竹延 大志 | 東北大金研
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概要
関連著者
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竹延 大志
東北大金研
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岩佐 義宏
東北大金研
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岩佐 義宏
東大 工
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竹延 大志
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東北大 金属材料研
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岩佐 義宏
東京大学大学院工学系研究科
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岩佐 義宏
東北大学金属材料研究所
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三谷 洋興
北陸先端大
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蓬田 陽平
東北大金研
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白石 誠司
阪大院基礎工
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丸本 一弘
筑波大院数物:jstさきがけ
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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丸本 一弘
筑波大院数物
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黒田 新一
名大院工
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岩佐 義宏
北陸先端大
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竹延 大志
北陸先端大
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三谷 忠興
北陸先端大
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竹延 大志
東北大学金属材料研究所:jstさきがけ
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片浦 弘道
産総研ナノテク:crest-jst
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柳 和宏
首都大理工
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田中 久暁
名大院工
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下谷 秀和
東北大金研
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伊藤 崇芳
北陸先端大
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柳 和宏
CREST-JST
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岩佐 義宏
東大工
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竹谷 純一
阪大理
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真庭 豊
首都大理工
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伊藤 崇芳
原研J-PARCセ
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嘉治 寿彦
東北大金研
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西川 尚男
東北大金研
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白石 誠司
阪大基礎工
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柳 和宏
産総研
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岡本 博
東大新領域
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大島 勇吾
理研
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岩佐 義宏
東大院工
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新井 徳道
筑波大院数物
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竹谷 純一
阪大院理
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岸田 英夫
東大新領域
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片浦 弘道
産総研
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片浦 弘道
産総研ナノテク
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富成 征弘
阪大院理
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後藤 博正
筑波大院数物
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守屋 理恵子
首都大理
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真庭 豊
CREST-JST
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前田 充史
東大新領域
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伊東 裕
名大院工
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西堀 英治
名大工
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松田 和之
首都大理工
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高田 昌樹
名大工
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坂田 誠
名大工
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阿部 伸行
東北大院理
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高野 琢
東北大金研
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谷口 耕治
東北大多元研
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坂田 誠
名古屋大学
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片浦 弘道
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門:crest-jst
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森 聡
東北大金研
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村山 祐司
東北大金研
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渡辺 一尋
東北大金研
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片浦 弘道
都立大・理
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BISRI Satria
東北大金研
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高橋 哲生
東北大金研
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谷垣 勝己
東北大院理
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有馬 孝尚
東北大多元研
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宮田 耕充
名大院理
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小林 慎一郎
東北大通研
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渡辺 峻一郎
名大院工
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Bisri S.
東北大金研
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山雄 健史
京都工繊大
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堀田 収
京都工繊大
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塚越 一仁
理研
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青柳 克信
理研
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岩佐 義宏
東北大学金研
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宮田 耕充
首都大理工
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Chi Dam
北陸先端大
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下位 幸弘
産総研ナノテク
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小野 新平
電中研
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青柳 克信
東工大総合理工学:crest(jst)
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小林 慎一郎
東北大金研
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三谷 忠興
北陸先端大材料
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塚越 一仁
産総研:crest(jst)
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塚越 一仁
物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研
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Morpurgo A.
デルフト工科大
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野尻 浩之
東北大金研
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藤原 明比古
北陸先端大
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安達 千波矢
九州大学未来化学創造センター
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佐藤 庸平
東北大多元研
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寺内 正己
東北大多元研
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熊代 良太郎
東北大院理
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廣芝 伸哉
東北大院理
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竹延 大志
CREST JST
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岩佐 義宏
CREST JST
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川山 巌
阪大超伝導フォトニクス
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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廣芝 伸哉
(独)物質・材料研究機構
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川山 巌
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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斗内 政吉
大阪大学レーザーエネルギー学研究センター
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前田 京剛
東大院総合
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北野 晴久
東大院総合
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大谷 晋太郎
東北大院理
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大島 勇吾
東北大金研
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八尋 正幸
九大未来化学
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安達 千波矢
九大未来化学
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村上 浩一
筑波大院数物
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村上 浩一
筑波大学数理物質科学研究科
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真庭 豊
都立大院理
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Nakao H
Photon Factory Institute Of Materials Structure Science Kek
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Nakao Hironori
Department Of Physics Tohoku University
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宮田 耕充
産総研ナノテク
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三宅 正晃
北陸先端大
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Prassides K.
サ***大
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松尾 亮二
東大院総合
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岩佐 義弘
北陸先端大
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下田 英雄
ノースカロライ大
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金子 和晃
名大院工
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鵜戸口 浩樹
首都大理工
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内藤 泰久
産総研
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下田 達也
北陸先端大
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八尋 正幸
(財)九州先端科学技術研究所/九州大学
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竹谷 純一
電中研
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柳 和宏
産総研ナノテク
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下田 達也
セイコーエプソン(株)テクノロジープラットフォーム研究所
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下田 達也
セイコーエプソン(株)
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竹延 大志
東北大学金属材料研究所
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坂田 誠
名古屋大 大学院
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小林 典男
東北大金研
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久保園 芳博
岡山大学大学院自然科学研究科
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松田 和之
首都大理
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佐々木 孝彦
東北大金研
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藤 秀樹
広大院先端
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良知 健
東北大院理
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福岡 宏
広大院工
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山中 昭司
広大院工
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村田 恵三
阪市大院理
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吉野 治一
阪市大院理
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石井 賢司
原子力機構放射光
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齋藤 一弥
筑波大院数物
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野崎 隆行
阪大院基礎工
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新庄 輝也
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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池畑 誠一郎
東理大理
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関剛 斎
阪大院基礎工
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野尻 浩之
東北大金研:cints
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斎藤 一弥
阪大院理
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宮崎 裕司
大阪大
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宮崎 裕司
阪大院理
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齋藤 一弥
筑波大化学
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小林 賢介
阪市大院理
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下谷 秀和
CREST-JST
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末清 雅人
北陸先端大
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仕幸 英治
北陸先端大
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久保園 芳博
岡山大自然
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中野谷 一
九大未来化学
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宮崎 裕司
大阪大学大学院理学研究科
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室 玄洋
北陸先端大
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藤原 明比古
東大理
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寿栄松 宏仁
東大理
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鈴木 義茂
電総研
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高田 昌樹
名大院工
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坂田 誠
名大院工
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藤 秀樹
都立大院理
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下田 英雄
北陸先端大
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植原 克行
北陸先端大
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Takenobu T.
北陸先端大
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Margadonna S.
サ***大
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三輪 和彦
東大院総合
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西堀 栄治
名大院工
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石井 賢司
東大理
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山田 公一
電中研
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西川 尚男
セイコーエプソン(株)
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池畑 誠一郎
東京理科大
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木島 正志
筑波大院数物
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小椋 裕介
阪大院基礎工
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田邉 真一
阪大院基礎工
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竹延 大志
JSTさきがけ
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鵜戸口 浩樹
首都大理
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鷺谷 智
首都大理
-
鷺谷 智
首都大理工
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渡辺 峻一郎
名大院工応物
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Nakao Hironori
Graduate School Of Science Tohoku University
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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菅原 孝宜
東北大金研
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寿栄松 宏仁
東京大学理学部物理教室
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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山崎 和良
北陸先端大
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新庄 輝也
京大 化研
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池畑 誠一郎
東大 理
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寿栄松 宏仁
Spring8
-
壽榮松 宏仁
Spring-8
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森 聡
(株)ニュージェック 技術開発グループ
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森川 雅則
都立大理
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丸本 一弘
名大院工
-
黒田 寿文
電中研
-
加藤 潤
電中研
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松井 弘之
産総研:東大新領域
-
松井 弘之
東大院新領域
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齊藤 一弥
阪大理
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Sato Ko-ichi
Plasma Science Center Nagoya University
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藤原 明比古
高輝度光科学研究センター
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有馬 孝尚
東北大院理
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松岡 亨卓
東北大金研
著作論文
- 23pGT-2 有機単結晶を用いた両極性および発光トランジスタの実現(23pGT 若手奨励賞講演・β型他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-8 ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYF-1 高誘電体絶縁膜を用いた単結晶有機FETにおける界面制御と物性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-18 単結晶BaTiO_3高誘電体を用いた有機FETの物性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGS-9 金属型・半導体型単層カーボンナノチューブバッキーペーパーの電気伝導特性(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYK-6 Ba_Si_の物性に与えるラットリングの影響(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYD-2 疎水処理基板を用いたn型C_FETの大気曝露効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-3 フッ素系絶縁膜を用いた両極性単結晶トランジスタ(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-3 有機単結晶を用いた両極性発光トランジスタ(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pWF-5 NMRによるアンモニア・フラーレンの磁性の研究
- 22pXG-8 ヨウ素をドープしたペンタセンの構造解析
- 29pZB-7 RE_3C_ における結合状態と構造相転移
- 29aZB-12 ヨウ素ドープペンタセンの二つの相の構造と伝導度
- 17aTJ-7 希土類金属ドープフラーレンの構造相転移
- 30aXD-10 (NH_3)A_3C_の構造と磁性
- 30aXD-7 マイクロ波応答による(NH_3)_xA_3C_の電気伝導特性(II)
- 30aXD-4 Sm_3C_の構造相転移
- 25pYF-14 マイクロ波応答による(NH_3)_xA_3C_の電気伝導特性
- 25pYF-7 NH_3A_3C_の磁性
- 25pYF-6 (NH_3)K_xRb_C_の構造
- 有機デバイスの半導体物理と界面機能
- 有機トランジスタにおけるデバイス・材料物理
- 27pYD-3 Co電極を有するルブレン単結晶トランジスタの伝導特性(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-10 ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-8 ペンタセンのMIS-FETデバイスにおける電場誘起キャリアのESR観測(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴における界面修飾効果(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pYF-12 TEM-EELSによる有機分子内包単層カーボンナノチューブの電子構造の研究II(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aZP-4 自己集合化単分子膜による有機薄膜電界効果トランジスターのキャリア制御(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-4 自己集合化単分子膜による有機薄膜電界効果トランジスターのキャリア制御(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 28pYD-6 超高真空中におけるフラーレン薄膜の作成と電界効果特性
- 新奇内包カーボンナノチューブの磁気抵抗 (強磁場下の物性の研究)
- 22pTB-8 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴による界面分子配向観測(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYH-6 金属・半導体ナノチューブの磁気伝導特性(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 非接触法による単層カーボンナノチューブのAB効果の観測 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 23pTA-6 非接触法による金属・半導体ナノチューブの磁気伝導特性(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-5 ペンタセン両極性トランジスタにおけるアニール効果(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機トランジスタ
- 25pTG-1 SAMsによる有機TFTの界面修飾と両極性トランジスタ(II)(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pTG-2 MES-MOS複合型有機単結晶トランジスタ(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 単層カーボンナノチューブの非接触磁気抵抗 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 22pRA-4 有機・無機界面制御と新しい有機トランジスタ(領域7シンポジウム 主題:『進化』する有機トランジスタ,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-13 ルブレン単結晶MESFETの伝導特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aTE-11 マルチフェロイック物質MnWO_4の非極性相における分極メモリー効果(誘電体(マルチフェイロック関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRJ-8 有機単結晶トランジスタヘの電子注入(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-9 有機単結晶MESFET(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aXA-9 マルチフェロイック物質MnWO_4における電気磁気効果(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18aWG-8 TbMnO_3における磁場方向の回転による電気分極制御(18aWG Mn系1,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 有機トランジスタの新しい潮流
- 26aYF-3 金属-有機単結晶の界面物性とキャリア注入(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYF-2 両極性有機単結晶トランジスタの発光特性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pZD-9 マルチフェロイック物質MnWO_4における磁場誘起分極フロップ(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aTE-10 有機分子ドーピングされた単層カーボンナノチューブFETの動作特性 : 作製ステップごとの評価(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-8 ルブレン単結晶トランジスタの極性制御(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aUA-7 ポリマー中に分散した単層カーボンナノチューブの非線形光学応答(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機トランジスタにおけるデバイス・材料物理
- 21pXA-5 極性制御された単層カーボンナノチューブFETの作製と物性評価(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-13 両極性発光を用いたトランジスタ特性解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-7 単層カーボンナノチューブにおける光シュタルク効果(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWF-6 Z スキャン法による単層カーボンナノチューブの三次非線形感受率スペクトロスコピー(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 13aWF-5 単層カーボンナノチューブにおける光励起状態の超高速緩和ダイナミクス II(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 13aWF-4 単層カーボンナノチューブにおける光励起状態の超高速緩和ダイナミクス I(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 25pPSB-41 単層カーボンナノチューブカラー薄膜の色制御(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 22aYF-11 Sm_3C_におけるフラーレンダイマー構造と圧力誘起相転移
- 27pYN-1 カーボンナノチューブFETの四端子伝導度測定(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-11 カーボンナノチューブのStark効果(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 13pWH-3 電界効果トランジスタの光物性(FET, 領域 8)
- 13pWH-3 電界効果トランジスタの光物性(FET, 領域 7)
- 29pZP-3 電界効果ドーピングしたナノチューブの光物性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 磁気抵抗測定による窒化インジウム系化合物半導体の電子構造の解明 (強磁場下の物性の研究--その他)
- InNをベースとするナイトライド化合物半導体の低温高磁場電気伝導の研究 (強磁場下の物性の研究--その他)
- 20pYA-3 層状超伝導体MgB_2のNMRによる研究
- 新結晶・新物質 有機分子を内包したナノチューブ
- 21aXA-11 ペンタセン薄膜電界効果トランジスター中の電界注入キャリヤーのESR観測(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYK-10 ルブレン単結晶電界効果トランジスターの精密な輸送特性測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-1 TEM-EELSによる有機分子内包単層カーボンナノチューブの電子構造の研究(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-7 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aXF-3 有機分子/SWNT 化合物の電気輸送特性
- 21aXF-2 有機分子を用いた SWNT の低濃度キャリア数制御
- 29aZB-7 有機分子による SWNT への電荷ドーピング
- 27pTB-6 金属・半導体分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-6 金属・半導休分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTB-12 金属型・半導体型単層カーポンナノチューブ薄膜における光電気化学測定(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-9 イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pTB-1 金属型・半導体型SWCNTネットワークにおける電気伝導特性(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTB-9 イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR(27pTB 領域7,領域8合同 電界効果/発光 トランジスタ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-3 共振器構造を有した単結晶発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-8 イオンゲルを用いた高分子薄膜トランジスタの電場誘起ESR(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-4 イオンゲルを用いた発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTG-4 金属・半導体分離SWNT薄膜の1次元的伝導特性(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 7aSC-11 ヨウ素及びルビジウムをドープしたペンタセンの構造とラマン散乱(クラスレート化合物,ゼオライト,その他,領域7)
- 8aSD-1 有機薄膜の電界効果特性(電解効果ドーピング,領域7)
- 24pYJ-6 MgB_C_xのNMRによる研究(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))