廣芝 伸哉 | (独)物質・材料研究機構
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概要
関連著者
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廣芝 伸哉
(独)物質・材料研究機構
-
熊代 良太郎
東北大院理
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廣芝 伸哉
東北大院理
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谷垣 勝己
東北大院理
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赤坂 健
筑波大
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赤阪 健
筑波大数物
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木村 滋
JASRI
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知京 豊裕
物材機構
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大橋 弘孝
東北大院理
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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若山 裕
(独)物質・材料研究機構
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熊代 良太郎
CREST
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木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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木村 滋
マイクロエレ研
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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若山 裕
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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若山 裕
物質・材料研究機構半導体材料センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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木村 滋
Nec基礎研究所
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構半導体材料センター
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早川 竜馬
(独)物質・材料研究機構半導体材料センター
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廣芝 伸哉
(独)物質・材料研究機構半導体材料センター
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畠山 力三
東北大院工
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川山 巌
阪大超伝導フォトニクス
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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竹延 大志
東北大金研
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早川 竜馬
(独)物質・材料研究機構
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赤阪 健
筑波大
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木村 滋
CREST
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加藤 健一
Tsukuba Univ
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高田 昌樹
JASRI
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加藤 健一
JASRI
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川山 巌
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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斗内 政吉
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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岩佐 義宏
東大 工
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Tani M
Research Center For Superconductor Photonics Osaka University
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Tonouchi Masayoshi
Powersource And Device Development Daihen Corporation
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石井 久夫
東北大通研:crest
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斗内 政吉
阪大超伝導セ
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岩佐 義宏
東北大金研
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篠原 久典
名大院理
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篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
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高石 慎也
東北大院理
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山下 正廣
東北大院理
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高畠 敏郎
広島大先端研
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Avila M.
広大院先端物質
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青柳 忍
名大工
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良知 健
東北大院理
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西野 琢也
東北大院理
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前田 優
東京学芸大
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竹延 大志
CREST JST
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岩佐 義宏
CREST JST
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Avilla M.A.
広島大先端物質
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鈴木 信三
京都産業大学
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阿知波 洋次
首都大学東京
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石動 彰信
東北大院理
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Turak Ayse
マックスプランク金属学研究所
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Zhang XueNa
マックスプランク金属学研究所
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Dosch Helmut
マックスプランク金属学研究所
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石井 久夫
東北大電気通信研究所
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廣芝 伸哉
東北大院 理
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熊代 良太郎
東北大院 理
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谷垣 勝己
東北大院 理
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石井 久夫
東北大 電気通信研究所
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大橋 弘孝
大阪市立大
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杉原 周二
大阪市立大
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廣芝 伸哉
大阪市立大
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谷垣 勝己
大阪市立大
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Nikos Tagmatarchis
University of Trieste
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加藤 治人
名古屋大
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青柳 忍
SPring-8
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高田 昌樹
名古屋大
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松石 清人
筑波大院数物
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森本 健太
筑波大院数物
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松石 清人
筑波大数理物質
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篠原 久典
名大理
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石井 久夫
千葉大学先進科学研究教育センター
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前田 優
東京学芸大学
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阿知波 洋次
首都大理工
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鈴木 信三
首都大理工
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青柳 忍
JASRI
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Avila Marcos
Department Of Quantum Matter Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University
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鈴木 信二
新潟大理
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若山 裕
物材機構半導体材料C
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アビラ M.a.
広大院先端物質
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石動 彰信
東北大工
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篠原 久典
名古屋大
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廣芝 伸哉
筑波大数理
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早川 竜馬
物材機構
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森本 健太
筑波大数理
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松石 清人
筑波大学
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高畠 敏郎
広島大先端
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熊代 良太郎
JST/CREST
著作論文
- 22pGS-16 Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pRJ-1 NTs-FET特性におよぼす種々の要因(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-1 高誘電体絶縁膜を用いた単結晶有機FETにおける界面制御と物性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pZB-3 (Ba,Sr)_8Ga_Ge_の物性 : 磁性 電気伝導 熱電能(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aYF-7 表面有機修飾したSWNTsのFET特性(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-18 単結晶BaTiO_3高誘電体を用いた有機FETの物性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aRC-5 CsC_薄膜の電気伝導の温度依存性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-9 有機FET構造における金-チオール自己組織化単分子膜の物性へ与える影響(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYL-12 金端子の化学修飾が有機トランジスタの物性に与える影響(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 8)
- 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 7)
- 22pXG-5 フラーレン薄膜 FET における薄膜構造と物性
- 24pRL-11 分子超格子デバイスの作製と電子・光物性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機薄膜の成長機構に及ぼす格子歪みの効果 : クォテリレン薄膜を例として