25pB01 Homoepitaxial SiC Deposition by Combination Sources Molecular Beam Epitaxy(NCCG-34)
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概要
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Combination sources molecular beam epitaxy, which utilizes solid and gas phase sources, has been tried with Si as a solid source and monomethylsilane as a gas source for homoepitaxial SiC deposition. SiC film altered its surface morphology, thus, growth mode depending on the surface reconstruction tuned with a Si flux impinging on the growing film surface simultaneously with monomethylsilane.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
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