24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-18
著者
-
知京 豊裕
物材機構
-
廣芝 伸哉
(独)物質・材料研究機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
若山 裕
(独)物質・材料研究機構
-
松石 清人
筑波大院数物
-
森本 健太
筑波大院数物
-
松石 清人
筑波大数理物質
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
若山 裕
物材機構半導体材料C
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
廣芝 伸哉
筑波大数理
-
早川 竜馬
物材機構
-
森本 健太
筑波大数理
-
若山 裕
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
若山 裕
物質・材料研究機構半導体材料センター
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構半導体材料センター
-
松石 清人
筑波大学
-
早川 竜馬
(独)物質・材料研究機構半導体材料センター
-
廣芝 伸哉
(独)物質・材料研究機構半導体材料センター
関連論文
- 20aGR-8 光重合C_ナノチューブの物性(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-16 Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18pRJ-1 NTs-FET特性におよぼす種々の要因(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-1 高誘電体絶縁膜を用いた単結晶有機FETにおける界面制御と物性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pZB-3 (Ba,Sr)_8Ga_Ge_の物性 : 磁性 電気伝導 熱電能(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aYF-7 表面有機修飾したSWNTsのFET特性(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-18 単結晶BaTiO_3高誘電体を用いた有機FETの物性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aRC-5 CsC_薄膜の電気伝導の温度依存性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-9 有機FET構造における金-チオール自己組織化単分子膜の物性へ与える影響(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-12 金端子の化学修飾が有機トランジスタの物性に与える影響(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 8)
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 7)
- 22pXG-5 フラーレン薄膜 FET における薄膜構造と物性
- 23aPS-4 ナフタレン発色団を有する有機無機複合型量子井戸結晶の高圧下の発光現象II(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 22pPSB-26 CdSeナノ粒子配列構造体の光学的性質と圧力効果(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 27aPS-24 ナフタレン発色団を有する有機無機複合型量子井戸結晶(C_H_7C_2H_4NH_3)_2PbCl_4の高圧下の発光現象(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28pPSA-39 Nd添加GeGaS非晶質半導体の発光特性及びエネルギー移動の圧力変化(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aWF-10 C_ナノチューブの合成と光学的性質(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aYK-9 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果III(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-52 CdSeナノ粒子の体積弾性率と変形ポテンシャル(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-53 有機無機複合型CdSナノ結晶の高圧構造と光学特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pWG-5 高圧下における量子細線結晶[NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5と(C_H_N_2)Pb_2I_6の光学的性質と構造状態(高圧・分子架橋,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pTH-7 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果II(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pRC-13 C_ナノウィスカーの光誘起構造変化II(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRC-14 C_ナノチューブのラマン散乱と光学的性質II(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pPSB-19 高圧下におけるCdSeナノ粒子の構造と電子状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-20 有機無機複合型CdSナノ結晶の高圧構造と発光特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-41 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24pRA-7 量子細線結晶[NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5の圧力誘起構造相転移と電子状態II(グラファイト・グラフェン・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aPS-138 鉛ペロブスカイト型有機半導体C_5H_NH_2PbI_3の構造相転移(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aTA-2 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pPSB-1 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28aRG-11 高濃度ボロンドープダイヤモンド単結晶薄膜の結晶構造とTcの膜厚依存性(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- 24pZC-6 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の f-f 遷移における結晶場効果の温度依存性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 光電子収量分光における2次電子閾値の検討
- 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 30pTE-12 (CH_3NH_3)PbBr_3の圧力誘起構造相転移と電子状態(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pPSA-39 数百個の微小球より構成される自己組織化1次元フォトニックワイヤの開発(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発 (特集 傾斜機能材料の開発と新展開)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- 27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
- 22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
- 23pPSB-33 パターン基板上の1次元状コロイド結晶内部における光伝播の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 薄層カーボンナノチューブ合成におけるMo/Ni/MgO触媒の機能
- コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 20pPSB-29 Cr_2O_3のラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 低エネルギー集束イオンビームによるGaAs微細構造の作製
- 30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-2 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ゲートスタック材料の変遷とその界面制御
- コハク酸のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- グルタル酸の Cu(110)表面での吸着構造
- N-Acetylglycine のCu(110)表面での吸着状態と仕事関数
- Cu(110)表面でのハイドロムコン酸の吸着状態
- Cu(110)表面でのアジピン酸の吸着状態 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- 24aXB-3 Tc(offset)>10Kの高濃度ボロンドープダイヤモンド(111)薄膜における超伝導特性(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- イオンビーム照射による"量子箱"作製装置の試作
- 異種分子が創る二次元分子混晶膜
- R&D 微小球共振器を用いたマイクロ光配線技術の可能性と将来展望
- 次世代ゲート絶縁膜の課題とコンビナトリアル手法による材料探索
- CS-10-7 単一有機分子による電子・光機能素子(CS-10. 有機電子・光機能デバイスの新展開, エレクトロニクス2)
- 有機単一電子トンネル接合の電流-電圧特性における光照射効果(有機材料・一般)
- Si(100)基板上Ge量子ドットの成長制御 : 極微量C原子による量子ドットのサイズ・密度・構造の制御
- 分子ワイヤを使ったトランジスタ将来の分子素子・分子配線の開拓
- 有機・高分子 ダイナミックな超分子材料--動く分子と動かされる分子
- Best Shot写真でひもとく未来材料 分子集合体の相転移リアルタイム観測
- 分子の柔軟性が可能にするエピタキシャル成長
- Tri-Phase Epitaxyによる高温超伝導,単結晶薄膜の作製
- Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
- 界面近傍はどうなっているか--CBED法およびEELS法による金属半導体界面近傍の評価 (特集 ナノワールドへご招待(1)新しい手法編)
- 原子的尺度で見たシリサイド/シリコン界面の構造と性質--ショットキ-障壁の問題を中心として
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
- 有機薄膜の成長機構に及ぼす格子歪みの効果 : クォテリレン薄膜を例として
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 科学技術動向研究 無機材料研究におけるマテリアルインフォマティックスの動向
- 先端研究拠点事業:コンビナトリアル手法による新材料開発とその情報化に関する国際協力体制の構築
- コンビナトリアルナノケミストリーと電子材料開発への展開 (特集:エレクトロニクスの最先端とナノケミストリー)
- 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-12 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ-金属界面結合変化の定量的予測式
- アルミナ-金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式
- 熱力学計算によるチオール・カルボン酸の様々な無機基板表面への化学吸着の考察
- 金属シェルで覆われた有機ポリマーのプラスチック基材に対する密着