13pPSA-68 有機無機複合型層状ペロフスカイト半導体の光学的性質における金属陽イオン置換効果(領域 5)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
松石 清人
筑波大院数物
-
松石 清人
筑波大数理物質
-
大成 誠之助
筑波大院数物
-
大成 誠之助
筑波大学物理工学系
-
松石 清人
筑波大物質工
-
大成 誠之助
筑波大物質工
-
山梨 文嘉
筑波大物質工
-
沼田 昭仁
筑波大物質工
関連論文
- 20aGR-8 光重合C_ナノチューブの物性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aPS-4 ナフタレン発色団を有する有機無機複合型量子井戸結晶の高圧下の発光現象II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 22pPSB-26 CdSeナノ粒子配列構造体の光学的性質と圧力効果(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 27aPS-24 ナフタレン発色団を有する有機無機複合型量子井戸結晶(C_H_7C_2H_4NH_3)_2PbCl_4の高圧下の発光現象(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28pPSA-39 Nd添加GeGaS非晶質半導体の発光特性及びエネルギー移動の圧力変化(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aWF-10 C_ナノチューブの合成と光学的性質(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aYK-9 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果III(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-52 CdSeナノ粒子の体積弾性率と変形ポテンシャル(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-53 有機無機複合型CdSナノ結晶の高圧構造と光学特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pWG-5 高圧下における量子細線結晶[NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5と(C_H_N_2)Pb_2I_6の光学的性質と構造状態(高圧・分子架橋,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pTH-7 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果II(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pRC-13 C_ナノウィスカーの光誘起構造変化II(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRC-14 C_ナノチューブのラマン散乱と光学的性質II(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pPSB-19 高圧下におけるCdSeナノ粒子の構造と電子状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-20 有機無機複合型CdSナノ結晶の高圧構造と発光特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-41 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24pRA-7 量子細線結晶[NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5の圧力誘起構造相転移と電子状態II(グラファイト・グラフェン・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aPS-138 鉛ペロブスカイト型有機半導体C_5H_NH_2PbI_3の構造相転移(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aTA-2 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pPSB-1 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
- レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価 (磁気光学・光磁気記録)
- 1p-PS-5 カルコゲナイド系非晶質半導体のブリルアン散乱
- 24pZC-6 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の f-f 遷移における結晶場効果の温度依存性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 3a-NGH-14 アモルファスAsSe系における多音子スペクトル
- 30pTE-12 (CH_3NH_3)PbBr_3の圧力誘起構造相転移と電子状態(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 4a-Z-6 MgF_2 の格子力学と有効電荷
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_χTeの合成と評価
- 27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
- 22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
- 24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 薄層カーボンナノチューブ合成におけるMo/Ni/MgO触媒の機能
- 20pPSB-29 Cr_2O_3のラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 14pXD-14 ヘマタイトの多マグノン励起 III : ラマン分光(酸化物磁性, 領域 3)
- 25a-PS-47 Pr_xGd_Ba_2Cu_3O_系の赤外スペクトル
- 28aPS-64 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質III(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aXS-6 希ガス中レーザーアブレーションにより生成されたサイズ選別Siナノ粒子の発光機構(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 17pRF-10 高圧下における鉛ハロゲン層状ペロフスカイト型半導体の励起子状態
- 29pWB-5 高温高圧下における液体・固体水素のプリュアン散乱とラマン散乱
- 20pWF-9 高温高圧下における液体・固体水素のブリュアン散乱とラマン散乱II
- 25aPS-61 CdSeナノ粒子の高圧下光学特性におけるサイズ効果(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 2p-B-4 As-Se系アモルファス半導体の2次赤外吸収
- 29aZK-5 (ZnCd)-In-(SSe) 系非晶質半導体の局所構造と光学的性質 II
- 28pTC-5 非晶質半導体(ZnCd)-In-(SSe)系の局所構造と非晶質状態
- 2p-W-4 アモルファスAs-Se系の遠赤外反射スペクトル
- 1p-PS-6 非晶質AS_2S_3-As_2Se_3系蒸着直後の薄膜の光誘起構造変化
- 27aC-8 非晶質(GeSe_2)_(Bi_2Se_3)_xの局所結合状態とガラス形成能
- 26p-YE-4 非晶質Bi_2S_3の局所構造と光誘起現象
- 18aRG-8 一次元有機無機複合型半導体の圧力誘起構造相転移と電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aRG-8 C_ナノチューブのラマン散乱と光学的性質(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aYF-5 C_ナノウィスカーの光誘起構造変化と残留溶媒分子の効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aPS-74 逆ミセル法によって作製したCdSナノ粒子の高圧下における構造と光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSB-3 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-95 (NH_2CH=NH_2)_x(CH_3NH_3)_PbBr_3の光学的性質におけるケミカルプレッシャー効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-89 レーザーアブレーション法によるIII-VI族化合物半導体ナノ粒子の作製と光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-87 逆ミセル法によって作製されたInSナノ結晶の光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-86 逆ミセル法によって作製したEu添加CdSナノ結晶の発光過程(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-68 有機無機複合型層状ペロフスカイト半導体の光学的性質における金属陽イオン置換効果(領域 5)
- 12pXD-9 有機無機複合型層状及び立方ペロフスカイト半導体の高圧下における構造相転移と励起子状態(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 25pPSB-16 ナフタレン発色団を有する有機無機複合型量子井戸結晶の高圧下の光学的性質III(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23pM-10 ラマン散乱による2次元ペロフスカイト化合物(C_nH_NH_3)_2PbI_4(n=4,6,8)の構造相転移の研究
- 30aPS-62 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープしたCdSナノ結晶の作製とその光学的性質II(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 22pPSA-44 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープした CdS ナノ結晶の作製とその光学的性質
- 28a-ZG-7 1次元結晶C_5H_NH_2PbI_3のラマン散乱と構造相転移 III
- レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価
- 27aYG-4 Sm添加カルコゲナイド系非晶質半導体のf-f遷移における結晶場効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 22pTL-3 Sm 添加カルコゲナイド系非晶質半導体の光学的性質
- 26p-YE-3 非晶質As_2S_3の光誘起変化と低周波振動励起モード
- 25pB01 Homoepitaxial SiC Deposition by Combination Sources Molecular Beam Epitaxy(NCCG-34)
- 22pPSA-50 レーザーアブレーション法による GaSe ナノ粒子の作製と光学的性質
- 17pYJ-4 MGa_2Se_4(M=Cd, Zn)単結晶の圧力下ラマン散乱スペクトル
- 22pTL-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の光学的性質
- 21pXF-10 A_XC_(A=K, Rb : x=3,6) の圧力下ラマン散乱
- 29pZB-10 アルカリ金属ドープ C_ のラマン散乱の圧力温度依存性
- 28pZH-7 (CH_3NH_3) PbX_3 (X=CI, Br) 単結晶の高圧下光物性 II
- 17pRF-11 鉛ハロゲン系ペロフスカイト単結晶(CH_3NH_3)PbBr_3の高圧下光物性
- 30aXD-1 C_単結晶の高圧下光照射効果の温度依存性
- 30aYG-9 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oの発光とラマン散乱
- 28pTC-4 非晶質半導体As-S系のサブバンドギャップ光誘起構造変化と光準弾性散乱
- 高温高圧下のブリュアン散乱測定
- 23pM-9 0次元鉛ハロゲン系ペロフスカイト半導体(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oのラマン散乱
- 27pE-1 C_単結晶の超高圧下での光照射効果
- 27pYC-9 ガラスマトリクス中に埋め込まれたInSbナノ結晶の作製と光物性
- 26pYB-15 立方ペロフスカイト型混晶系(CH_3NH_3)Pb(CI_Br_x)_3の構造相転移における電子状態の変化
- 26aYB-11 1次元半導体C_5H_NH_2Pbl_3の圧力誘起構造相転移
- 27aC-7 Ge_S_x非晶質薄膜(0≤X≤0.67)の光学的性質に及ぼす光照射・熱アニール効果
- 29p-ZF-7 Sn-Se系非晶質半導体薄膜の光誘起結晶化
- 29p-ZF-4 Ge_S_x非晶質薄膜(0≤X≤0.67)の低波数ラマン散乱
- 27p-M-2 SiOマトリックス中に担持されたC_ナノ結晶の光学的性質(II)
- 26p-YN-4 1次元結晶C_5H_NH_2PbX_3(X=Br,1)の構造相転移
- 26p-YE-2 Ge_S_x非晶質薄膜(0≦X≦0.67)のレーザアブレーションによる合成と光誘起現象II
- 25pPSA-13 ナフタレン発色団を有する有機無機複合型層状結晶の圧力チューニング機構(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-52 CdSeナノ粒子超格子及びナノシート超格子の光学的性質とその圧力効果(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSB-21 CdSeナノ粒子・ナノシート超格子の光学的性質及びその圧力効果II(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aTD-7 C_-フェロセンナノシートの光学的性質(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aCC-9 C_-フェロセンナノシートの光学的性質II(27aCC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pPSA-41 CdSeナノ粒子・ナノシート超格子の光学的性質及びその圧力効果III(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))