竹延 大志 | 東北大学金属材料研究所:jstさきがけ

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概要

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関連著者

• 竹延 大志

  東北大学金属材料研究所:jstさきがけ

• 竹延 大志

  早大先進

• 岩佐 義宏

  東大院工

• 蓬田 陽平

  東北大金研

• 竹延 大志

  東北大金研

• 岩佐 義宏

  東大工

• 蓬田 陽平

  東北大理

• 蒲 江

  早大先進

• 岩佐 義宏

  東北大 金属材料研

• 岩佐 義宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 堀田 収

  京都工繊大

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 岩佐 義宏

  東北大学金属材料研究所

• 竹延 大志

  東北大 金属材料研

• 高橋 優貴

  筑波大院数物

• 竹延 大志

  早大院先進

• 柳 和宏

  首都大理工

• 丸本 一弘

  筑波大院数物

• 山雄 健史

  京都工繊大

• 下谷 秀和

  東北大金研

• 竹延 大志

  東北大学金属材料研究所

• 本河 光博

  東北大学金属材料研究所・crest

• 下谷 秀和

  東北大理

• 柳 和之

  首都大理工

• 松本 大佑

  筑波大院数物

• Li Lain-Jong

  Academia Sinica

• 岩佐 義宏

  東北大学金研

• 丸本 一弘

  筑波大院数物:jstさきがけ

• 岩佐 義宏

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 辻 大毅

  筑波大院数物

• 蓬田 陽平

  東北大院理

• 丸山 建一

  早大先進

• 澤部 宏輔

  東北大理

• 竹延 大志

  早大先進:jstさきがけ

• 片浦 弘道

  産総研ナノシステム

• 今川 雅貴

  早大先進

• 張 奕勁

  東大院工

• 丸本 一弘

  筑波大数物

• 高橋 優貴

  筑波大数物

• 松本 大佑

  筑波大数物

• 野房 勇希

  早大院先進

• 蓬田 陽平

  早大院先進

• 和田 義史

  早大先進

• Wang Jacob

  Academia Sinica

• 舟橋 一真

  早大先進

• Huang Jing-Kai

  Academia Sinica

• 清水 諒

  早大先進

• 伊東 裕

  名大院工

• 黒田 新一

  名大院工

• 片浦 弘道

  産総研ナノテク

• 田中 久暁

  名大院工

• 渡辺 峻一郎

  名大院工

• 高野 琢

  東北大金研

• 渡辺 峻一郎

  名大院工応物

• 小野 新平

  電中研

• 村山 祐司

  東北大金研

• 小野 新平

  電力中央研究所:ジュネーブ大

• 平手 将隆

  名大院工

• 竹延 大志

  PRESTO

• 松崎 怜樹

  早大先進

• 蓬田 陽平

  東北大理:早大先進

• 竹延 大志

  早大院先進:JSTさきがけ

• 牛膓 翔太

  早大先進

• 高木 勇樹

  早大先進

• 辻 大毅

  筑波大数物

• 野房 勇希

  早大先進

• 丸本 一弘

  筑波大数物:JSTさきがけ

• Liu Keng-Ku

  Academia Sinica

• Li Lain

  Academia Sinica

• 渡辺 峻一郎

  ケンブリッジ大

• 櫻井 勇希

  筑波大数物

• 高橋 亘

  早大先進

• 岩佐 義宏

  東大院工:理研CEMS

• 岩佐 義宏

  東大院工:理研CEMSD

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著作論文

• 23pGT-2 有機単結晶を用いた両極性および発光トランジスタの実現(23pGT 若手奨励賞講演・β型他,領域7(分子性固体・有機導体))
• 有機トランジスタにおけるデバイス・材料物理
• ドープしたカーボンナノチューブ薄膜の磁気抵抗 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 新奇内包カーボンナノチューブの磁気抵抗 (強磁場下の物性の研究)
• 有機トランジスタ
• 有機トランジスタにおけるデバイス・材料物理
• ImNをベースとする窒化物半導体の超伝導特性の研究 (強磁場下の物性の研究--その他)
• InNをベースとする窒化物半導体の超伝導特性の研究 (強磁場下の物性の研究)
• 両極性伝導と発光トランジスタ(センサ,デバイス,一般)
• 有機単結晶トランジスタ(TFT(有機,酸化物),一般)
• 磁気抵抗測定による窒化インジウム系化合物半導体の電子構造の解明 (強磁場下の物性の研究--その他)
• InNをベースとするナイトライド化合物半導体の低温高磁場電気伝導の研究 (強磁場下の物性の研究--その他)
• InNをベースとするナイトライド化合物半導体の低温高磁場電気伝導の研究 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 磁気抵抗測定による窒化インジウム系化合物の電子構造の解明 (強磁場下の物性の研究--その他)
• 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-8 イオンゲルを用いた高分子薄膜トランジスタの電場誘起ESR(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-4 イオンゲルを用いた発光トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYF-4 イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 25pYF-3 イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 25pYF-4 イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYF-3 イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCF-8 インクジェット法を用いた半導体カーボンナノチューブトランジスタのキャリア伝導機構(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCF-9 イオンゲルを用いた高性能カーボンナノチューブ厚膜トランジスタ(25pCF ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCF-3 イオンゲルを用いたトランジスタのインピーダンス解析(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCF-2 回折格子構造を持つ有機単結晶発光トランジスタ(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCF-1 発光トランジスタにおけるキャリア閉じ込め構造の導入(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aFH-2 電気二重層トランジスタにおける高密度電荷の2次元磁気相互作用と磁性(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aFH-3 イオンゲルを用いたMoS_2薄膜トランジスタ(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pXP-6 イオンゲルを用いた電気二重層トランジスタのESR研究(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXP-11 有機フォトニック単結晶を用いた両極性発光トランジスタの作製(27aXP 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXZE-3 MoS_2電気二重層トランジスタにおける-軸性歪みの影響(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXZE-3 MoS_2電気二重層トランジスタにおける一軸性歪みの影響(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pEA-1 単層WSe_2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 25pEA-1 単層WSe_2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

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