導体))
- 27p-LE-1 非晶質(GeSe_2)_x(As_2Se_3)_系の静水圧下に於ける吸収端(半導体)
- 27p-LE-7 カルコゲナイド系非晶質半導体の弾性的性質(半導体)
- 2p-L2-10 非晶質As2S3の熱処理における構造緩和(半導体,(アモルファス))
- 27p-LE-3 非晶質As_2S_3:Agの低周波ラマン散乱(半導体)
- 31a-PS-66 高Tc超伝導体LnBa_2Cu_3O_x系の格子力学(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 1p-FC-9 As,Ge-カルコゲナイド系非晶質半導体の光重合(1p FC 半導体(アモルファス))
- 1P-PSB-13 Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性III(1pPSB 磁性(薄膜,人工格子,スピングラス,ランダム系・低次元系),磁性)
- 2a-TC-19 スポージュメン(LiAlSi_2O_6)の赤外とラマン散乱スペクトル
- 1p-FC-11 非晶質As-S系における低波数ラマン散乱(1p FC 半導体(アモルファス))
- 1p-D1-5 非晶質半導体As-S系の遠赤外光吸収と電荷ゆらぎ(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)