3a-NGH-14 アモルファスAsSe系における多音子スペクトル

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1981-09-14

著者

• 片浦 弘道

  筑波大物工

• 大成 誠之助

  筑波大学物理工学系

• 新井 敏弘

  筑波大学物理工学系

• 片浦 弘道

  筑波大学物理光学系

関連論文

• 19aTA-2 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pPSB-1 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
• レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価 (磁気光学・光磁気記録)
• 1p-PS-5 カルコゲナイド系非晶質半導体のブリルアン散乱
• 24pZC-6 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12aYB-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の f-f 遷移における結晶場効果の温度依存性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 3a-NGH-14 アモルファスAsSe系における多音子スペクトル
• 30pTE-12 (CH_3NH_3)PbBr_3の圧力誘起構造相転移と電子状態(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
• 4a-Z-6 MgF_2 の格子力学と有効電荷
• 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_χTeの合成と評価
• 2p-F-3 非晶質As-S系の基礎吸収端の加圧効果
• 27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
• 22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
• 20pPSB-29 Cr_2O_3のラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 14pXD-14 ヘマタイトの多マグノン励起 III : ラマン分光(酸化物磁性, 領域 3)
• 25a-PS-47 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_系の赤外スペクトル
• 28aPS-64 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質III(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aXS-6 希ガス中レーザーアブレーションにより生成されたサイズ選別Siナノ粒子の発光機構(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
• 17pRF-10 高圧下における鉛ハロゲン層状ペロフスカイト型半導体の励起子状態
• 25aPS-61 CdSeナノ粒子の高圧下光学特性におけるサイズ効果(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30a-A-15 非晶質(GeS_2)_x(As_2S_3)_系の静水圧下に於ける吸収端
• 4p-A-2 高圧下における非晶質As-S系のラマン散乱
• 13a-E-12 アモルファスAs-Se系の吸収端の圧力依存性
• 2p-B-4 As-Se系アモルファス半導体の2次赤外吸収
• 29aZK-5 (ZnCd)-In-(SSe) 系非晶質半導体の局所構造と光学的性質 II
• 28pTC-5 非晶質半導体(ZnCd)-In-(SSe)系の局所構造と非晶質状態
• 2p-W-4 アモルファスAs-Se系の遠赤外反射スペクトル
• 1p-PS-6 非晶質AS_2S_3-As_2Se_3系蒸着直後の薄膜の光誘起構造変化
• 半導体メゾスコピック粒子の励起子状態における分光研究
• 2p-W-5 a-Seのラマンスペクトルに及ぼすAsの効果
• 30p-TC-3 Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_の赤外スペクトルと格子力学
• 18aRG-8 一次元有機無機複合型半導体の圧力誘起構造相転移と電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aRG-8 C_ナノチューブのラマン散乱と光学的性質(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-5 C_ナノウィスカーの光誘起構造変化と残留溶媒分子の効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aPS-74 逆ミセル法によって作製したCdSナノ粒子の高圧下における構造と光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSB-3 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-95 (NH_2CH=NH_2)_x(CH_3NH_3)_PbBr_3の光学的性質におけるケミカルプレッシャー効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-89 レーザーアブレーション法によるIII-VI族化合物半導体ナノ粒子の作製と光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-87 逆ミセル法によって作製されたInSナノ結晶の光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-86 逆ミセル法によって作製したEu添加CdSナノ結晶の発光過程(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 13pPSA-68 有機無機複合型層状ペロフスカイト半導体の光学的性質における金属陽イオン置換効果(領域 5)
• 12pXD-9 有機無機複合型層状及び立方ペロフスカイト半導体の高圧下における構造相転移と励起子状態(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
• 23pM-10 ラマン散乱による2次元ペロフスカイト化合物(C_nH_NH_3)_2PbI_4(n=4,6,8)の構造相転移の研究
• 30aPS-62 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープしたCdSナノ結晶の作製とその光学的性質II(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22pPSA-44 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープした CdS ナノ結晶の作製とその光学的性質
• 粒子ビーム状態における半導体メゾスコピック粒子の分光計測による物性研究
• レーザーアブレーション法によるCd_Mn_xTe微粒子の作製
• 27aYG-4 Sm添加カルコゲナイド系非晶質半導体のf-f遷移における結晶場効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 22pTL-3 Sm 添加カルコゲナイド系非晶質半導体の光学的性質
• E-4 共鳴法によるカルコゲナイドガラスの低温における弾性係数測定(音波物性)
• 5a-C-12 非晶質半導体Se-Te系の2音子赤外吸収
• 27a-SB-30 非晶質半導体As_2Se_3-As_2S_3系における振動高調波
• 22pPSA-50 レーザーアブレーション法による GaSe ナノ粒子の作製と光学的性質
• Si-SiO_2界面へのF導入効果
• CdS微粒子の発光過程
• 17pYJ-4 MGa_2Se_4(M=Cd, Zn)単結晶の圧力下ラマン散乱スペクトル
• 22pTL-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の光学的性質
• 21pXF-10 A_XC_(A=K, Rb : x=3,6) の圧力下ラマン散乱
• 29pZB-10 アルカリ金属ドープ C_ のラマン散乱の圧力温度依存性
• 28pZH-7 (CH_3NH_3) PbX_3 (X=CI, Br) 単結晶の高圧下光物性 II
• 17pRF-11 鉛ハロゲン系ペロフスカイト単結晶(CH_3NH_3)PbBr_3の高圧下光物性
• 30aXD-1 C_単結晶の高圧下光照射効果の温度依存性
• アモルファスシリコンのシリサイド化(固体の表面・界面における電子励起状態と緩和過程の研究,科研費研究会報告)
• 30aYG-9 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oの発光とラマン散乱
• 28pTC-4 非晶質半導体As-S系のサブバンドギャップ光誘起構造変化と光準弾性散乱
• 26aYB-11 1次元半導体C_5H_NH_2Pbl_3の圧力誘起構造相転移
• 講座モノづくりとスペクトロスコピー : 第4講超微粒子をつくる
• SiO_2マトリックス中のSb微粒子のラマン散乱
• 13a-E-11 a-As-S系の振動スペクトルの分子モデルによる解析
• 28p-APS-59 Pr_xEr_BaCu_3O_系の赤外スペクトルの温度依存性
• 分光学の基礎-5-固体に於ける光吸収スペクトル-1-
• 分光学の基礎-6-固体に於ける光吸収スペクトル-2-
• ベネチアンブラインド型直接エネルギ-変換装置の試作
• 各立場の意見を拝読して
• Resonant Raman Scattering in Semiconductors
• Effect of Pressure on the Amorphous Ge-Chalcogenide Materials.
• 27p-LE-5 高圧力下におけるカルコゲナイド系非晶質半導体の低波数ラマン散乱(半導体)
• 27p-LE-7 カルコゲナイド系非晶質半導体の弾性的性質(半導体)
• 28p-H-14 カルコゲナイドガラスへのAg光ドーピング(28pH 半導体(アモルファス))
• 25pWE-2 Er添加非晶質半導体As_2S_3の発光特性(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 26pXN-1 固体C_60の圧力下光誘起構造変化におけるヨウ素ドープ効果(26pXN C_60(C_60関連・FET),領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 28p-H-13 非晶質半導体(GeS_2)_(Sb_2S_3)_x系のラマン散乱(28pH 半導体(アモルファス))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク